公开(公告)号：CN1741227A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510091394.7

申请日：2005-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层固定到基于有机硅氧烷的材料上；固化固定到碳纳米管层的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。

公开(公告)号：CN1877775B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510023037.7

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/14 ,  H01J9/42

CPC classification number: H01J63/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源，以及包括电子发射源的电子发射装置。

公开(公告)号：CN100592451C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200510091394.7

申请日：2005-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层固定到基于有机硅氧烷的材料上；固化固定到碳纳米管层的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。

公开(公告)号：CN1877775A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200510023037.7

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/14 ,  H01J9/42

CPC classification number: H01J63/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源，以及包括电子发射源的电子发射装置。

公开(公告)号：CN1913075B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200610125792.0

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  金载明 ,  金昌昱 ,  李恩美 ,  南仲佑 ,  赵晟希 ,  朴钟换 ,  任志淳

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。该金属是选自Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、Cr、Mo和W的组中的至少一种。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。

公开(公告)号：CN1913075A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610125792.0

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  金载明 ,  金昌昱 ,  李恩美 ,  南仲佑 ,  赵晟希 ,  朴钟换 ,  任志淳

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。