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公开(公告)号：CN101540251B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体2电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN102013371A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910190152.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极的表面处理方法，其包括以下步骤：提供一冷阴极，所述冷阴极包括多个一维场发射体；设置一液体胶于所述冷阴极表面；固化所述液体胶；去除冷阴极表面固化后的液体胶，以使冷阴极表面的一维场发射体竖立。
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公开(公告)号：CN101075015B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610060733.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , G01Q60/16 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488 , H01J2203/0296 , Y10S977/815 , Y10S977/822 , Y10S977/838 , Y10S977/849 , Y10S977/86 , Y10S977/861
Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III-V族化合物半导体一维纳米结构；该III-V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端，该III-V族化合物半导体一维纳米结构的第二端开口，该III-V族化合物半导体一维纳米结构为开口纳米管；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III-V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
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公开(公告)号：CN101540251A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101425440A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171014.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C8/16 , B82Y10/00 , C03C17/008 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/04 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488
Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108172488A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711434481.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 深圳先进技术研究院
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J35/065 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223 , H01J2235/062
Abstract: 本发明涉及场发射技术领域，提供一种碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用，所述碳纳米场发射阴极，包括基板、水平涂覆于所述基板上的石墨烯层以及位于所述石墨烯层上的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列中各碳纳米管的根部与所述石墨烯层共价连接。本发明中，各碳纳米管的根部与石墨烯层共价连接，界面电阻极低，使得该碳纳米结构具有优异的导电性，从而明显降低阴极的开启电场，在场发射过程中产生的热量小，使得阴极可以在更高的电流下稳定发射，大大提高了阴极的工作电流；而且，这种三维共价结构具有优异的热导性，提高了阴极的发射稳定性。
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公开(公告)号：CN107591299A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710545817.0
申请日：2017-07-06
Applicant: 泰勒斯公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J1/15 , H01J1/312 , H01J21/105 , H01J23/04 , H01J2201/30423 , H01J2201/30434 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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公开(公告)号：CN103117205A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310036129.3
申请日：2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板；第一电极层形成于第一基板的内侧；第二电极层形成于第二基板的内侧；发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上，发光材料层包括量子点材料；第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光，进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
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公开(公告)号：CN101075015A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610060733.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , G01Q60/16 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488 , H01J2203/0296 , Y10S977/815 , Y10S977/822 , Y10S977/838 , Y10S977/849 , Y10S977/86 , Y10S977/861
Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III－V族化合物半导体一维纳米结构；该III－V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III－V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
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公开(公告)号：CN1961403A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200480033283.4
申请日：2004-11-12
Applicant: 美国热电集团
CPC classification number: H01J49/147 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30434 , Y10S977/939
Abstract: 一种用在质谱分析器中的离子源，包括：电子发射器，配置其以发射电子束，其中电子发射器组件包括固定在衬底上用于发射电子束的碳纳米管束、配置以控制电子束发射的第一控制栅格和配置以控制电子束能量的第二控制栅格；电离腔，其具有使电子束进入电离腔的电子束入口、用于样本引入的样本入口和为电离样本分子提供出口的离子束出口；电子透镜，其位于电子发射器组件和电离腔之间以聚集电子束；和至少一个电极，其位于离子束出口附近以聚集排出电离腔的电离样本分子。
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