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发明授权
一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法有权转让

公开(公告)号：CN113972130B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202111145263.8

申请日：2021-09-28

申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司

发明人： 焦云峰 , 叶枫 , 王建波 , 李云朋 , 袁陨来

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以使硼容易的掺杂进硅片中，降低硼掺杂难度。该硼掺杂方法包括以下步骤：提供一硅基底；在硅基底上形成辅助层，辅助层的材料包括二氧化钛；在辅助层上形成含硼浆料层；利用激光将含硼浆料层中的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明提供的硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。