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公开(公告)号：CN110121764B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201780082079.9
申请日：2017-09-11
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/318
摘要： 公开了一种使反应管内的处理气体的速度分布在晶片之间均匀的技术。装置具备：衬底保持件，其保持多张衬底；筒部，其设置在反应管内部，具有收纳衬底保持件并对衬底进行处理的处理室；喷管配置室，其划分反应管与筒部之间的间隙而设置；气体喷管，其配置在喷管配置室内，向处理室内供给处理气体；气体供给口，其以供喷管配置室和处理室连通的方式形成于筒部；气体排气口，其以使间隙和处理室连通的方式形成于筒部，将处理室内的环境气体排出到间隙；和排气部，其与反应管连接，对间隙内的环境气体进行排气。
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公开(公告)号：CN118266061A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076694.X
申请日：2022-10-07
申请人： 株式会社力森诺科
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
摘要： 本发明提供能够形成膜厚的均匀性提高了的沉积膜的沉积膜形成方法。沉积膜的形成方法是在形成有图案(22)的基板(21)上形成沉积膜的方法，具备在电极上载置基板(21)、在对电极施加偏压功率或不施加偏压功率的状态下使用使沉积气体进行等离子体化而获得的等离子体而在基板(21)上形成沉积膜(40)的沉积工序，构成图案(22)的材料为含碳材料、含硅材料和含金属材料中的至少一种，沉积气体含有在分子内具有氟原子、溴原子和碳原子，并且碳原子的数量为2个或3个的作为不饱和化合物的不饱和卤化烃。进而，在对电极施加偏压功率时的功率密度为大于0W/cm2且0.5W/cm2以下。
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公开(公告)号：CN118263111A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311729674.0
申请日：2023-12-15
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/318 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种形成包括氮化硅的图案结构的方法。根据本公开的实施例，形成图案结构的所述方法包括：将具有一个表面的基底提供到基底处理设备中的步骤，在所述一个表面上形成有图案结构，所述图案结构包括凹槽区域，在所述凹槽区域中开口周边部分和底部部分由第一氮化硅制成；在所述第一氮化硅上沉积第二氮化硅的沉积步骤；蚀刻所述第二氮化硅的蚀刻步骤；以及在一个循环中执行上述步骤n次直到去除构成所述底部部分的所述第一氮化硅的步骤。
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公开(公告)号：CN111837215B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880090993.2
申请日：2018-03-26
申请人： 株式会社国际电气
摘要： 本发明能够在恰当的时机去除除害装置上附着的副生成物而提高装置的运转率。处理装置至少具有：构成于处理炉内的处理室；与多个除害装置连接并从该处理室排出气体的排气系统；和执行在搬入处理室的基板上形成膜的工艺配方的控制部，该控制部构成为，在工艺配方的开始或结束时，确认正在运转的除害装置以外的其他除害装置的运转状态，并如下地进行控制：若其他除害装置的运转状态不是正在保养，则使其他除害装置运转，并且将正在运转的除害装置的运转状态切换为正在保养；若其他除害装置的运转状态为正在保养，则保持不变地继续使用正在运转的除害装置。
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公开(公告)号：CN111739778B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010091897.9
申请日：2020-02-13
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/316 , H01L21/318 , H10B69/00
摘要： 本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序，对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置部，其在处理室中支承基板；气体供给部，其向处理室供给气体；高频电力供给部，其供给规定频率的高频电力；第一谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第一导体构成；第二谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第二导体构成；和控制部，其以向第一谐振线圈供给电力的电力供给期间和向第二谐振线圈供给电力的电力供给期间不重叠的方式，控制高频电力供给部。
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公开(公告)号：CN108695151B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810298565.0
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318
摘要： 本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基底的被处理体的工序；以及多次重复第一阶段和第二阶段来使硅系绝缘膜选择性地沉积于所述绝缘膜上，并且此时通过与反应气体之间的反应来使导电膜气化，从而使所述导电膜膜减少的工序，其中，在所述第一阶段中，使氨基硅烷系气体吸附于绝缘膜和导电膜上，在所述第二阶段中，供给用于与吸附的氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体。
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公开(公告)号：CN111223776B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811408440.5
申请日：2018-11-23
申请人： 隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67 , H01L31/18 , C23C16/44
摘要： 本发明提供了一种晶硅片镀膜方法及装置，涉及太阳能光伏技术领域。其中，所述方法包括：在装载有晶硅片的石墨舟放入炉体内的石英管后，将所述石墨舟与所述石英管内的电极杆连接；在所述炉体的炉门关闭并抽真空后，将所述电极杆与第一电源连通，通过所述第一电源对所述石墨舟加热，以及将所述石英管外壁的电阻丝与第二电源接通，通过所述第二电源对所述电阻丝加热；在所述晶硅片的温度稳定在设定温度阈值后，将所述电极杆切换至与辉光电源连通；基于所述辉光电源，对所述晶硅片镀膜。不仅用第二电源对炉体加热，还利用第一电源对石墨舟加热，减少了加热时间，第一电源是对石墨舟直接加热，加热效率高，提升了产能。
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公开(公告)号：CN108885994B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780020497.5
申请日：2017-09-15
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。
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公开(公告)号：CN116210075A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180063519.2
申请日：2021-09-15
申请人： 株式会社国际电气
IPC分类号： H01L21/318
摘要： 本发明提供一种能够减少占用空间的技术。本发明提供一种技术，即一种基板处理装置，其具有：模块，其具备：气体供给部，其具有上游侧整流部和供给结构；反应管，其与所述气体供给部连通；以及气体排气部，其设置在与所述上游侧整流部对置的位置且具有下游侧整流部和排气结构；供给管，其与所述气体供给部连接；排气管，其与所述气体排气部连接；输送室，其与多个所述模块相邻；以及配管配置区域，其位于所述输送室的侧方且与所述模块相邻，能够配置所述供给管或所述排气管，所述反应管配设于在所述基板处理装置的长度方向的轴上与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述供给管的情况下，所述气体排气部配置在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述排气管的情况下，所述气体供给部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置。
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公开(公告)号：CN115917759A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180041186.3
申请日：2021-07-05
申请人： 凸版印刷株式会社
发明人： 池田典昭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363
摘要： 本发明的目的在于提供具有良好的元件特性且具有高挠性的薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列以及薄膜晶体管的制造方法。因此，本发明的薄膜晶体管具有绝缘性的基板、栅极电极、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、半导体层、绝缘性的保护层、源极电极、以及漏极电极，第一栅极绝缘层由包含有机材料的绝缘材料形成，第二栅极绝缘层由无机绝缘材料形成，第二栅极绝缘层的膜厚比第一栅极绝缘层的膜厚薄，第二栅极绝缘层仅形成在与半导体层或保护层重叠的范围内。
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