公开(公告)号：CN119213566A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041132.6

申请日：2023-05-18

Applicant: 特瑞诺科技股份有限公司

Inventor： 吴光勋 ,  金秀圣 ,  郑镇荣 ,  尹钟晩

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了一种基于碳化硅的横向功率半导体器件及其制造方法。基于碳化硅的横向功率半导体器件包括：碳化硅材料的第一传导型的衬底；第一传导型的漂移层，形成于所述衬底的上表面，并且其杂质浓度低于所述衬底；第二传导型的体区，形成于所述漂移层的上层部；第二传导型的集电区，以在侧面方向上从所述体区隔开的方式形成于所述漂移层的上层部；以及沟槽缓冲带，配置于所述体区与所述集电区之间，用于阻挡电场沿侧面方向扩张。

公开(公告)号：CN119029032A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410645969.8

申请日：2024-05-23

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： T·R·西米尼克 ,  D·拉福雷特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于加工半导体装置的方法。在实施例中，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区域和沿侧向包围有源区域的边缘终止区。有源区域包括多个有源晶体管基元。边缘终止区包括一个或多个不活动基元，每个不活动基元包括第一柱状沟槽和布置为与第一柱状沟槽相邻的第一终止台面。每个第一柱状沟槽包括底基、侧壁、场板以及布置在底基和侧壁上并且包围场板的场电介质。每个第一终止台面包括第一导电型的漂移区和布置在漂移区上方的第二导电型的主体区。第一柱状沟槽的每个场电介质在场板的上区中具有第一厚度并且在场板的下区中具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN110352496B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201780087662.9

申请日：2017-03-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·D·利拉克 ,  S·T·马 ,  J·R·韦伯 ,  P·莫罗 ,  R·米恩德鲁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种装置，其包括：鳍状物；形成在鳍状物上的层，所述层将鳍状物分为第一部分和第二部分；形成在鳍状物的第一部分上的第一器件；以及形成在鳍状物的第二部分上的第二器件。

公开(公告)号：CN118866964A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410867334.2

申请日：2024-06-28

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 杜重凯 ,  秋沉沉 ,  钱俊 ,  孙昌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种NLDMOS器件及其制造方法，属于微电子制造技术领域，该NLDMOS器件，包括P型衬底；阵列深N阱，形成于P型衬底上；两个高压漂移区，位于阵列深N阱中，两个高压漂移区之间通过高压P阱间隔，每个高压漂移区的顶部设置有浅槽隔离结构；超结结构，包括至少一对纵向排布的离子注入区，各对离子注入区由浅至深依次排布在浅槽隔离结构的底部，每对离子注入区包括一N型离子注入区和一P型离子注入区。通过浅槽隔离结构下方注入多道N型离子和P型离子，形成超结结构，降低寄生BJT漏电，使电流更多地流向沟道，同时电流经超结结构多股分流，避免了HVPW和HVNDF深层次局部电流过大，导致击穿。

公开(公告)号：CN118825074A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410875935.8

申请日：2024-07-01

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 杨召 ,  胡林辉 ,  张继伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

Abstract: 本公开涉及一种场效应晶体管及其制备方法、半导体器件，包括：衬底，衬底内包括多个沟槽隔离结构及位于相邻沟槽隔离结构的有源区；有源区，位于衬底上，有源区的顶部包括掩平行衬底方向依次分布的第一类重掺杂区、埋层沟道区和第二类重掺杂区；栅介质层，至少覆盖埋层沟道区的顶面；栅导电层，位于栅介质层的顶面；栅极侧墙，周向环绕栅导电层的侧壁。本公开至少能够有效降低场效应晶体管的低频闪烁的噪声，并降低制备的成本与工艺复杂度。

公开(公告)号：CN112840448B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980061021.5

申请日：2019-09-24

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： C·刘 ,  M·休梅克

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66

Abstract: 一种碳纳米管场效应晶体管(CNFET)，其具有由碳纳米管(CNT)形成的沟道，包括非化学计量掺杂氧化物(NDO)例如HfOX的分层沉积物，其中所述NDO的浓度在所述层的整个厚度上变化。以此方式制成的n型金属氧化物半导体(NMOS)CNFET可实现与对应p型金属氧化物半导体(PMOS)CNFET类似的开通电流、关断电流和/或阈值电压幅值。这样的NMOS和PMOS可以用于实现对称的互补金属氧化物半导体(CMOS)CNFET设计。

公开(公告)号：CN118738142A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310341583.3

申请日：2023-03-31

Applicant: 海信视像科技股份有限公司

Inventor： 徐伟东 ,  孙明晓 ,  李阳 ,  谢静超 ,  李敏华

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法，肖特基势垒二极管包括：衬底、第一电极结构层、半导体结构层和第二电极结构层；第一电极结构层包括与半导体结构层相邻的第一电极层，第二电极结构层包括与半导体结构层相邻的第二电极层，半导体结构层包括：第一半导体层和第二半导体层；第一半导体层和第二半导体层的材料均为铟铝锌氧化物，第一半导体层和第二半导体层中铝元素的比例不同；半导体结构层中的一个半导体层与相邻的电极层形成肖特基接触，另一个半导体层与相邻的电极层形成欧姆接触，分别对双层半导体层进行调节，可以提高对应接触面的接触质量，有利于提升器件的性能。

公开(公告)号：CN118679575A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202380021088.2

申请日：2023-02-02

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 李光远 ,  徐永浩 ,  H·达斯 ,  M·多梅 ,  朴庆锡

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体器件的实施可包括沟槽，该沟槽包括栅极和形成在该栅极中的栅极氧化物，并且延伸到形成在衬底材料中的第一导电类型掺杂柱中。该器件可包括与该沟槽相邻的沟槽沟道和两个第二导电类型掺杂柱，该两个掺杂柱在该第一导电类型掺杂柱的每一侧上延伸，其中该两个第二导电类型掺杂柱中的每个掺杂柱的深度与该沟槽进入该衬底材料的深度之比可以是至少1.6:1。

公开(公告)号：CN118661251A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020843.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安德鲁·杨 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  阿希什·派欧

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体器件及其制造方法。所述方法包括在背侧上形成扩散中断开口并填充扩散中断材料以用作平坦化停止件。在一些实施例中，形成单扩散中断开口。在其他实施例中，形成混合扩散中断开口。

公开(公告)号：CN118591861A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018499.6

申请日：2023-01-17

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 金德镐 ,  金玟爀 ,  闵庆仁 ,  朴昶均 ,  韩俊熙 ,  金杜镐 ,  金秀睿 ,  李承炫

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明关于一种基板处理设备以及一种制造金属氧化物半导体的方法，其中，基板处理设备包括：腔体、设置在腔体中的基板支撑单元以及设置在基板支撑单元上方的喷射单元。