公开(公告)号：CN103531422B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310187294.9

申请日：2013-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度润 ,  金勇哲 ,  金一焕 ,  朴相铉 ,  郑太远

IPC: H01J35/04 ,  H01J35/24

CPC classification number: H01J19/24 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/02 ,  H01J3/021 ,  H01J9/02 ,  H01J31/127 ,  H01J35/06 ,  H01J35/065 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2203/0208 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068 ,  H01J2329/4608 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。

公开(公告)号：CN112175610B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010624634.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇哲 ,  郑钟元

IPC: C09K11/61 ,  H05B33/14

Abstract: 提供发光化合物、其制备方法及包括其的发光器件，所述发光化合物由式1表示，其中，在式1中，A1、A2、B1、B2、n、m、和X如说明书中定义。式1[A1nA2(3‑n)][B1mB2(2‑m)]X5。

公开(公告)号：CN104007129A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310587432.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑太远 ,  金勇哲 ,  金一焕 ,  金度润 ,  朴相铉

IPC: G01N23/04 ,  G03B42/02 ,  A61B6/00 ,  H05G1/30 ,  H01J31/49 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J35/065 ,  H01J19/42 ,  H01J35/045 ,  H01J35/06 ,  H01J35/14 ,  H01J35/24 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/00 ,  H05G1/02

Abstract: 本公开提供一种包括平板型X射线发生器的X射线成像系统、X射线发生器以及电子发射装置。该X射线成像系统包括：X射线发生器，包括二维布置并被独立地驱动的多个X射线发生单元；以及X射线检测器，提供为与X射线发生器间隔开使物体位于两者之间，并包括对应于多个X射线发生单元的多个X射线检测单元。

公开(公告)号：CN112574741A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010580565.7

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙柱 ,  金勇哲

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/26

Abstract: 发光材料、制备其的方法、和包括其的发光器件，所述发光材料由式1表示，在式1中的A1、A2、B、X1、X2、n和m如说明书中所定义。式1[A1nA23][B2][X1mX25]。

公开(公告)号：CN108630816A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810208331.2

申请日：2018-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇哲

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/142 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/18 ,  H01L51/4246 ,  Y02E10/549 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56

Abstract: 提供包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置。所述光电转换器件包括：第一传导层；第二传导层；在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层；在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层；以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层，其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物，和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物，其中A1、B1、X1、Y1、n、A2、B2、X2、Y2和m如说明书中定义的。 [A1][B1][X1(3-n)Y1n] [A2][B2][X2(3-m)Y2m]

公开(公告)号：CN112574741B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202010580565.7

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙柱 ,  金勇哲

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/26

Abstract: 发光材料、制备其的方法、和包括其的发光器件，所述发光材料由式1表示，在式1中的A1、A2、B、X1、X2、n和m如说明书中所定义。式1[A1nA23][B2][X1mX25]。

公开(公告)号：CN108630816B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201810208331.2

申请日：2018-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇哲

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 提供包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置。所述光电转换器件包括：第一传导层；第二传导层；在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层；在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层；以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层，其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物，和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物，其中A1、B1、X1、Y1、n、A2、B2、X2、Y2和m如说明书中定义的。 [A1][B1][X1(3‑n)Y1n] [A2][B2][X2(3‑m)Y2m]。

公开(公告)号：CN112175610A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010624634.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金勇哲 ,  郑钟元

IPC: C09K11/61 ,  H05B33/14

Abstract: 提供发光化合物、其制备方法及包括其的发光器件，所述发光化合物由式1表示，其中，在式1中，A1、A2、B1、B2、n、m、和X如说明书中定义[B。1m式B2(12‑[m)A]X1n5A2(3‑n)]

公开(公告)号：CN103531422A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310187294.9

申请日：2013-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度润 ,  金勇哲 ,  金一焕 ,  朴相铉 ,  郑太远

IPC: H01J35/04 ,  H01J35/24

CPC classification number: H01J19/24 ,  B82Y99/00 ,  H01J1/02 ,  H01J3/021 ,  H01J9/02 ,  H01J31/127 ,  H01J35/06 ,  H01J35/065 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2203/0208 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068 ,  H01J2329/4608 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。