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公开(公告)号：CN103069533B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201180041298.5
申请日：2011-08-24
Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
Inventor： 多米尼克·克罗埃塔
IPC: H01J1/46 , H01J3/02 , H01J33/02 , G21K5/00 , H01J37/065
CPC classification number: H01J1/46 , G21K5/02 , H01J3/027 , H01J33/02 , H01J2203/022
Abstract: 本发明涉及一种用于电子束产生装置的控制网格（112），所述控制网格包括在宽度方向上按行（R）排列且在高度方向上按列（C）排列的孔（122），其中成一行的所述孔（122）的大多数具有相同的尺寸，且其中至少一行的所述孔的所述尺寸不同于另一行的所述孔的所述尺寸。
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公开(公告)号：CN103069533A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041298.5
申请日：2011-08-24
Applicant: 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
Inventor： 多米尼克·克罗埃塔
IPC: H01J1/46 , H01J3/02 , H01J33/02 , G21K5/00 , H01J37/065
CPC classification number: H01J1/46 , G21K5/02 , H01J3/027 , H01J33/02 , H01J2203/022
Abstract: 本发明涉及一种用于电子束产生装置的控制网格（112），所述控制网格包括在宽度方向上按行（R）排列且在高度方向上按列（C）排列的孔（122），其中成一行的所述孔（122）的大多数具有相同的尺寸，且其中至少一行的所述孔的所述尺寸不同于另一行的所述孔的所述尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840822A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010145409.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2203/022 , H01J2329/4617
Abstract: 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源，提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)，以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化，再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9)，并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且，从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞，在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。
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公开(公告)号：CN101026074A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm(2)，其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号：CN105374654A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410419359.2
申请日：2014-08-25
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J3/021 , H01J35/14 , H01J2203/022 , H01J2203/0224 , H01J2203/0236 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/52
Abstract: 本发明涉及一种电子源和使用了该电子源的X射线源。本发明的电子源具有至少两个电子发射区域，每个所述电子发射区域包含多个微型电子发射单元，所述微型电子发射单元包括：基极层、位于所述基极层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的开口、以及固定于所述基极层上与所述开口位置对应的电子发射体，同一个所述电子发射区域内的各所述微型电子发射单元之间具有电连接，同时发射电子或者同时不发射电子，不同的所述电子发射区域之间具有电隔离。
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公开(公告)号：CN101840822B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010145409.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/021 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2203/022 , H01J2329/4617
Abstract: 本发明提供一种冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源，提供能以简单的步骤对某种程度的面积以一次进行加工的冷阴极电子源的制造方法。本发明的冷阴极电子源的制造方法为在衬底(1)上重叠阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)，以溶剂溶解不会相溶的聚合物A、B并使其被覆在栅极电极的表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化，再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞(9)，并进行蚀刻而在栅极电极形成孔洞(6)。并且，从孔洞(6)进行蚀刻而在绝缘层也形成孔洞，在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源(10)。
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公开(公告)号：CN100585780C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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