公开(公告)号：CN106409935B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610908370.4

申请日：2016-10-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  李寒剑 ,  徐素娥 ,  郭富城 ,  陈晓晓 ,  王文照 ,  丁佳

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法。包括聚酰亚胺（PI）柔性衬底、Al背极、MoO3空穴传输层、MoS2电子空穴激发层、LiF电子传输层、石墨烯透明导电层、Al栅极。所述MoO3层采用溶液法低温制备，便于大面积批量生产；MoS2采用CVD法原位硫化形成，同时对MoO3层进行退火，可以减少MoO3空穴传输层与MoS2层之间的界面缺陷，减少了界面污染；热辐射蒸发LiF层，较薄的空穴传输层和电子传输层厚度，一方面减少了串联电阻，另一方面实现了与MoS2、石墨烯等二维层状材料形成良好柔性异质结太阳能电池。MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池具有低温制备、工艺简单、成本低廉、光电转换效率高、应用范围广等优势。

公开(公告)号：CN105244414A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510678656.3

申请日：2015-10-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  陈晓晓 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  丁佳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/074

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/074

摘要： 本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。

公开(公告)号：CN107403847B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710569811.7

申请日：2017-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  曾洋 ,  丁佳 ,  胡一说 ,  周广通 ,  徐素娥

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。

公开(公告)号：CN105161576B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510677976.7

申请日：2015-10-20

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  文杨阳 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  郭富城

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。

公开(公告)号：CN107523811B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710679857.4

申请日：2017-08-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 胡一说 ,  曾祥斌 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  徐素娥 ,  曾洋 ,  李寒剑

IPC分类号： C23C18/14

摘要： 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN105870253B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201610258405.4

申请日：2016-04-25

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  王文照 ,  陈晓晓 ,  丁佳 ,  李寒剑 ,  徐素娥 ,  郭富城

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/074

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种制备二硫化钨/ 硅（WS2 / Si）异质结太阳能电池的方法，主要工艺是：对p型单晶硅片清洗、制绒后置于PECVD系统中制备出本征非晶硅薄膜层；经WO3的硫化制备出WS2 薄膜层；在其反面热蒸发金属铝背电极，正面采用电子束蒸发制备出钯薄膜构成上电极，得到异质结太阳能电池。该化学气相沉积方法可制备出面积大、分布均匀、高结晶性的纳米WS2薄膜材料，有很好的载流子迁移率和带隙可调控优点，且实验方法简单、工艺可控、易操作、成本较低、光电转换效率高，能够实现太阳能的有效转换。

公开(公告)号：CN107768432A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710791037.4

申请日：2017-09-05

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  丁佳 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  徐素娥 ,  胡一说 ,  周广通

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开了一种二维二硫化钼底栅型TFT器件结构及其制备方法；TFT器件结构包括：从下往上依次设置的p/n型单晶硅、SiO2层、MoS2薄膜层和Ti/Ni/Au源漏电极；p/n型单晶硅厚度为(200～500)微米；SiO2层的厚度为(50～300)nm；MoS2薄膜层的厚度为(0.7～2.1)nm；Ti/Ni/Au源漏电极厚度为：Ti为(5～15)nm，Ni为(5～15)nm，Au为(50～70)nm。源、漏电极材料为Ti/Ni/Au复合金属，使用电子束蒸发工艺制备而成，此电极材料与二维二硫化钼功函数接近，接触电阻小。本发明结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。

公开(公告)号：CN106409935A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610908370.4

申请日：2016-10-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  李寒剑 ,  徐素娥 ,  郭富城 ,  陈晓晓 ,  王文照 ,  丁佳

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1864

摘要： 本发明公开了一种MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法。包括聚酰亚胺（PI）柔性衬底、Al背极、MoO3空穴传输层、MoS2电子空穴激发层、LiF电子传输层、石墨烯透明导电层、Al栅极。所述MoO3层采用溶液法低温制备，便于大面积批量生产；MoS2采用CVD法原位硫化形成，同时对MoO3层进行退火，可以减少MoO3空穴传输层与MoS2层之间的界面缺陷，减少了界面污染；热辐射蒸发LiF层，较薄的空穴传输层和电子传输层厚度，一方面减少了串联电阻，另一方面实现了与MoS2、石墨烯等二维层状材料形成良好柔性异质结太阳能电池。MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池具有低温制备、工艺简单、成本低廉、光电转换效率高、应用范围广等优势。

公开(公告)号：CN106531834B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201611090552.1

申请日：2016-11-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  郭富城 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  丁佳 ,  王文照 ,  王硕 ,  付永胜 ,  胡一说 ,  周广通 ,  吴少雄

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。

公开(公告)号：CN107523811A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710679857.4

申请日：2017-08-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 胡一说 ,  曾祥斌 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  徐素娥 ,  曾洋 ,  李寒剑

IPC分类号： C23C18/14

CPC分类号： C23C18/14

摘要： 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。