公开(公告)号：CN109616541B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811268681.4

申请日：2018-10-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  靳雯 ,  周广通 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  曾洋 ,  肖永红

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p‑n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p‑n结有效降低了p‑n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。

公开(公告)号：CN108666375B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810356878.7

申请日：2018-04-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  胡一说 ,  周广通 ,  靳雯 ,  任婷婷

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。

公开(公告)号：CN107523811B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710679857.4

申请日：2017-08-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 胡一说 ,  曾祥斌 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  徐素娥 ,  曾洋 ,  李寒剑

IPC分类号： C23C18/14

摘要： 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN109273543B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201811268952.6

申请日：2018-10-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  郭振宇 ,  王文照 ,  胡一说 ,  吴少雄 ,  周广通 ,  曾洋 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  鲁基昌 ,  曾薏蓉 ,  肖永红

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  B82Y20/00

摘要： 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T‑WS2与2H‑WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T‑WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。

公开(公告)号：CN108091699B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201711358320.4

申请日：2017-12-17

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  曾洋 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  胡一说 ,  周广通 ,  任婷婷 ,  郭振宇 ,  靳雯

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45

摘要： 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS2TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。

公开(公告)号：CN109616541A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811268681.4

申请日：2018-10-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  靳雯 ,  周广通 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  曾洋 ,  肖永红

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p-n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p-n结有效降低了p-n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。

公开(公告)号：CN109004054A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810760180.1

申请日：2018-07-11

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  周广通 ,  王文照 ,  胡一说 ,  靳雯 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  任婷婷 ,  郭振宇

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN108666375A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810356878.7

申请日：2018-04-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  胡一说 ,  周广通 ,  靳雯 ,  任婷婷

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。

公开(公告)号：CN106531834B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201611090552.1

申请日：2016-11-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  郭富城 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  丁佳 ,  王文照 ,  王硕 ,  付永胜 ,  胡一说 ,  周广通 ,  吴少雄

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。

公开(公告)号：CN107523811A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710679857.4

申请日：2017-08-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 胡一说 ,  曾祥斌 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  徐素娥 ,  曾洋 ,  李寒剑

IPC分类号： C23C18/14

CPC分类号： C23C18/14

摘要： 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。