一种钨掺杂钼酸钴材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118854349A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410893407.5

    申请日:2024-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种钨掺杂的钼酸钴材料及其制备方法和应用。该钨掺杂的钼酸钴材料包括导电基底和生长在导电基底上的钨掺杂的钼酸钴纳米片,呈现交错的片层结构,形成纳米片阵列,钨掺杂的钼酸钴的结构式为CoMo1‑xWxO4,其中x为0.03‑0.20。通过将钴盐、钼酸盐、尿素和氟化铵混合后,再加入钨酸盐,最后与导电基底混合进行水热反应制备得到。该钨掺杂的钼酸钴材料具有丰富的活性位点和稳定的材料结构,展示出了优异的中性水氧化催化活性和耐久性;且制备过程简单,无需烧结即可形成形貌均一且尺寸较大的纳米片结构,条件温和,降低了生产能耗,有利于工业化推广应用。

    一种用于电解水析氧的二硫化钴/碳氮复合材料及其合成方法

    公开(公告)号:CN109847778B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN201910009039.2

    申请日:2019-01-04

    Abstract: 本发明涉及一种用于电解水析氧的二硫化钴/碳氮复合材料及其合成方法。该材料为多孔的十二面体结构,CoS2纳米颗粒被石墨碳包覆并均匀分布在十二面体碳氮框架上。其作为电解水阳极析氧催化剂在电解水析氧中表现出了极好的活性和超长时间稳定性,具有优异的性能,远远超过了贵金属Ru、Ir的催化性能,同时性能也远好于通过其他方法得到的非贵金属材料催化剂,在电解水析氧领域有很大的应用前景。

    一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114561649A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202011361120.6

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明涉及一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用。该材料为生长在块体镍衬底上的无定形的铁修饰羟基硫化镍纳米片阵列。通过两步氧化法制备得到,制备方法简单高效,且铁的掺入有利于提高催化剂的导电性,提升了电子的转移能力,从而促进了电解水析氧反应(OER)。该催化剂表现出了优异的OER催化活性,在电流密度下为10,100和500mA cm‑2时,所需过电势最低可至221,265和322mV,远低于纯的羟基硫化镍超薄纳米片阵列。同时,该催化剂能够在10~500mA cm‑2的电流密度下稳定运行。

    一种用于电解水析氧的二硫化钴/碳氮复合材料及其合成方法

    公开(公告)号:CN109847778A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910009039.2

    申请日:2019-01-04

    Abstract: 本发明涉及一种用于电解水析氧的二硫化钴/碳氮复合材料及其合成方法。该材料为多孔的十二面体结构,CoS2纳米颗粒被石墨碳包覆并均匀分布在十二面体碳氮框架上。其作为电解水阳极析氧催化剂在电解水析氧中表现出了极好的活性和超长时间稳定性,具有优异的性能,远远超过了贵金属Ru、Ir的催化性能,同时性能也远好于通过其他方法得到的非贵金属材料催化剂,在电解水析氧领域有很大的应用前景。

    一种二次铜锌电池
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110620270B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN201910824259.0

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明涉及一种二次铜锌电池。铜锌电池自1836年丹尼尔发明以来,一直被视为不可循环充放的一次电池。关于铜锌二次电池的发明和研究报道较少,更缺乏商业化的应用。本发明的铜锌电池利用碱性电解液来调节铜离子的可溶性,可实现铜在0价和+2价之间的转换,电池容量高,最高可达718mAh g‑1。本发明适用于所有铜的形态,既适用于纳米铜,又可以直接用铜片作为电极使用。经过活化的铜片表面可以生成纳米线结构,从而表现出优异的性能。本发明方法简单,适用广泛,具有商业化应用的前景。

    一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104947165A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510288549.X

    申请日:2015-05-29

    Inventor: 余颖 余罗 邱明强

    Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于:配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。

    一种钡修饰的铁羟基氧化物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117303515A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311433557.X

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本发明适用于电催化水分解技术领域,提供了一种钡修饰的铁羟基氧化物及其制备方法和应用,制备方法包括:通过水热法在具有多孔结构的金属泡沫基底上生长钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列。具体步骤包括,将具有大比表面积的金属泡沫置于聚四氟乙烯反应釜中,加入含有尿素、氟化铵、铁盐和钡盐的混合溶液中,进行水热反应,得到钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列。本发明利用一步水热法在金属泡沫基底上生长钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列,方法简单高效;并且将钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列作为中性水氧化电极,具有丰富的活性位点和独特的电子结构,展示出了优异的中性电解水催化活性和稳定性。

    一种铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116590739A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310415666.2

    申请日:2023-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列及其制备方法,涉及海水氧化催化剂技术领域,该硫化镍纳米片阵列为生长在泡沫镍基底上且由30~80 nm的纳米颗粒组装而成的粗糙纳米片阵列。该制备方法的具体步骤是:利用水热法制备得到氢氧化镍纳米片阵列作为自模板,将氢氧化镍纳米片阵列置于含有硫脲、Fe3+和MoO42‑的溶液中进行水热反应得到铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列。本发明开发独特的两步水热法,利用氢氧化镍纳米片作为自模板,将其转变为硫化镍的同时引入铁和钼原子,形成铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列,方法简单且高效,并且铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列作为碱性水和海水氧化电极,展示出了优异的催化活性和稳定性。

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