-
公开(公告)号：CN114956110B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210473394.7
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.175(3)Å，b=7.927(2)Å，c=14.096(4)Å，β=120.219(17)，V=789.3(4)Å3，Z=4，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.109（532 nm）。本发明所述的三羟基氯三硼酸铯双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
公开(公告)号：CN114920257B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210472500.X
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物六羟基氯四硼酸铯和六羟基氯四硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，采用温和的溶剂蒸发法制成，该晶体化学式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.3917(3)Å，b=11.9993(4)Å，c=12.7815(4)Å，β=127.856(2)，V=1016.18(6)Å3，Z=4。其紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.123（532 nm）。采用温和的室温溶液法或水热法生长晶体，通过本发明所述方法获得的六羟基氯四硼酸铯双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
公开(公告)号：CN114956110A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210473394.7
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl，分子量为299.81，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.175(3) Å，b=7.927(2) Å，c=14.096(4) Å，β=120.219(17)，V=789.3(4) Å3，Z=4，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.109（532 nm）。本发明所述的三羟基氯三硼酸铯双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
公开(公告)号：CN116288710A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310154913.8
申请日：2023-02-23
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2（0＜x＜2)，采用真空封装法制备；该晶体化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2（0＜x＜2)，属于正交晶系，空间群为Pna21，单胞参数为a=7.6377(5)±0.04Å,b=11.2135(6)±0.02Å,c=6.6099(3)±0.02Å,Z=2；采用真空封装法，室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边低于190 nm。非线性光学效应约为KH2PO4（KDP）的1.2‑2.5倍。该晶体制备方法简单，所使用的起始原料毒性低，对人体危害小，物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN114808125A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210472661.9
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，属于六方晶系，空间群是P63/m，晶胞参数a=13.7234(9)Å，b=13.7234(9)Å，c=6.5167(5)Å，V=1062.87(16)Å3，Z=2，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.120（532 nm）。本发明所述的九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
公开(公告)号：CN114808125B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210472661.9
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物九羟基三氯七硼酸三铷和九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为Rb3[B(OH)3][B3O3(OH)3]2Cl3，分子量为687.50，属于六方晶系，空间群是P63/m，晶胞参数a=13.7234(9)Å，b=13.7234(9)Å，c=6.5167(5)Å，V=1062.87(16)Å3，Z=2，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.120（532 nm）。本发明所述的九羟基三氯七硼酸三铷双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
公开(公告)号：CN114920257A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210472500.X
申请日：2022-04-29
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明涉及一种化合物六羟基氯四硼酸铯和六羟基氯四硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，采用温和的溶剂蒸发法制成，该晶体化学式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl，分子量为361.65，属于单斜晶系，空间群是P21/c，晶胞参数a=8.3917(3)Å，b=11.9993(4)Å，c=12.7815(4)Å，β=127.856(2)，V=1016.18(6)Å3，Z=4。其紫外透过截止边为180 nm，双折射率约为0.123（532 nm）。采用温和的室温溶液法或水热法生长晶体，通过本发明所述方法获得的六羟基氯四硼酸铯双折射晶体机械硬度适中，易于生长、切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.026 秒)
