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公开(公告)号：CN109690338B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780055834.4
申请日：2017-09-14
申请人： 西部数据技术公司
发明人： P·A·凡德赫顿 , Q·勒 , K·S·霍 , X·刘 , G·M·巴奥德阿布克尔克
摘要： 本发明公开了一种磁传感器，所述磁传感器基于逆自旋霍尔效应产生信号。所述传感器包括磁性自由层和定位在相邻于所述磁性自由层的非磁性导电自旋霍尔层。电路被配置成供应电流，所述电流在大体垂直于所述层的平面或垂直于由在所述磁性自由层和所述自旋霍尔层之间的界面限定的平面的方向上穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层。所述逆自旋霍尔效应由于所述电流引起所述自旋霍尔层中的电压，并且所述电压相对于所述磁性自由层的磁化的取向而改变。提供了用于测量在大体垂直于所述电流的方向的方向上所述自旋霍尔层中的所述电压的电路。
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公开(公告)号：CN103081008A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042042.6
申请日：2011-08-09
申请人： 艾沃思宾技术公司
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： H01L43/10 , G01R33/098 , H01L43/12 , Y10T29/49117
摘要： 提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。
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公开(公告)号：CN101132690B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710146654.5
申请日：2007-08-23
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： B23K3/0623 , H02G3/30 , H05K3/3478
摘要： 导电元件供给设备包含：贮藏器部分，其包含内部空间和第一通气开口，其中，导电元件被贮藏在内部空间中，第一通气开口与内部空间连通；排列部分，其包含排列通道和第二通气开口，其中，导电元件在排列通道中被排列为一行，排列通道与内部空间连通，第二通气开口与排列通道连通；阻塞器，其用于关闭/打开排列通道；第一气体供给单元，其从第一通气开口并通过内部空间向排列通道供给气体；第二气体供给单元，其从第二通气开口向导电元件的排列方向供给气体；控制单元，其在阻塞器被关闭的状态下致动第一气体供给单元以供给气体，其中，第二通气开口与阻塞器之间沿排列方向的距离基本属于从一个导电元件的尺寸到一个半导电元件的尺寸的范围内。
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公开(公告)号：CN101152680A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161757.9
申请日：2007-09-25
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： B23K3/0623 , B23K2101/38 , H05K3/3478 , H05K2203/0195 , H05K2203/041 , H05K2203/082 , H05K2203/086
摘要： 在能够将微型磁头中的弯曲部分上的小滑动电极与接线电极相连的导电材料提供装置中，在增压到第一压强的氮气气流的辅助下，将导电材料提供到喷嘴组件的内部，该喷嘴组件限定了具有喷嘴孔的内部空间，导电材料能够穿过该喷嘴孔。在已经提供了导电材料之后，停止氮气气流，并且使该内部空间临时与外部空间相连通，从而降低内部空间中的压强。然后，将保持在设计为低于第一压强的第二压强的氮气提供到外部空间中，由此利用第二压强的作用将导电材料从喷嘴孔排出到外部。
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公开(公告)号：CN101097720A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710109555.X
申请日：2007-06-25
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 托马斯·R·阿尔布雷克特 , 小罗伯特·E·方塔纳 , 布鲁斯·A·格尼 , 蒂莫西·C·赖利 , 吴晓忠
CPC分类号： G11B5/40
摘要： 本发明提供一种用于在制造期间防止静电放电对磁致电阻传感器的损坏的结构。该结构包括在传感器的测试期间能断开且然后能转换回到导通以提供对传感器的ESD分流的开关元件。该开关可以是构建在滑块上的热启动机械继电器。该开关还可一是可编程电阻器，其包括夹在第一和第二电极之间的固态电解质。所述电极之一用作阳极。当电压沿第一方向施加时，跨电极穿过电解质形成离子桥，使电阻器导电。当电压沿第二方向施加时，离子桥消失且可编程电阻器变得基本不导电。另一可行的可编程电阻器使用相变材料，其能够根据特定热处理的应用而在非晶高电阻态和结晶低电阻态之间改变。
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公开(公告)号：CN100356605C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN02814459.7
申请日：2002-07-15
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B5/332 , G01R33/02 , G11B5/335 , Y10T29/49002 , Y10T428/1171
摘要： 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。
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公开(公告)号：CN101053021A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580035741.2
申请日：2005-10-24
申请人： 阿尔诺·威金斯有限公司
发明人： 保罗·詹姆士·戴维 , 德斯蒙德·詹姆士·马普斯 , 理查德·大卫·桑德斯
CPC分类号： B32B29/04 , B32B5/16 , B32B2250/40 , B32B2255/12 , B32B2264/105 , B32B2307/208 , B32B2425/00 , B32B2429/00 , G11B5/127 , G11B5/39
摘要： 一种从存储磁数据的可磁激活薄层制品上读取磁数据的方法。所述薄层制品包含一对层压外薄层(131、132)，在二层外薄层之间有一个包含存在于粘合剂基质中的可磁激活粒子的磁性层(130)。为了读取数据，采用一种薄膜磁阻传感器，其中传感器的形态各向异性在传感器纵轴的横断方向上得到增强。
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公开(公告)号：CN1584991A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410058822.1
申请日：2004-07-30
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 杰弗里·S.·莉莉
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/02 , G11B11/10536 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021
摘要： 一种磁头，其包括制作于磁头结构中的媒介加热器。媒介加热器制作有位于加热器层下面，加热器层之间和/或加热器层上面的扩散阻挡层和/或粘合层。扩散阻挡层防止构成加热器层的金属材料扩散到位于加热器下面和/或上面的层中，并且粘合层促进加热器与跟加热器相邻的磁头层的粘合。扩散阻挡层可以由钽，氮化钽，其他钽合金，钛，铑和钌构成，并且粘合层可以由钽，氮化钽，氧化钽，其他钽合金，钛，镍铁，铬，铂合金，镍合金和氧化铝构成。
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公开(公告)号：CN1573563A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047674.3
申请日：2004-05-28
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 奥玛·E·M.·卡玛丑 , 陈培杰 , 黄成一 , 蒂安纳·皮莱兹 , 孙永健
CPC分类号： G11B5/3173 , G03F7/40 , G03F7/405 , G11B5/102
摘要： 描述了一种采用光致抗蚀剂作为掩模的离子铣削方法。在一种优选实施方式中本发明被用于制造用在磁存储设备中的滑块上的空气支承特征。按照本发明，液体或干光致抗蚀剂被涂敷、显影和去除，如在包括烘烤步骤的现有技术中那样。本发明的实施方式除被用于光刻法中的烘烤步骤之外包括附加烘烤步骤。该附加烘烤步骤最好在离子铣削之前立即被执行。如本发明的附加烘烤步骤获得离子铣削的深度的增加的均匀性，这被认为是由光致抗蚀剂中的例如水之类的挥发性材料的减少引起的。当本发明被用作离子铣削滑块上的空气支承特征的制造方法的一部分时，所述特征更均匀，这改进整体质量和性能。
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公开(公告)号：CN1333534A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01123139.4
申请日：2001-07-17
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 姆斯塔法·皮纳巴塞
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F41/306
摘要： 具有低而稳定耦合场的自旋阀的制作方法包括氧暴露步骤。使用离子束溅射方法沉积第一铁磁层。其第一表面暴露到氧分压大约为5×10－6Torr中。氧被物理吸附到第一表面。在间隔层沉积之前,氧分压迅速减小。间隔层具有第二表面,用氧对其处理。在第二铁磁层沉积之前,氧分压迅速减小。氧的表面吸附限制了层间的混合并减小了表面粗糙度,导致减小了自旋阀的耦合场。耦合场在强烘烤退火中是稳定的。磁阻率也显著增强。
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