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公开(公告)号:CN103531422B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201310187294.9
申请日:2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括:基板,具有至少一个开口;粘附层,设置在基板上;以及网状电极,设置在基板上,粘附层在网状电极和基板之间,其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域,粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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公开(公告)号:CN106098503A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610564355.2
申请日:2016-07-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J35/065 , H01J2201/30461 , H01J2209/0223 , H01J2235/062
Abstract: 该发明属于石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法。冷阴极包括基片及其上的金属膜电极,各石墨烯场发射体及设于其间及顶层的绝缘介质加强层;生产方法为:基片的处理、石墨烯薄膜的制备、金属膜电极的设置、石墨烯的转移、单层及多层石墨烯带状电子注场发射冷阴极的制作。该发明设置金属膜电极、采用石墨烯作冷阴极的发射体,发射端通过切割而成,在外加电场下会产生极强的尖端效应,既有利于提高发射电流、又可有效地降低场发射阴极的工作电压;因而具有可有效降低带状电子注冷阴极的开启场和阈值场,发射电流大、功率高,电子注发射稳定性好、体积小,以及生产工艺简单、生产效率高并可确保器件性能的一致性,易于工业化生产等特点。
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公开(公告)号:CN102870189B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201180009961.3
申请日:2011-03-22
Applicant: 新鸿电子有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/4028 , A61B6/4064 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/30
Abstract: 多波束场致发射X?射线系统和相关方法,该系统包括阴极元件、与所述多个阴极元件相隔开的阳极组件,以及位于多个阴极元件和阳极组件之间的萃取门。该方法包括:在萃取门和至少其中一个阴极元件之间应用电位差,可使得各个阴极元件来发射电子;测量阴极元件的发射特性,并根据所测发射特性,调节萃取门和至少其中一个阴极元件之间的电位差。
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公开(公告)号:CN105575746A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610021701.2
申请日:2016-01-14
Applicant: 黄石上方检测设备有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J35/08 , H01J35/16 , H01J2235/062 , H01J2235/08 , H01J2235/16
Abstract: 本发明公开了一种环型碳纳米冷阴极X射线管,该X射线管可以包括X射线窗组件、壳体组件、冷阴极组件、栅极组件以及阳极组件;所述冷阴极组件包括内部中空的环型碳纳米冷阴极,所述阳极组件包括钨靶,所述钨靶垂直于所述阳极组件轴线方向设置于所述阳极组件与所述阴极组件对应一端。本申请提供的环型碳纳米冷阴极X射线管,结构简单合理,具有成像更清晰、便于量产、节能、对人辐射量小、可长时间工作、设备体积小等优点。为碳纳米冷阴极X射线管的大面积推广使用铺平了道路。
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公开(公告)号:CN102148121B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201010217367.0
申请日:2010-06-24
Applicant: 能资国际股份有限公司 , 贾淑瑜
CPC classification number: H01J1/304 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明提供一种X射线电子束产生器及其阴极。该X射线电子束产生器包含该阴极、一聚焦装置、一阳极靶以及一玻璃容器。该阴极包含一容器及一电子束发射体。该容器具有一基座及一侧壁,该侧壁环绕该基座,且该基座及该侧壁界定一凹槽。该电子束发射体包含至少一金属单元,各该至少一金属单元被以化学气相沉积法成长一碳膜层,且各该至少一金属单元被置放于该凹槽的一底部。该至少一金属单元与该X射线电子束产生器的一外部金属单元呈电性连接。该玻璃容器依序置放有该阴极、该聚焦装置及该阳极靶。各该至少一碳膜层面向该阳极靶。该玻璃容器具有一阀门及一窗口,该阀门用以将该玻璃容器抽成真空,该窗口用以射出一X射线。
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公开(公告)号:CN101569529B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200910139337.X
申请日:2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列,以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256),各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260),它与多个发射体元件和多个引出栅格连接,使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中,电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号:CN101466313B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN200780022268.3
申请日:2007-04-12
Applicant: 威廉博蒙特医院
Inventor: 张铁志
CPC classification number: A61B6/06 , A61B6/025 , A61B6/032 , A61B6/4028 , A61B6/4085 , A61B6/4405 , A61B6/4441 , A61B6/4488 , A61B6/466 , A61B6/583 , G21K1/025 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/70
Abstract: 一种对对象成像的方法,包括:把多个扇形x射线束(212)导向对象(P);检测由于所述引导多个x射线束而穿过所述对象(P)的x射线(212);以及从所检测到的x射线生成关于所述对象的多个成像数据。所述方法还包括:从所述多个成像数据形成三维锥形束计算机断层摄影、数字层析x射线照相组合或者兆伏电压图像;以及显示所述图像。
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公开(公告)号:CN1981360B
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200580022800.2
申请日:2005-05-23
Applicant: 卡伯特微电子公司
IPC: H01J35/04
CPC classification number: H01J35/065 , G21K5/02 , H01J35/08 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2235/086 , H01J2235/163
Abstract: 一种改进的x射线产生系统产生特别适用于大致柱形或球形的处理装置的收敛或发散的辐射图案。在一个实施方式中,该系统包括位于封闭或凹形的内壁周围的封闭或凹形的外壁。电子发射体位于该外壁的内侧表面,而靶膜位于该内壁的外侧表面。该发射体处的提取电压提取电子,通过加速电压,该电子被朝向该内壁加速。可选地,电子发射可以通过热离子装置。电子与该靶膜的碰撞造成x射线发射,x射线中有相当大一部分发射被定向为通过该内壁而进入到内壁限定的空间中。在一实施方式中,该发射体和靶膜的位置被颠倒,为收敛的图案设立反射而不是透射模式,而为发散的图案设立透射模式。
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公开(公告)号:CN101395691A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200780007029.0
申请日:2007-03-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J35/065 , H01J35/08 , H01J35/116 , H01J35/16 , H01J35/18 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2235/166 , H01J2235/168
Abstract: 一种多X射线发生器,用于使用X射线源的医疗设备或工业设备领域中的非破坏性X射线摄影、诊断等。从多电子束产生单元(12)中的电子发射元件(15)发射的电子束(e)受到透镜电极(19)的透镜作用。所得到的电子束(e)由阳极(20)的部分的透过型靶部(13)加速到最终电位。由透过型靶部(13)产生的多X射线束(x)通过真空室中的X射线遮蔽板(23)和X射线引出部(24),并且从壁部(25)的X射线引出窗口(27)被引出到大气中。紧凑的设备能够形成具有良好控制性的多X射线束。
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公开(公告)号:CN1981360A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200580022800.2
申请日:2005-05-23
Applicant: 卡伯特微电子公司
IPC: H01J35/04
CPC classification number: H01J35/065 , G21K5/02 , H01J35/08 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2235/086 , H01J2235/163
Abstract: 一种改进的x射线产生系统产生特别适用于大致柱形或球形的处理装置的收敛或发散的辐射图案。在一个实施方式中,该系统包括位于封闭或凹形的内壁周围的封闭或凹形的外壁。电子发射体位于该外壁的内侧表面,而靶膜位于该内壁的外侧表面。该发射体处的提取电压提取电子,通过加速电压,该电子被朝向该内壁加速。可选地,电子发射可以通过热离子装置。电子与该靶膜的碰撞造成x射线发射,x射线中有相当大一部分发射被定向为通过该内壁而进入到内壁限定的空间中。在一实施方式中,该发射体和靶膜的位置被颠倒,为收敛的图案设立反射而不是透射模式,而为发散的图案设立透射模式。
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