公开(公告)号：CN116288366A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310169002.2

申请日：2015-10-21

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： M·卡瓦诺 ,  S·克拉夫特 ,  A·沃尔夫 ,  P·W·卡特 ,  E·西克马 ,  J·克罗斯 ,  B·佩特罗

IPC分类号： C23F11/167 ,  C09G1/02

摘要： 本发明涉及腐蚀抑制剂以及相关的组合物及方法。具体地说，本发明提供抑制含有金属的基板的腐蚀的方法。该基板可呈任何适合的形式。在一些实施方式中，该金属为钴。在一些实施方式中，所述方法可用于半导体晶片。本发明还提供抛光基板的化学机械抛光组合物及方法。可在本文所公开的所述方法及组合物中使用腐蚀抑制剂。该抑制剂包含两性表面活性剂、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羟乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意组合。

公开(公告)号：CN116209542A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180063821.8

申请日：2021-09-14

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： B·雷斯 ,  F·孔洛 ,  M·莫罗 ,  黄禾琳

IPC分类号： B24B1/00

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)氧化硅研磨剂、(b)表面活性剂、(c)铁阳离子、(d)任选地配体、及(e)水，其中该氧化硅研磨剂在该化学机械抛光组合物中具有负ζ电位。本发明还提供一种使用所述组合物来化学机械地抛光基板、尤其是包含基于碳的膜的基板的方法。

公开(公告)号：CN115917822A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180041279.6

申请日：2021-06-07

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： D.舒克拉 ,  G.R.蒙特内格鲁加林多 ,  K.M.多诺万 ,  Z.杨

IPC分类号： H01M10/0565 ,  H01M10/0585

摘要： 二次电池单元，包括第一电极材料的阴极、第二电极材料的阳极及安置于该阴极与阳极之间的固体聚合物电解质层。该固体聚合物电解质包括与该阴极接触的第一表面以及与该阳极接触的第二表面。该固体聚合物电解质层包括纤维素聚合物基质。该纤维素聚合物基质包括该纤维素聚合物的网络。锂离子分散于该纤维素聚合物基质中。陶瓷颗粒分散于该纤维素聚合物基质中。所述陶瓷颗粒包括金属氧化物。一种或多种增塑剂分散于该纤维素聚合物基质中。一种或多种聚合物网络与该纤维素聚合物基质接触。该一种或多种聚合物网络包括含丙烯酸酯的聚合物。

公开(公告)号：CN114599753A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074249.0

申请日：2020-10-22

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： B.佩特罗 ,  张柱然 ,  B.约翰逊

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物，其包含：(a)包含铈土颗粒的研磨剂，(b)阳离子聚合物，其选自阳离子均聚物、包含至少一种阳离子单体及至少一种非离子单体的阳离子共聚物、及其组合，(c)季铵盐或季盐，及(d)水，其中该抛光组合物具有约5至约8的pH。本发明还提供化学机械抛光基板、尤其是包含硅氧化物、硅氮化物及/或多晶硅的基板的方法，其是藉由使该基板与本发明化学机械抛光组合物接触。

公开(公告)号：CN113166587B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201980080181.4

申请日：2019-11-13

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： S.克拉夫特 ,  F.孔罗 ,  D.克林格曼 ,  R.A.伊瓦诺夫 ,  S.格伦宾

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

摘要： 用于对基板进行抛光的化学机械抛光组合物，其包含：液体载剂；以及分散于该液体载剂中的阳离子型金属氧化物研磨剂颗粒。该阳离子型金属氧化物研磨剂颗粒具有经至少一种化合物改性的表面，该至少一种化合物由具有至少一个季铵基的甲硅烷基组成。用于对包括金属层的基板进行化学机械抛光的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，以及研磨该基板以自该基板移除该金属层的一部分且由此对该基板进行抛光。

公开(公告)号：CN111655809B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201880075109.8

申请日：2018-10-25

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： 张珂

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物，包含：(a)湿法氧化硅，(b)(i)式(I)的醇与(ii)式(II)的醇的组合，(c)过氧化氢，(d)矿物酸，及(e)水，其中，该抛光组合物的pH为约1至约5。本发明还提供通过以下步骤来化学机械地抛光基板尤其是镍‑磷基板的方法：使基板与抛光垫及该化学机械抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光垫及该抛光组合物，以及研磨该基板的至少一部分以抛光该基板。

公开(公告)号：CN110168034B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201780082466.2

申请日：2017-12-21

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： R.伊万诺夫 ,  F.亨格洛 ,  柯政远 ,  G.怀特纳

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物，其包含(a)氧化硅颗粒、(b)包含磺酸单体单元的聚合物、(c)任选地缓冲剂、以及(d)水，其中，该抛光组合物具有约2至约5的pH值。本发明进一步提供使用本发明的化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，该基板包含硅的碳化物及硅的氮化物。

公开(公告)号：CN113396197A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201980090623.3

申请日：2019-11-13

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： S.克拉夫特 ,  F.孔罗 ,  R.A.伊瓦诺夫 ,  S.格伦宾

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/14 ,  B24B57/02

摘要： 用于对具有铜、阻挡物及介电层的基板进行抛光的化学机械抛光组合物，其包括：基于水的液体载剂；阳离子型硅石研磨剂颗粒，其分散于该液体载剂中；及三唑化合物，其中该抛光组合物具有大于约6的pH，且该阳离子型硅石研磨剂颗粒具有至少10mV的ζ电位。该三唑化合物不为苯并三唑或苯并三唑化合物。用于对包括铜、阻挡物及介电层的基板进行化学机械抛光的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触；相对于该基板移动该抛光组合物；以及研磨该基板以自该基板移除该铜、阻挡物及介电层的一部分且由此对该基板进行抛光。

公开(公告)号：CN113383047A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201980091149.6

申请日：2019-12-09

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： 柯政远 ,  黄宏聪 ,  T.J.卡特

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

摘要： 本发明提供化学机械抛光组合物，其包含：(a)维氏硬度为16GPa或更大的研磨剂，及(b)液体载剂，其中该抛光组合物基本上不含氧化剂且其中该抛光组合物具有约0至约7的pH。本发明进一步提供使用抛光组合物对基板尤其是包含钌的基板进行抛光的方法。

公开(公告)号：CN109415597B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201780038695.4

申请日：2017-06-21

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： A.W.海因斯 ,  李常怡

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14

摘要： 本发明提供化学‑机械抛光组合物，其包含：(a)湿法氧化铈研磨剂，(b)包含含胺的锚定基团及亚乙基氧‑亚丙基氧稳定化基团的表面活性剂，其中该表面活性剂具有约1000道尔顿至约5000道尔顿的分子量，(c)芳族羧酸或杂芳族羧酸，及(d)水，其中该抛光组合物具有约3至约6的pH。本发明进一步提供利用本发明化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，所述基板含有硅氧化物。