公开(公告)号：CN111617780B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010161524.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 华中师范大学

Inventor： 余颖 ,  黄楚强 ,  余罗 ,  邱明强

IPC: B01J27/051 ,  B01J27/24 ,  B01J35/00 ,  C25B1/04 ,  C25B11/04 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明涉及一种用于高效和稳定电解水制氢的氮掺杂镍钼基复合硫化物及其制备方法。该材料为自支撑的微米棒阵列结构，其中微米棒的表面由大量交叠的超薄纳米片组成，且N原子成功地掺杂到了镍钼基复合硫化物的晶格中，改变了材料的电子密度。该催化剂作为电解水制氢的工作电极，表现出了优异的催化活性和稳定性。此外，该催化剂拥有超优异的稳定性能，能够稳定工作1000个小时仍然保持性能不衰减，展现出广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104947165A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510288549.X

申请日：2015-05-29

Applicant: 华中师范大学

Inventor： 余颖 ,  余罗 ,  邱明强

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法，其特征在于：配制二价铜离子盐的酸溶液，调节溶液的pH值为弱酸性，作电解液，在电解液中加入氟的前驱物溶液，然后利用三电极系统，以清洗干净的导电玻璃为工作电极，Pt片为对电极，饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极，恒电压沉积，制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体，拥有独特的多孔网状结构，并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单，操作简易，反应条件温和，环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。

公开(公告)号：CN111617780A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010161524.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 华中师范大学

Inventor： 余颖 ,  黄楚强 ,  余罗 ,  邱明强

IPC: B01J27/051 ,  B01J27/24 ,  B01J35/00 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明涉及一种用于高效和稳定电解水制氢的氮掺杂镍钼基复合硫化物及其制备方法。该材料为自支撑的微米棒阵列结构，其中微米棒的表面由大量交叠的超薄纳米片组成，且N原子成功地掺杂到了镍钼基复合硫化物的晶格中，改变了材料的电子密度。该催化剂作为电解水制氢的工作电极，表现出了优异的催化活性和稳定性。此外，该催化剂拥有超优异的稳定性能，能够稳定工作1000个小时仍然保持性能不衰减，展现出广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104947165B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510288549.X

申请日：2015-05-29

Applicant: 华中师范大学

Inventor： 余颖 ,  余罗 ,  邱明强

IPC: C25D9/04

Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法，其特征在于：配制二价铜离子盐的酸溶液，调节溶液的pH值为弱酸性，作电解液，在电解液中加入氟的前驱物溶液，然后利用三电极系统，以清洗干净的导电玻璃为工作电极，Pt片为对电极，饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极，恒电压沉积，制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体，拥有独特的多孔网状结构，并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单，操作简易，反应条件温和，环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。