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公开(公告)号：CN114125205B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110273273.3
申请日：2021-03-15
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明题为“用于相机系统中的透镜和图像传感器的独立移动控制的光学设备”。本公开的方面涉及有利于独立控制相机系统中的透镜和图像传感器的移动的光学设备和相关方法。在一个示例中，图像传感器能够独立于透镜并且相对于该透镜移动，并且该透镜能够独立于该图像传感器移动。在一个示例中，光学设备包括透镜和设置在该透镜下方的图像传感器。该图像传感器能够相对于该透镜移动。该光学设备包括围绕该透镜设置的多个磁体、在一个或多个竖直平面中盘绕的多个竖直线圈结构以及在一个或多个水平平面中盘绕的一个或多个水平线圈结构。该多个竖直线圈结构被配置为在通电时使该图像传感器相对于该透镜移动。该一个或多个水平线圈结构被配置为在通电时使该透镜移动。
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公开(公告)号：CN113873104A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110273274.8
申请日：2021-03-15
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明题为“用于相机系统中的透镜和图像传感器的独立移动控制的光学设备”。本公开的方面涉及有利于独立控制相机系统中的透镜和图像传感器的移动的光学设备和相关方法。在一个示例中，图像传感器能够独立于透镜并且相对于该透镜移动，并且该透镜能够独立于该图像传感器移动。在一个示例中，光学设备包括透镜和设置在该透镜下方的图像传感器。该图像传感器能够相对于该透镜移动。该光学设备包括围绕该透镜设置的多个磁体、在一个或多个竖直平面中盘绕的多个竖直线圈结构以及在一个或多个水平平面中盘绕的一个或多个水平线圈结构。该多个竖直线圈结构被配置为在通电时使该图像传感器相对于该透镜移动。该一个或多个水平线圈结构被配置为在通电时使该透镜移动。
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公开(公告)号：CN113196391A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202080006641.1
申请日：2020-03-19
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开总体上涉及一种采用磁记录头的磁介质驱动器。所述磁记录头包括第一写磁头、第二写磁头、至少一个读磁头以及温度悬浮量控制元件。所述第一写磁头是包括第一主极和第一后屏蔽件的宽写写磁头。所述第二写磁头是包括第二主极、后间隙、第二后屏蔽件和一个或多个侧屏蔽件的窄写写磁头。相比于所述第二主极，所述第一主极具有较短高度和较大宽度。所述第二主极具有安置成邻近于所述后间隙的弯曲或U形表面。所述温度悬浮量控制元件和所述至少一个读磁头与所述第二写磁头的所述第二主极的中心轴线对齐。
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公开(公告)号：CN104821171B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510178423.7
申请日：2015-01-30
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明公开了磁传感器及其制造方法以及磁数据记录系统。一种磁传感器，具有第一传感器叠层部分，该第一传感器叠层部分包括自由层、非磁间隔或阻挡层、以及被钉扎层结构的一部分。该传感器具有形成在第一传感器叠层部分上面的第二传感器叠层部分。第二传感器叠层部分包括被钉扎层结构的第二部分和形成在上面的反铁磁材料层。第一传感器叠层部分形成有定义传感器的起作用的宽度和条高度的宽度和条高度，而上部可以被制造得更宽和更深而不影响传感器性能。由于与图案化整个传感器叠层所需的结构相比，第一传感器叠层部分的图案化在更薄的结构上进行，所以能够以更小的尺寸和更高的分辨率来进行图案化。
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公开(公告)号：CN117652232A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280049375.X
申请日：2022-05-06
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开一般涉及包括拓扑绝缘体(TI)调制层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)器件。TI调制层包括多个铋或富含铋的组分调制层、包括具有(012)晶体取向的BiSb的多个TI薄片层、以及多个织构化层。TI薄片层包含掺杂剂或原子簇，该原子簇包含碳化物、氮化物、氧化物或复合陶瓷材料。原子簇被配置为具有小于约400℃的晶界玻璃形成温度。用包含碳化物、氮化物、氧化物或复合陶瓷材料的原子簇掺杂包含具有(012)晶体取向的BiSb的TI薄片层使得SOT MTJ器件能够在较高温度下操作，同时抑制Sb从TI薄片层的BiSb迁移。
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公开(公告)号：CN113196391B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202080006641.1
申请日：2020-03-19
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开总体上涉及一种采用磁记录头的磁介质驱动器。所述磁记录头包括第一写磁头、第二写磁头、至少一个读磁头以及温度悬浮量控制元件。所述第一写磁头是包括第一主极和第一后屏蔽件的宽写写磁头。所述第二写磁头是包括第二主极、后间隙、第二后屏蔽件和一个或多个侧屏蔽件的窄写写磁头。相比于所述第二主极，所述第一主极具有较短高度和较大宽度。所述第二主极具有安置成邻近于所述后间隙的弯曲或U形表面。所述温度悬浮量控制元件和所述至少一个读磁头与所述第二写磁头的所述第二主极的中心轴线对齐。
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公开(公告)号：CN113848517A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110254168.5
申请日：2021-03-09
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明题为“使用双自由层的磁传感器电桥”。本公开整体涉及利用双自由层(DFL)结构的传感器装置，诸如磁传感器电桥。该装置包括多个电阻器，每个电阻器包括相同的DFL结构。与DFL结构相邻的是磁性结构，该磁性结构可包括永磁体、其上具有合成AFM(SAF)结构的反磁铁(AFM)层、其上具有SAF结构的永磁体或者其上具有铁磁层的AFM层。DFL结构与磁性结构的不同层对准以区分电阻器。不同的对准和/或不同的磁性结构由于降低的复杂性而减少了生产时间，从而降低了成本。
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公开(公告)号：CN109690338B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780055834.4
申请日：2017-09-14
申请人： 西部数据技术公司
发明人： P·A·凡德赫顿 , Q·勒 , K·S·霍 , X·刘 , G·M·巴奥德阿布克尔克
摘要： 本发明公开了一种磁传感器，所述磁传感器基于逆自旋霍尔效应产生信号。所述传感器包括磁性自由层和定位在相邻于所述磁性自由层的非磁性导电自旋霍尔层。电路被配置成供应电流，所述电流在大体垂直于所述层的平面或垂直于由在所述磁性自由层和所述自旋霍尔层之间的界面限定的平面的方向上穿过所述磁性自由层和所述自旋霍尔层。所述逆自旋霍尔效应由于所述电流引起所述自旋霍尔层中的电压，并且所述电压相对于所述磁性自由层的磁化的取向而改变。提供了用于测量在大体垂直于所述电流的方向的方向上所述自旋霍尔层中的所述电压的电路。
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公开(公告)号：CN117795598A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280049424.X
申请日：2022-05-06
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开一般涉及自旋轨道矩(SOT)磁性隧道结(MTJ)器件，其包括缓冲层、设置在缓冲层上的具有(012)取向的铋锑(BiSb)层、以及设置在BiSb层上的夹层。缓冲层和夹层可以各自独立地为单层材料或多层材料。缓冲层和夹层各自包括共价键合的非晶材料、四方(001)材料、四方(110)材料、体心立方(bcc)(100)材料、面心立方(fcc)(100)材料、织构化bcc(100)材料、织构化fcc(100)材料、织构化(100)材料或非晶金属材料中的至少一种。缓冲层和夹层抑制锑(Sb)在BiSb层内的迁移并提高BiSb层的均匀性，同时进一步促进BiSb层的(012)取向。
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公开(公告)号：CN110418973B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880018984.2
申请日：2018-03-02
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本发明提供了使用自旋霍尔效应的磁传感器及其制造方法。一种此类磁传感器包括：自旋霍尔层，该自旋霍尔层包含导电的非磁性材料；磁性自由层，该磁性自由层与自旋霍尔层相邻；一对推动端子，该一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于自由层和自旋霍尔层的平面的方向上穿过磁性自由层和自旋霍尔层；和一对感测端子，该一对感测端子被配置成感测当电流穿过磁性自由层和自旋霍尔层时的电压，其中推动端子和感测端子中的每一者与其他端子电隔离。
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