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公开(公告)号：CN114724942A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210377148.1
申请日：2022-04-11
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67 , H01L31/18
摘要： 本申请的实施例公开了一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统，所述硅片刻蚀方法包括：对具有扩散表面的硅片依次进行第一酸洗、第二酸洗、碱洗和后处理得到刻蚀后硅片，其中所述具有扩散表面的硅片为所述硅片经过了硼扩散工艺处理；所述第一酸洗采用第一酸洗液，用于去除所述硅片背面及侧面的硼硅玻璃层，所述第一酸洗液包括体积比为(3～8):(1～5)的氢氟酸和水，所述第一酸洗的温度为25～35℃。本申请提供的刻蚀方法使用25～35℃的包含氢氟酸的第一酸洗液预先对硅片背面及侧面的BSG进行刻蚀，在去除BSG的同时使硅片的背面与侧面呈斥水状态，使得刻蚀绕镀扩散层的药液不容易吸附至硅片正面BSG的边缘，从而不会对正面BSG的边缘产生腐蚀，有效减少电池边缘漏电问题的发生。
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公开(公告)号：CN114420787A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111585569.5
申请日：2021-12-22
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
发明人： 吴帅
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池退火方法及退火设备，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在第一工艺时间内向处于氢气气氛中的基底通入超临界二氧化碳，再在第二工艺时间对基底进行光注入，超临界二氧化碳密度高，对氢气的溶解度高，能够将氢更好地传递到基底上，从而避免了氢溢出问题，增强了氢钝化作用，通过光注入进行氢激发后，能够充分饱和基底的缺陷，降低复合损失，从而提升了钝化效果，提高了电池的转换效率与稳定性。
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公开(公告)号：CN114784140A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210353011.2
申请日：2022-04-02
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。
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公开(公告)号：CN114784140B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210353011.2
申请日：2022-04-02
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。
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公开(公告)号：CN114784139A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210316507.2
申请日：2022-03-28
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括：提供至少正面具有绒面结构的P型硅基体，P型硅基体的正面具有栅线接触区域和非栅线接触区域；在栅线接触区域形成第一钝化接触结构，在P型硅基体背面形成第二钝化接触结构；第一钝化接触结构包括沿背离P型硅基体方向依次设置的第一隧穿层和第一多晶硅层，第二钝化接触结构包括沿背离P型硅基体方向依次设置第二隧穿层和第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行P型掺杂处理，以形成P型掺杂多晶硅层，对第一多晶硅层进行N型掺杂处理，以形成N型掺杂多晶硅层。本申请的制造方法可直接利用现有PERC产线机台，节省成本，通过双面钝化的接触方式有效提高电池效率，工艺简单，适合大规模量产。
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公开(公告)号：CN114420787B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111585569.5
申请日：2021-12-22
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
发明人： 吴帅
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池退火方法及退火设备，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在第一工艺时间内向处于氢气气氛中的基底通入超临界二氧化碳，再在第二工艺时间对基底进行光注入，超临界二氧化碳密度高，对氢气的溶解度高，能够将氢更好地传递到基底上，从而避免了氢溢出问题，增强了氢钝化作用，通过光注入进行氢激发后，能够充分饱和基底的缺陷，降低复合损失，从而提升了钝化效果，提高了电池的转换效率与稳定性。
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