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公开(公告)号：CN100521057C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610073823.2
申请日：2006-03-31
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0248 , H01J2329/4647
摘要： 本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底；面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底；在第一衬底上的电子发射单元，电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区；和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元。电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口，所述束通过所述开口。当到达像素的所述电子束的垂直直径是DBV且至少一个像素的垂直节距是PV时，垂直直径DBV和垂直节距PV满足：0.4＜DBV/PV＜1。
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公开(公告)号：CN1841638A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073823.2
申请日：2006-03-31
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0248 , H01J2329/4647
摘要： 本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底；面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底；在第一衬底上的电子发射单元，电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区；和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元。电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口，所述束通过所述开口。开口的长度是LV、像素的节距是PV，且LV和PV满足：0.25≤LV/PV≤0.60。
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公开(公告)号：CN100585780C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
摘要： 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号：CN101026074A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
摘要： 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm(2)，其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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