公开(公告)号：CN118854349A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410893407.5

申请日：2024-07-04

申请人： 华中师范大学

发明人： 王舟舟 ,  史雅然 ,  余颖 ,  邢卓 ,  邱明强

IPC分类号： C25B11/091 ,  C25B11/061 ,  C25B11/063 ,  C25B11/065 ,  C25B11/03 ,  C25B11/052 ,  C25B1/04 ,  C01G51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种钨掺杂的钼酸钴材料及其制备方法和应用。该钨掺杂的钼酸钴材料包括导电基底和生长在导电基底上的钨掺杂的钼酸钴纳米片，呈现交错的片层结构，形成纳米片阵列，钨掺杂的钼酸钴的结构式为CoMo1‑xWxO4，其中x为0.03‑0.20。通过将钴盐、钼酸盐、尿素和氟化铵混合后，再加入钨酸盐，最后与导电基底混合进行水热反应制备得到。该钨掺杂的钼酸钴材料具有丰富的活性位点和稳定的材料结构，展示出了优异的中性水氧化催化活性和耐久性；且制备过程简单，无需烧结即可形成形貌均一且尺寸较大的纳米片结构，条件温和，降低了生产能耗，有利于工业化推广应用。

公开(公告)号：CN118581508A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410696462.5

申请日：2024-05-31

申请人： 重庆师范大学

发明人： 郭小龙 ,  吴用 ,  辛雨慈 ,  余鹏

IPC分类号： C25B11/091 ,  C25B11/03 ,  C25B11/061 ,  C25B11/052 ,  C01G53/00 ,  C25B1/04 ,  C01B32/198 ,  C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  C09K11/65 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明的超薄NiFe LDH纳米片阵列，所述纳米片阵列为极薄的交错纳米片生长在导电基底上形成的单分散二维结构，所述纳米片阵列的厚度为3.5‑4.8nm；其制备方法包括以下步骤：将镍盐、铁盐和钠盐的混合水溶液加热后浸入导电基底，清洗烘干后进行刻蚀，制得超薄NiFe LDH纳米片阵列u‑NiFe LDH；通过简易的方法即能实现对LDH催化剂的超薄纳米片阵列的制备，够提高OER活性和稳定性，通过超薄NiFe LDH纳米片阵列与GQDs复合制备的超薄GQDs/u‑NiFe LDH阵列具有十分优异的析氧电催化性能，在电流密度10mA cm‑2时，其过电位可以仅为156mV。

公开(公告)号：CN118461062A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410317521.3

申请日：2024-03-20

申请人： 武汉纺织大学

发明人： 武明杰 ,  杨思怡 ,  陶林 ,  杨应奎 ,  刘学琴 ,  罗继安 ,  徐英惠 ,  张政 ,  杜磊

IPC分类号： C25B11/093 ,  H01M8/18 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  C25B11/052 ,  C25B11/03 ,  C25B11/061 ,  C25B11/065 ,  C25B1/04 ,  C25D9/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请提供了一种银掺杂过渡金属羟基氧化物及其制备方法和应用，属于高性能析氧反应催化剂制备技术领域，包括以下步骤：对导电基底进行预处理，以去除导电基底表面的杂质或氧化层；在三电极系统中，将经过预处理后的导电基底作为工作电极，以过渡金属盐溶液作为电解质，在恒电位条件下通过电沉积法在导电基底表面制备过渡金属氢氧化物纳米片阵列，得到表面修饰的导电基底；将表面修饰的导电基底置于银盐溶液中浸泡处理，得到银掺杂过渡金属羟基氧化物。本申请制备的银掺杂过渡金属羟基氧化物具有显著的催化活性和高稳定性。

公开(公告)号：CN118055908A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280065620.6

申请日：2022-07-05

申请人： 六号元素技术有限公司 ,  沃里克大学

发明人： J·J·图里 ,  G·伍德 ,  I·M·特雷罗罗德里格斯 ,  J·V·麦克弗森 ,  M·E·牛顿 ,  T·P·莫拉特 ,  H·扎瑞恩

IPC分类号： C02F1/467 ,  C02F1/461 ,  C25B1/13 ,  C25B11/044 ,  C25B11/03

摘要： 一种电极和形成电极的方法，该电极由硼掺杂的金刚石形成，该电极具有经历了烧蚀表面改性处理的总的溶液可及电极区域，并且包含至少60％的金刚石稳定的非金刚石碳。还公开了包含该电极的电化学电解池。

公开(公告)号：CN114574887B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202210267373.X

申请日：2022-03-17

申请人： 阳光氢能科技有限公司

发明人： 王广玉 ,  叶志烜

IPC分类号： C25B11/03 ,  C25B1/04 ,  C25B9/19 ,  B21D22/02

摘要： 本发明提供了电解槽极板及电解槽，所述电解槽极板包括主极板以及所述主极板外周的密封面，所述主极板和密封面一体成型，所述密封面上设置有周向的隔膜密封台，所述隔膜密封台将所述主极板和密封面隔开，所述密封面上分别开设有气道和液道，所述气道和液道均穿透所述隔膜密封台与所述主极板连通，所述电解槽极板为一体式结构。本发明提供的电解槽极板为无极框、一体式结构，直接通过整体模压成型即可得到，简化了极板加工工序，大幅度降低了电解槽的质量；并且极板无焊缝，有效防止了焊接应力腐蚀和焊接变形问题的出现。此外，本发明提供的电解槽极板适用于不同产气量和不同直径的电解槽，适用性广。

公开(公告)号：CN109690840B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201780054010.5

申请日：2017-09-05

申请人： 巴璀翁股份有限公司

发明人： M·埃布内 ,  F·格尔德马赫 ,  M·科里 ,  D·波济吉特

IPC分类号： H01M4/139 ,  C25B11/03 ,  H01M4/04 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/587 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明涉及一种向制品(020)施加磁场的方法，该制品特别是层或涂层制品，更具体地涉及具有石墨颗粒的涂层，优选用于制造具有对齐的石墨颗粒的负极，例如用于快速充电的锂离子电池。特别是，磁场的施加应该是连续的。为此，具有永磁体(010)的磁性工具用于施加磁场，其中制品相对于磁性工具移动。特别是在干燥阶段施加。(030)开始之前和/或干燥阶段期间进行磁场的

公开(公告)号：CN116770360A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310438903.7

申请日：2023-04-23

申请人： 南开大学

发明人： 程方益 ,  王宵 ,  于勐 ,  刘芳名 ,  陈溪洁 ,  李海霞 ,  陈军

IPC分类号： C25B11/095 ,  C25B1/04 ,  C25D11/02 ,  C25B11/03 ,  C25B11/061

摘要： 本申请公开了一种电解海水析氧催化剂及其制备方法，所述电解海水析氧催化剂是采用阳极氧化法在金属基底上原位电化学沉积的过渡金属及聚吡咯复合物；有效解决现有基于过渡金属基材料的OER催化剂在安培级大电流下长期服役效果差、不能满足工业电解水、电解海水应用要求的问题。

公开(公告)号：CN114452982B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202011139034.0

申请日：2020-10-22

申请人： 陕西科技大学

发明人： 黄剑锋 ,  海国娟 ,  曹丽云 ,  冯亮亮

IPC分类号： B01J23/888 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  C25B11/03

摘要： 本发明涉及一种W18O49/CoO/CoWO4/NF自支撑电催化材料及其制备方法，所述W18O49/CoO/CoWO4/NF自支撑电催化材料包括：泡沫镍基材、以及原位形成在泡沫镍基底上的W18O49/CoO/CoWO4复合材料；优选地，其中所述W18O49/CoO/CoWO4复合材料为CoO/CoWO4复合纳米片以及分布在CoO/CoWO4复合纳米片间的W18O49纳米线。

公开(公告)号：CN111939939B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202010819758.3

申请日：2020-08-14

申请人： 燕山大学

发明人： 周军双 ,  周恒 ,  郝卓然 ,  边颖 ,  徐嘉宝 ,  郭超杰 ,  刘晴晴 ,  高发明

IPC分类号： C25B1/04 ,  C25B11/03 ,  C25B11/052 ,  C01G53/00

摘要： 本发明属于电催化领域，具体是一步合成耐高温耐强碱的高效NiFeS‑OH析氧催化剂的方法。将泡沫镍先后用稀盐酸，乙醇，蒸馏水浸泡超声预处理，0.2～0.5g六水合硝酸铁溶于15mL蒸馏水与5ml乙二醇混合溶液中，0.02～0.08g升华硫溶于30mL甲苯或二甲苯溶液中，两种溶液混合，得到有界面分层的溶液，将泡沫镍片置于上述溶液中，在马费炉中煅烧，冷却后用蒸馏水洗净即得。本发明方法在高温下反应，羟基为配位基团，升华硫与铁离子原位生长到泡沫镍上，从而制备出耐高温耐强碱的高效NiFeS‑OH析氧催化剂，满足工业生产中耐高温耐强碱的生产环境，析氧过电位低，对环境保护和资源利用具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN112095117B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202010857283.7

申请日：2020-08-24

申请人： 西安工程大学

发明人： 曹得重

IPC分类号： C25B11/03 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C23C28/00 ,  C25F3/12 ,  C23C16/34 ,  C25B1/55 ,  C23C14/24 ,  C23C14/18

摘要： 本发明公开了一种InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极；本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。