本发明提供用于抛光含铜基材的化学机械抛光(CMP)方法和组合物。本发明的方法涉及用本发明的CMP组合物研磨含铜基材的表面，优选该研磨在氧化剂(例如，过氧化氢)的存在下进行。本发明的CMP组合物包含粒状研磨剂、铜络合剂、铜钝化剂和含水载体，所述铜钝化剂带有酸性OH基团和另外的与所述酸性OH基团呈1，6关系的氧取代基。本发明的优选组合物包含0.01～1重量％的粒状研磨剂、0.1～1重量％的铜络合剂、10～1000ppm的铜钝化剂。