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公开(公告)号：CN1945783A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610132101.X
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 一种能够均匀发射电子且具有较低制造成本的电子发射器件，一种使用该电子发射器件来改善象素均匀性的显示装置，以及一种制造该电子发射器件的方法，其中，电子发射器件包括第一基板、阴极和设置在第一基板上的电子发射源、与阴极电性能绝缘的栅极电极、插入在阴极和栅极电极之间用于使阴极和栅极电极绝缘的绝缘层以及接触阴极并包含半导体性碳纳米管(CNTs)的电阻层。
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公开(公告)号：CN101425440A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171014.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C8/16 , B82Y10/00 , C03C17/008 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/04 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488
Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101097826A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710003741.5
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。
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公开(公告)号：CN1905114B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200610104057.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种电子发射材料，包括电子发射材料主体、设置在该电子发射材料主体上的基底金属层，以及设置在该基底金属层上的热电子发射层。
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公开(公告)号：CN1913075B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610125792.0
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。该金属是选自Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、Cr、Mo和W的组中的至少一种。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
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公开(公告)号：CN1913075A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610125792.0
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
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公开(公告)号：CN1905114A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610104057.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种电子发射材料，包括电子发射材料主体、设置在该电子发射材料主体上的基底金属层，以及设置在该基底金属层上的热电子发射层。
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