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公开(公告)号：CN113990964B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110994983.5
申请日：2021-08-27
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本申请公开了一种电极浆料，包括铝粉、纳米金属氮化物以及玻璃粉，有机载体，其中，所述铝粉采用球形铝粉，平均粒径在2～10μm；所述纳米金属氮化物与所述铝粉的质量比为0.05～0.25：1；所述玻璃粉与所述铝粉的质量比为0.01～0.08：1。本申请还提供一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法。本申请提出的太阳能电池具有可以降低铝的功函数，降低电子传输势垒、导电率高、廉价等优点。
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公开(公告)号：CN114724942A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210377148.1
申请日：2022-04-11
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67 , H01L31/18
摘要： 本申请的实施例公开了一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统，所述硅片刻蚀方法包括：对具有扩散表面的硅片依次进行第一酸洗、第二酸洗、碱洗和后处理得到刻蚀后硅片，其中所述具有扩散表面的硅片为所述硅片经过了硼扩散工艺处理；所述第一酸洗采用第一酸洗液，用于去除所述硅片背面及侧面的硼硅玻璃层，所述第一酸洗液包括体积比为(3～8):(1～5)的氢氟酸和水，所述第一酸洗的温度为25～35℃。本申请提供的刻蚀方法使用25～35℃的包含氢氟酸的第一酸洗液预先对硅片背面及侧面的BSG进行刻蚀，在去除BSG的同时使硅片的背面与侧面呈斥水状态，使得刻蚀绕镀扩散层的药液不容易吸附至硅片正面BSG的边缘，从而不会对正面BSG的边缘产生腐蚀，有效减少电池边缘漏电问题的发生。
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公开(公告)号：CN113972130B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111145263.8
申请日：2021-09-28
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以使硼容易的掺杂进硅片中，降低硼掺杂难度。该硼掺杂方法包括以下步骤：提供一硅基底；在硅基底上形成辅助层，辅助层的材料包括二氧化钛；在辅助层上形成含硼浆料层；利用激光将含硼浆料层中的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明提供的硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
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公开(公告)号：CN113809201B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110961931.8
申请日：2021-08-20
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223
摘要： 本发明公开一种硼扩散方法及太阳能电池，涉及光伏技术领域，以制作复合电流密度小且接触电阻率小的硼掺杂层。该硼扩散方法包括如下步骤：提供一硅基底；对硅基底进行整面的第一热扩散工艺，在硅基底上形成第一硼扩散层和硼硅玻璃层；去除硼硅玻璃层；对硅基底进行整面的第二热扩散工艺，使第一硼扩散层的表层掺杂浓度增大转变成第二硼扩散层，第一硼扩散层的其余部分为第三硼扩散层；获得包括第二硼扩散层和第三硼扩散层的硼掺杂层。本发明提供的一种硼扩散方法及太阳能电池用于太阳能电池制造。
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公开(公告)号：CN114744054A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210255501.9
申请日：2022-03-15
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请的实施例公开了一种TOPCon电池及其制备方法，该TOPCon电池包括硅衬底以及位于所述硅衬底正面的扩散层和第一电极，所述第一电极包括多条细栅线；所述扩散层上设有与所述细栅线对应分布的若干栅线预设区，所述栅线预设区内设有第一钝化接触结构，所述第一钝化接触结构包括沿背离所述硅衬底方向依次设置的第一隧穿氧化层和第一掺杂硅层。本申请的电池在降低掺杂硅层对光的寄生吸收，减少电流损失的同时能够降低金属接触区域的载流子复合，提高电池的开路电压和转换效率。
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公开(公告)号：CN114784140A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210353011.2
申请日：2022-04-02
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。
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公开(公告)号：CN114784140B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210353011.2
申请日：2022-04-02
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。
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公开(公告)号：CN114420786B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111585061.5
申请日：2021-12-22
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种钝化接触电池的制备方法及钝化接触电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，制备钝化接触电池的过程中，在硅片正面进行硼扩散形成P型掺杂层，并形成覆盖硅片正面硼硅玻璃层，在后续工艺中能够起到有效的掩膜保护作用，避免正面结构被破坏；硅片背面采用多晶碳化硅层实现场钝化效应，避免了光寄生吸收的损失，且N型多晶碳化硅层沉积后磷扩散制备，多晶碳化硅层的沉积更加可控，能够保证膜层均匀，不易脱落、起泡，扩散后也无需高温晶化，保证了工艺效率和钝化效果。
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公开(公告)号：CN114784139A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210316507.2
申请日：2022-03-28
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括：提供至少正面具有绒面结构的P型硅基体，P型硅基体的正面具有栅线接触区域和非栅线接触区域；在栅线接触区域形成第一钝化接触结构，在P型硅基体背面形成第二钝化接触结构；第一钝化接触结构包括沿背离P型硅基体方向依次设置的第一隧穿层和第一多晶硅层，第二钝化接触结构包括沿背离P型硅基体方向依次设置第二隧穿层和第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行P型掺杂处理，以形成P型掺杂多晶硅层，对第一多晶硅层进行N型掺杂处理，以形成N型掺杂多晶硅层。本申请的制造方法可直接利用现有PERC产线机台，节省成本，通过双面钝化的接触方式有效提高电池效率，工艺简单，适合大规模量产。
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公开(公告)号：CN114420786A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111585061.5
申请日：2021-12-22
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种钝化接触电池的制备方法及钝化接触电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，制备钝化接触电池的过程中，在硅片正面进行硼扩散形成P型掺杂层，并形成覆盖硅片正面硼硅玻璃层，在后续工艺中能够起到有效的掩膜保护作用，避免正面结构被破坏；硅片背面采用多晶碳化硅层实现场钝化效应，避免了光寄生吸收的损失，且N型多晶碳化硅层沉积后磷扩散制备，多晶碳化硅层的沉积更加可控，能够保证膜层均匀，不易脱落、起泡，扩散后也无需高温晶化，保证了工艺效率和钝化效果。
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