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公开(公告)号：CN113594289A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110764868.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。
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公开(公告)号：CN109616541B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811268681.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p‑n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p‑n结有效降低了p‑n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。
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公开(公告)号：CN109920852A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910148943.1
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS2场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层；所述有源层为本征过渡金属硫族化合物薄膜；在所述绝缘衬底结构的未形成所述有源层的边缘区域涂覆n型掺杂前驱体溶液；对所述边缘区域进行激光直写，以在所述边缘区域形成源漏区层；所述源漏区层为n型过渡金属硫族化合物薄膜；在所述源漏区层蒸镀电极结构，得到所需的二维材料器件。本发明无需进行光刻等图形化步骤，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN113611701B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110853004.4
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。
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公开(公告)号：CN113206159B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110437540.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113611701A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110853004.4
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。
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公开(公告)号：CN113594240B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110821720.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/73 , H01L29/24 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN111463290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
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公开(公告)号：CN112687801A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN111463268A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284778.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。
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