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公开(公告)号：CN117673134A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211062521.0
申请日：2022-08-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及双极结型晶体管结构，具体涉及一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管及制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管包括栅介质层，以及分别设置在栅介质层两侧的高阻硅衬底和双极结型晶体管结构；本发明通过将常规结构的漂移区面积减小，形成具有积累作用的类似双极结型晶体管的P1N1N+P2结构，并将其通过栅介质层与IGBT结构集成。同时，本发明公开一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN113299831B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110557734.X
申请日：2021-05-21
摘要： 本发明公开了一种基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法。该器件采用底栅顶接触结构，依次由柔性衬底、栅电极、绝缘介质层、有源层、源、漏电极构成。该结构采用介电常数较高的A l2O3作为无机材料绝缘介质层，能够有效降低工作电压和阈值电压，但高介电常数带来较高界面极性；为降低其界面极性，又增加了PMMA制作的绝缘介质薄膜和由交联剂4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐与聚(4‑乙烯基苯酚)混合而得的交联PVP‑HDA绝缘介质薄膜。本发明的柔性薄膜晶体管能够较好的平衡介电常数与界面极性之间的矛盾，还同时兼具较低功耗、较小漏电流、较低亚阈值摆幅等优点，工艺简单、成本较低，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114613859A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210344522.8
申请日：2022-03-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，具体涉及一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件及其制备方法，用于缓解现有LDMOS器件无法同时对击穿电压和比导通电阻进行优化的不足之处。该具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件，其P型衬底上部设置有位于栅氧化层和漏电极之间的平面组合辅助电极结构，平面组合辅助电极结构包括多个辅助氧化层、多个辅助电极和至少一个N环。本发明能够降低LDMOS器件耐压对漂移区浓度和长度的依赖，使器件能够在耐压没有明显改变的同时大幅降低比导通电阻，从而达到优化LDMOS器件击穿电压与比导通电阻矛盾的作用。同时，本发明还提供一种具有平面组合辅助电极结构的LDMOS器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117673133A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211055257.8
申请日：2022-08-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半绝缘多晶硅结构，具体涉及一种与半绝缘多晶硅集成的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与半绝缘多晶硅集成的绝缘栅双极型晶体管包括栅介质层，以及分别设置在栅介质层两侧的高阻硅衬底和半绝缘多晶硅结构；本发明通过将常规结构的漂移区面积减小，使IGBT通过栅介质层与半绝缘多晶硅结构集成。同时，本发明公开一种与半绝缘多晶硅集成的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114597259A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210337017.0
申请日：2022-03-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备方法，以缓解SOI LIGBT器件难以兼顾较高击穿电压和较低的正向导通压降、比导通电阻的技术问题。该器件包括依次层叠的P型半导体材料衬底、SOI基及N型漂移区，N型漂移区一侧至另一侧依次形成有发射区、P型基区及N型缓冲层；P型基区至N型缓冲层之间依次形成多个递增的辅助电极结构；相邻两个辅助氧化层的下方设置有P柱；辅助电极结构及与辅助电极结构抵接的部分P柱形成平面组合辅助电极。该方法包括在SOI基上方掺杂形成N型漂移区和P型基区；在N型漂移区中形成P柱和N型缓冲层；P型基区与N型缓冲层之间形成辅助电极结构。
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公开(公告)号：CN117673132A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211054220.3
申请日：2022-08-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/329 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及绝缘栅双极型晶体管，具体涉及一种与肖特基二极管集成的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与肖特基二极管集成的绝缘栅双极型晶体管包括栅介质层，以及分别设置在栅介质层两侧的高阻硅衬底和肖特基二极管结构，其中肖特基二极管结构由N1区、N+区、N2区构成；本发明通过将常规结构的漂移区面积减小，并将部分栅电极、部分集电极设置为肖特基接触，使IGBT通过栅介质层与类似于肖特基二极管的N‑N+N‑结构集成。同时。本发明公开一种与肖特基二极管集成的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN113299831A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110557734.X
申请日：2021-05-21
摘要： 本发明公开了一种基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法。该器件采用底栅顶接触结构，依次由柔性衬底、栅电极、绝缘介质层、有源层、源、漏电极构成。该结构采用介电常数较高的A l2O3作为无机材料绝缘介质层，能够有效降低工作电压和阈值电压，但高介电常数带来较高界面极性；为降低其界面极性，又增加了PMMA制作的绝缘介质薄膜和由交联剂4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐与聚(4‑乙烯基苯酚)混合而得的交联PVP‑HDA绝缘介质薄膜。本发明的柔性薄膜晶体管能够较好的平衡介电常数与界面极性之间的矛盾，还同时兼具较低功耗、较小漏电流、较低亚阈值摆幅等优点，工艺简单、成本较低，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN112635564A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011504456.3
申请日：2020-12-18
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法，旨在进一步优化击穿电压与比导通电阻的矛盾关系从而优化器件性能，并可应用于柔性电子系统。该器件通过将性能较优异的功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，采用带有SOI基的P型硅衬底材料，在SOI基上的外延层通过掺杂形成漂移区和基区；在基区左端刻蚀并积淀表面电极，该表面电极从器件表面沿纵向依次穿过基区、SOI基，深入到P型硅层上部；在漂移区中间区域表面形成以介质材料填平的氧化槽。本发明将功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，不仅实现了传统无机半导体功率器件与柔性电子领域新的突破与创新，还能弥补柔性有机材料电子性能较差的缺陷。
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