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公开(公告)号:CN116121869B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202310154647.9
申请日:2023-02-23
申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要: 本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH),分子量为209.52,采用水热法或室温溶液法制成,属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a=20.151(9)Å,b=7.770(3)Å,c=11.519(5)Å,α=90°,β=117.225(5)°,γ=90°,单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体,通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体,紫外截止边低于200 nm,双折射率为0.049@1064 nm,该晶体的化学稳定性良好,能够用于制作各种用途的偏光棱镜,相位延迟器件和电光调制器件,例如,格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等,在光学和通讯领域有重要作用。
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公开(公告)号:CN118814278A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410811866.4
申请日:2024-06-21
申请人: 武汉拓材科技有限公司
IPC分类号: C30B35/00 , C30B29/40 , C30B28/04 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , F26B11/14 , F26B21/00 , F26B25/00 , F26B25/02 , F26B25/04
摘要: 本发明涉及磷化铟多晶制备技术领域,具体为一种磷化铟多晶的制备方法及装置,包括支撑底座,所述支撑底座的上表面固定连接有承载盘,所述承载盘的底端内壁中间位置设置有连接机构,所述承载盘的底端内壁呈圆周阵列依次分布有上下料机构、浸泡机构、冲洗机构和烘干机构,所述承载盘的底端内壁设置有辅助机构,用于装载磷化铟尾料进行处理的承载机构,通过上下料机构、浸泡机构、冲洗机构和烘干机构的圆周设置,可以实现对磷化铟多晶进行制备时,将多个处理步骤逐步循环进行,使得对磷化铟尾料的多个处理步骤连续进行,提高磷化铟多晶的制备效率,降低多个处理步骤之间衔接的时间长度。
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公开(公告)号:CN118756334A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410979828.X
申请日:2024-07-22
申请人: 大庆溢泰半导体材料有限公司
摘要: 一种磷化铟多晶合成的系统及方法,涉及多晶合成技术领域,包括高压腔体、加热体和石英管,石英管和加热体都位于高压腔体内,加热体位于石英管的外侧,加热体具有高温区和低温区,石英管内的一端放置用于盛放红磷的石英舟,石英管内的另一端放置用于盛放铟的石英舟,除加热体和石英管以外的高压腔体的内容积等于石英管的内容积,高压腔体内放置红磷,高压腔体内红磷的量与石英管内红磷的量相同,高压腔体内的红磷和石英管内的红磷都位于加热体的低温区。本发明极大的确保了石英管内外磷的P2和P4两种形式的转化情况高度一致,进而确保石英管内外压差维持在合理的范围内,确保石英管不会炸管。
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公开(公告)号:CN118357471B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410772775.4
申请日:2024-06-17
申请人: 深圳市哈深智材科技有限公司
摘要: 本发明属于金属颗粒材料制备领域,涉及一种多晶结构银颗粒的制备方法、银颗粒及银浆,方法包括:使前驱体溶液和分散剂溶液进行第一混合,得到第一混合溶液,使第一混合溶液与银离子溶液和还原剂溶液进行第二混合,得到第二混合溶液;反应后,将混合溶液固液分离得到多晶结构银颗粒;第二混合包括第一步骤或第二步骤;第一步骤为同时加入银离子溶液和还原剂溶液;第二步骤为加入还原剂溶液混合后,得到第三混合溶液,向第三混合溶液中加入银离子溶液,制备方法还包括引入有机活性剂,前驱体溶液为银胶体粒子溶液,包括球状银胶体粒子和多面体状银胶体粒子,有机活性剂含有C=O键、C‑N键中的一种或多种,能够显著提高银颗粒的烧结活性。
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公开(公告)号:CN116136028B
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202111370724.1
申请日:2021-11-18
申请人: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
摘要: 本发明公开了一种无机非线性光学晶体,涉及一种水合氟钨酸钾非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式是K2WO3F2·H2O,属于单斜晶系,空间群为Pm,晶胞参数是#imgabs0##imgabs1#α=γ=90°,β=98.453(9),#imgabs2#采用简单的水热法生长出了纯相的水合氟钨酸钾晶体。该晶体在可见‑近红外光区具有高的光学反射率,其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)的6倍,并能够实现相位匹配。该晶体易于合成、稳定性好、不潮解、机械性能良好,在全固态激光器、光电调制器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号:CN117947019B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410152825.9
申请日:2024-02-03
申请人: 南京大学
IPC分类号: C12N15/10 , C30B7/14 , C30B29/58 , C30B28/04 , B22F1/102 , B22F1/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明公开了一种尺寸为亚毫米的DNA折纸晶体的制备方法,包括如下步骤:(1)制备A型八面体DNA折纸单体和B型八面体DNA折纸单体;(2)在八面体DNA折纸单体内部嵌入金纳米颗粒;(3)提高八面体DNA折纸单体的浓度;(4)选择恰当的温度,通过恒温生长的方式将八面体DNA折纸单体制备形成亚毫米三维DNA折纸晶体。本发明以恒温结晶的方式,实现了亚毫米级别的DNA折纸晶体的制备;实现了对DNA折纸晶体尺寸定性的控制。为制备基于DNA折纸晶体的功能化器件提供了更多的可能性。
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公开(公告)号:CN118422331A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410607800.3
申请日:2024-05-16
申请人: 北京理工大学
摘要: 本发明属于纳米材料制备与多晶薄膜制备技术领域,旨在解决现有技术中采用两步沉积方式制备多晶薄膜对于制备环境敏感、不利于工业化和以及多晶薄膜完整度欠佳的问题。本发明提供一种采用两步沉积方式制备多晶薄膜的方法,该方法包括:将预先制备完成的卤化铅前驱液涂布在基底上;将具有设定溶剂的溶液涂布在具有卤化铅前驱液的基底上;对经过两步涂布后的薄膜进行退火处理,以得到多晶薄膜;其中,设定溶剂包括异丁醇、异戊醇、碳酸丙烯酯和碳酸亚乙酯中的至少一种。本发明能够实现在低水氧值和高湿度环境下均能够制备出高质量的多晶薄膜,降低对制备环境的依赖性,制备方式简单,实验重复性高,利于工业化,薄膜质量一致性好且具有环境普适性。
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公开(公告)号:CN118048679A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410138522.1
申请日:2024-01-31
申请人: 中建材创新科技研究院有限公司 , 北新集团建材股份有限公司 , 中国建材集团有限公司
IPC分类号: C30B7/14 , H04N23/61 , H04N23/67 , H04N23/695 , H04N23/80 , C30B28/04 , C30B29/46 , G16C20/80 , G06T17/00
摘要: 一种石膏晶体生长观测方法和装置,所述方法包括:析晶,将含有反应所需离子的两种不同原料加入反应器中反应;其中,所述反应器底部设置有隔离装置,所述隔离装置将所述反应器的底部空间分隔成两个独立的空间,所述两种不同原料分别被加入至所述隔离装置分隔形成的不同的空间中,并在所述隔离装置和所述反应器的加料口之间的空间中反应形成析晶,并使晶体长大;取相,通过取相记录仪器对所述反应器进行环扫,观察晶体生长情况并取相记录。本申请所述方法和装置,易于获取、操作简单,可观测气液反应或液液反应中的晶体生长过程。
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公开(公告)号:CN117947019A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410152825.9
申请日:2024-02-03
申请人: 南京大学
IPC分类号: C12N15/10 , C30B7/14 , C30B29/58 , C30B28/04 , B22F1/102 , B22F1/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要: 本发明公开了一种尺寸为亚毫米的DNA折纸晶体的制备方法,包括如下步骤:(1)制备A型八面体DNA折纸单体和B型八面体DNA折纸单体;(2)在八面体DNA折纸单体内部嵌入金纳米颗粒;(3)提高八面体DNA折纸单体的浓度;(4)选择恰当的温度,通过恒温生长的方式将八面体DNA折纸单体制备形成亚毫米三维DNA折纸晶体。本发明以恒温结晶的方式,实现了亚毫米级别的DNA折纸晶体的制备;实现了对DNA折纸晶体尺寸定性的控制。为制备基于DNA折纸晶体的功能化器件提供了更多的可能性。
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公开(公告)号:CN114956110B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202210473394.7
申请日:2022-04-29
申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要: 本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用,该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,属于单斜晶系,空间群是P21/c,晶胞参数a=8.175(3)Å,b=7.927(2)Å,c=14.096(4)Å,β=120.219(17),V=789.3(4)Å3,Z=4,采用室温溶液法或水热法生长晶体,该晶体紫外透过截止边为180 nm,双折射率约为0.109(532 nm)。本发明所述的三羟基氯三硼酸铯双折射晶体机械硬度适中,易于生长、切割、抛光加工和保存;具有较大的双折射率;在光学和通讯领域有重要应用,可用于制作偏振分束棱镜,相位延迟器件和电光调制器件等。
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