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发明公开
腐蚀抑制剂以及相关的组合物及方法审中-实审

公开(公告)号：CN116288366A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310169002.2

申请日：2015-10-21

申请人： CMC材料股份有限公司

发明人： M·卡瓦诺 , S·克拉夫特 , A·沃尔夫 , P·W·卡特 , E·西克马 , J·克罗斯 , B·佩特罗

IPC分类号： C23F11/167 , C09G1/02

摘要： 本发明涉及腐蚀抑制剂以及相关的组合物及方法。具体地说，本发明提供抑制含有金属的基板的腐蚀的方法。该基板可呈任何适合的形式。在一些实施方式中，该金属为钴。在一些实施方式中，所述方法可用于半导体晶片。本发明还提供抛光基板的化学机械抛光组合物及方法。可在本文所公开的所述方法及组合物中使用腐蚀抑制剂。该抑制剂包含两性表面活性剂、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羟乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意组合。