太阳能电池制备方法以及太阳能电池

    公开(公告)号:CN114388658B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202111680754.2

    申请日:2021-12-30

    发明人: 张东威

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本发明提供了一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池,涉及太阳能光伏技术领域。其中,提供硅基底后,在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层,并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料,以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层,再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间,在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。该方法通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层,仅需一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构,减少硅基底处于高温环境的时间,提高少子寿命,也避免高温应力作用下的弯曲形变,以及激光去除硼硅玻璃层对硅基底的损伤,提升电池效率。

    一种焊接方法及光伏组件

    公开(公告)号:CN115632086B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202211117164.3

    申请日:2022-09-14

    摘要: 本申请提供了一种焊接方法及光伏组件,涉及太阳能光伏技术领域,其中,所述方法用于焊接背接触太阳能电池片,所述电池片包括正极电极和负极电极,所述正极电极和负极电极包括主栅电极、细栅电极及位于主栅电极上的焊盘,所述主栅电极与所述细栅电极相交;所述方法包括:至少在电池片中正极电极和负极电极侧边的异性细栅电极上印刷绝缘胶后,在焊盘上印刷导电胶;导电胶印刷高度大于等于绝缘胶印刷高度;基于导电胶及焊盘,将至少两个电池进行串联,形成电池串。本申请通过在印刷绝缘胶覆盖焊盘边缘细栅线,还在焊盘上额外印刷导电胶,消除了导电线与焊盘之间因绝缘胶的存在而形成的高度差,解决了电池焊接虚焊的问题。

    一种发光发电光伏系统及建筑物

    公开(公告)号:CN112054016B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN201910418691.X

    申请日:2019-05-20

    摘要: 本发明提供了发光发电光伏系统,包括盖板、切片电池片单元、切片电池片、切片电池片串、第一胶粘剂层、第二胶粘剂层、第三胶粘剂层、LED单元、LED灯、背板、边框、接线端、正极接线端、负极接线端、光伏逆变器、蓄电池、LED控制接线盒、LED电源插头、LED控制线、行控制线和列控制线。将切片电池片单元和LED单元经层压密封为一体,且相互隔离,LED单元中的线路和切片电池片单元中的线路均相对独立地设置在对应的单元,能够避免LED线路铺设在电池片之间而存在的对电池片线路和电池片本身不利影响。而且,LED单元涉及线路和切片电池单元涉及线路均在光伏组件加工过程中完成,能够降低施工难度、提高施工效率。本发明提供了一种应用发光发电光伏系统的建筑物。

    一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN113972130B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202111145263.8

    申请日:2021-09-28

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明公开一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,以使硼容易的掺杂进硅片中,降低硼掺杂难度。该硼掺杂方法包括以下步骤:提供一硅基底;在硅基底上形成辅助层,辅助层的材料包括二氧化钛;在辅助层上形成含硼浆料层;利用激光将含硼浆料层中的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中,以对硅基底进行掺杂。本发明提供的硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

    一种硼扩散方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN113809201B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202110961931.8

    申请日:2021-08-20

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/223

    摘要: 本发明公开一种硼扩散方法及太阳能电池,涉及光伏技术领域,以制作复合电流密度小且接触电阻率小的硼掺杂层。该硼扩散方法包括如下步骤:提供一硅基底;对硅基底进行整面的第一热扩散工艺,在硅基底上形成第一硼扩散层和硼硅玻璃层;去除硼硅玻璃层;对硅基底进行整面的第二热扩散工艺,使第一硼扩散层的表层掺杂浓度增大转变成第二硼扩散层,第一硼扩散层的其余部分为第三硼扩散层;获得包括第二硼扩散层和第三硼扩散层的硼掺杂层。本发明提供的一种硼扩散方法及太阳能电池用于太阳能电池制造。

    一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池

    公开(公告)号:CN118522822A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410098802.4

    申请日:2024-01-23

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域,以解决原始的整片硅片被分割为尺寸较小的多个分片硅片,导致原有的所有加工设备均需要同步更换为分片工装设备,极大的增加分片太阳能电池的制作成本的问题。所述太阳能电池的制作方法包括:提供一半导体基底,半导体基底具有相对的第一面和第二面。在半导体基底具有的第一面形成第一掺杂层,第一掺杂层包括第一部分和,与第一部分相邻的且需要去除的第二部分。采用第一激光工艺对需要去除的第二部分进行照射,采用第二激光工艺在第一激光工艺的激光照射区域内进行切割处理,以将太阳能电池分割为至少两个分片太阳能电池。

    一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN118522777A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410283123.4

    申请日:2024-03-12

    发明人: 胡志伟

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池技术领域,以解决钝化层的厚度较厚,细栅在烧结过程中需要很长时间,以及较高温度。此时,会导致太阳能电池的制作成本增加,太阳能电池制作的效率降低的问题。所述太阳能电池包括:半导体基底、第一钝化层和第二钝化层。第一钝化层位于半导体基底的一面的第一区域内,至少部分第一钝化层上用于形成电极。第二钝化层位于半导体基底的一面的第二区域内,第一区域和第二区域不重合,第一钝化层的平均厚度小于第二钝化层的平均厚度。

    隧穿氧化层钝化接触电池
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118173636A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410373781.2

    申请日:2024-03-28

    发明人: 姜海艳

    摘要: 本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触电池,包括硅基底,以及在所述硅基底的一侧依次层叠设置的隧穿层、多晶硅层和金属电极,其中所述多晶硅层的边缘区域的平均厚度大于中心区域的平均厚度。本申请的隧穿氧化层钝化接触电池中的多晶硅层具有边缘厚中心薄的特点,进一步地基于该特点,相应的调整金属电极浆料的烧穿深度,使得金属电极嵌入多晶硅层的厚度与多晶硅层的厚度相适应,可以避免同样透墨下,中间较薄区域容易烧穿的现象,从而提高电池的钝化效果。

    双面玻璃光伏组件、光伏系统及制作方法

    公开(公告)号:CN110061078B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201910313959.3

    申请日:2019-04-18

    IPC分类号: H01L31/048 H02S20/00

    摘要: 本申请公开了一种双面玻璃光伏组件、光伏系统及制作方法,该双面玻璃光伏组件包括包括:第一玻璃、第二玻璃及位于第一玻璃与第二玻璃之间的光伏电池串,第一玻璃和第二玻璃的同一位置处均设置有用于螺栓穿过的通孔。本申请提供的上述方案,通过支架上的螺栓穿过第一玻璃和第二玻璃上设置的通孔,从而可以有效固定双面玻璃光伏组件,进而解决了压块安装方式中压块尺寸不统一的缺点,同时在螺栓与通孔之间放置橡胶圈,解决了玻璃与压块之间的硬接触,防止组件爆件;进一步地解决了双面玻璃光伏组件背面通过挂钩与支架进行固定时,挂钩与玻璃脱落风险;由于该双面玻璃光伏组件无边框,这样可以避免电势诱导衰减现象的产生以及在边框边缘积尘的问题。