- 专利标题: Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机
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申请号: CN202210353011.2申请日: 2022-04-02
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公开(公告)号: CN114784140A公开(公告)日: 2022-07-22
- 发明人: 吴帅 , 张鹏程 , 张东威 , 陈晨 , 袁陨来 , 叶枫 , 王建波 , 吕俊
- 申请人: 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室
- 专利权人: 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
- 当前专利权人: 鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司
- 当前专利权人地址: 017000 内蒙古自治区鄂尔多斯市伊金霍洛旗蒙苏经济开发区零碳产业园区西片区经一路1号
- 代理机构: 北京润泽恒知识产权代理有限公司
- 代理商 赵娟
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/068 ; H01L21/67
摘要:
本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机,涉及太阳能光伏技术领域,该方法先提供硅片,该硅片包括正面和与正面相对的背面,以及连接正面和背面的侧面,再在正面制备硼掺杂层,在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层,在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层,以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层;去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后,再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗,能够继续刻蚀硅片边缘,有效去除磷内扩层,降低边缘磷过扩浓度,提升正面钝化效果,避免漏电问题。
公开/授权文献
- CN114784140B Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机 公开/授权日:2024-04-05
IPC分类: