公开(公告)号：CN104465362B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201410709244.7

申请日：2009-03-02

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 迈克尔.怀特 ,  拉蒙.琼斯 ,  杰弗里.吉里兰德 ,  凯文.摩根伯格

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明涉及使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法。本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：CN1742066B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN200480002763.4

申请日：2004-02-02

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 菲利普·W·卡特 ,  蒂莫西·P·约翰斯

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明涉及抛光含硅介电层的方法，包括使用含有下列物质的化学-机械抛光体系：(a)无机研磨剂、(b)抛光添加剂、和(c)液体载体，其中该抛光组合物的pH值为约4-约6。该抛光添加剂含有pKa为约3-约9的官能团并选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合。本发明进一步涉及化学-机械抛光体系，其中该无机研磨剂为氧化铈。

公开(公告)号：CN102604541B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210021422.8

申请日：2007-03-06

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 陈湛 ,  罗伯特.瓦卡希 ,  菲利普.卡特 ,  杰弗里.戴萨德

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明涉及用于抛光氮化硅的组合物及方法。本发明的化学机械抛光组合物包含(a)研磨剂、(b)0.1mM至10mM的丙二酸、(c)0.1mM至100mM的氨基羧酸、(d)0.1mM至100mM的硫酸根离子和(e)水，且具有1至6的pH值。本发明的抛光基板的方法包括前述抛光组合物的使用且该方法尤其可用于抛光含有氮化硅的基板。

公开(公告)号：CN104465362A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410709244.7

申请日：2009-03-02

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 迈克尔.怀特 ,  拉蒙.琼斯 ,  杰弗里.吉里兰德 ,  凯文.摩根伯格

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明涉及使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法。本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：CN102159662B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200980136735.4

申请日：2009-09-03

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 李守田 ,  史蒂文·格伦比恩 ,  杰弗里·戴萨德 ,  潘卡杰·辛格

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含：二氧化硅；选自四烷基铵盐、四烷基鏻盐、咪唑鎓盐及胺取代的硅烷的化合物；具有7个或更多个碳原子的羧酸；氧化金属的氧化剂；和水。本发明进一步提供用上述抛光组合物化学机械地抛光基材的方法。

公开(公告)号：CN103214972A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310099931.7

申请日：2006-09-21

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 王育群 ,  贾森.阿吉奥 ,  陆斌 ,  约翰.帕克 ,  周仁杰

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： 本发明提供用于平坦化或抛光表面的组合物及方法。一种组合物包含0.01重量%至20重量%的α-氧化铝颗粒，其中所述α-氧化铝颗粒具有200nm或更小的平均直径，且80%的所述α-氧化铝颗粒具有500nm或更小的直径；有机酸；腐蚀抑制剂；及水。另一组合物包含α-氧化铝颗粒；有机酸；三唑和苯并三唑的双重腐蚀抑制剂，其中三唑与苯并三唑的重量百分比之比为0.1至4.8；及水。

公开(公告)号：CN101432384B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200780015036.5

申请日：2007-04-18

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 杰弗里·戴萨德 ,  保罗·菲尼 ,  斯里拉姆·安朱尔 ,  蒂莫西·约翰斯 ,  辛云表 ,  王力

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体及聚醚胺。本发明的方法包括用上述抛光系统来化学机械抛光基板。

公开(公告)号：CN101874093B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880117903.0

申请日：2008-11-20

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 丹妮拉·怀特 ,  贾森·凯莱赫 ,  约翰·帕克

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： 本发明提供用于抛光含铜基材的化学机械抛光(CMP)方法和组合物。本发明的方法涉及用本发明的CMP组合物研磨含铜基材的表面，优选该研磨在氧化剂(例如，过氧化氢)的存在下进行。本发明的CMP组合物包含粒状研磨剂、铜络合剂、铜钝化剂和含水载体，所述铜钝化剂带有酸性OH基团和另外的与所述酸性OH基团呈1，6关系的氧取代基。本发明的优选组合物包含0.01～1重量％的粒状研磨剂、0.1～1重量％的铜络合剂、10～1000ppm的铜钝化剂。

公开(公告)号：CN102189506B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110093293.9

申请日：2003-05-21

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 阿巴尼什瓦·普拉萨德

IPC分类号： B24D13/00 ,  B24D3/32 ,  B24B39/00

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  B29K2105/041

摘要： 本发明涉及微孔抛光垫，更具体地说，本发明提供用于化学-机械抛光的包括多孔发泡体的抛光垫及其制造方法。一个具体实施方式中，该多孔发泡体平均孔径为50微米或以下，其中75％或以上的孔隙具有平均孔径20微米或以下的孔径。在一个具体实施方式中，多孔发泡体的平均孔径20微米或以下。又另一个具体实施方式中，该多孔发泡体具有多-模态孔径分布。该制造方法包括(a)使聚合物树脂与超临界气体结合产生单相溶液，及(b)从该单相溶液形成抛光垫，其中通过使气体经历高温及高压产生超临界气体。

公开(公告)号：CN101437912B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200780016565.7

申请日：2007-03-06

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 史蒂文·格鲁姆拜恩 ,  周仁杰 ,  陈湛 ,  菲利普·卡特

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含氨基化合物、形成自由基的氧化剂、能抑制该氨基化合物的自由基诱导氧化的自由基捕集剂、及为此的含水载体。该自由基捕集剂为经羟基取代的多元不饱和环状化合物、含氮化合物、或其组合。任选地，该组合物包含金属氧化物研磨剂(例如，二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、或前述研磨剂中的两种或多种的组合)。本发明进一步提供一种用CMP组合物化学机械抛光基板的方法，以及一种提高含有胺及形成自由基的氧化剂的CMP组合物的保存期的方法，其中将自由基捕集剂加至该CMP组合物中。