-
公开(公告)号:CN104112609A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410346964.1
申请日:2014-07-21
Applicant: 南通万德科技有限公司
CPC classification number: H01H1/021 , C23C18/1633 , C23C18/1692 , C23C18/1806 , C23C18/1844 , C23C18/36 , C23C18/48 , C23C18/50 , C23C18/52 , C25D3/14 , C25D3/562 , C25D7/00 , H01H11/041 , H01H11/06 , H01H2011/046
Abstract: 本发明公开了一种耐电弧烧蚀的开关触点及其制备方法,开关触点是具有多层层状结构的复合体,第一层为疏水性橡胶层,第二层为粘合层,第三层为金属薄片层,第四层粘合层,第五层为金属镀层;其中,第五层金属镀层是第一层、第二层、第三层和第四层的复合体浸渍在含有难熔金属元素的化学镀液中,用化学沉积的方法沉积在复合体中第二层、第三层和第四层的表面而形成的。本发明所制备的开关触点,制造较方便,具有良好的金属色泽,较低的接触电阻,较高的耐开关电弧烧蚀性能和较长的使用寿命。
-
公开(公告)号:CN103392028B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201280009951.4
申请日:2012-08-30
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , B32B15/01 , C23C18/165 , C23C18/31 , C23C28/023 , C25D1/04 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/14 , C25D3/16 , C25D3/38 , C25D3/562 , C25D3/565 , C25D3/58 , C25D5/14 , C25D7/0614 , C25D9/08 , C25D11/38 , H05K3/025 , H05K2201/0317 , H05K2201/032 , H05K2201/0338 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12514 , Y10T428/12611 , Y10T428/12667 , Y10T428/12861 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , Y10T428/12944 , Y10T428/12958 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供在向绝缘基板层叠的工序前极薄铜层不从载体剥离、而在向绝缘基板层叠的工序后却能剥离的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、层叠在铜箔载体上的中间层、和层叠在中间层上的极薄铜层,中间层由与铜箔载体的界面连接的Ni层和与极薄铜层的界面连接的Cr层构成,Ni层中存在1000~40000μg/dm2的Ni,Cr层中存在10~100μg/dm2的Cr。
-
公开(公告)号:CN104335230A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201380026245.5
申请日:2013-03-20
Applicant: LG伊诺特有限公司
Inventor: 林雪熙
IPC: G06K19/077 , H05K1/18
CPC classification number: H05K1/05 , C25D3/14 , C25D3/16 , C25D5/022 , C25D5/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H05K1/11 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/244 , H05K2201/0104 , H05K2201/032 , H05K2201/0338 , H05K2201/10159 , H05K2203/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据实施例的存储卡的印刷电路板包括:绝缘层;在绝缘层的第一表面上的安装部件,该安装部件电连接至存储装置;以及在绝缘层的第二表面上的终端部件,该终端部件电连接至外部电子设备,其中,在安装部件和终端部件的表面上形成有具有相同特性的相同金属层。
-
公开(公告)号:CN104112609B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410346964.1
申请日:2014-07-21
Applicant: 南通万德科技有限公司
CPC classification number: H01H1/021 , C23C18/1633 , C23C18/1692 , C23C18/1806 , C23C18/1844 , C23C18/36 , C23C18/48 , C23C18/50 , C23C18/52 , C25D3/14 , C25D3/562 , C25D7/00 , H01H11/041 , H01H11/06 , H01H2011/046
Abstract: 本发明公开了一种耐电弧烧蚀的开关触点及其制备方法,开关触点是具有多层层状结构的复合体,第一层为疏水性橡胶层,第二层为粘合层,第三层为金属薄片层,第四层粘合层,第五层为金属镀层;其中,第五层金属镀层是第一层、第二层、第三层和第四层的复合体浸渍在含有难熔金属元素的化学镀液中,用化学沉积的方法沉积在复合体中第二层、第三层和第四层的表面而形成的。本发明所制备的开关触点,制造较方便,具有良好的金属色泽,较低的接触电阻,较高的耐开关电弧烧蚀性能和较长的使用寿命。
-
公开(公告)号:CN100342037C
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN02812334.4
申请日:2002-06-12
Applicant: 希勒及穆勒有限公司
IPC: C21D1/00
CPC classification number: C21D9/48 , C21D8/0478 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/027 , C23C28/028 , C25D3/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , H01M2/0272 , H01M2/0275 , H01M2/0287 , Y10S428/935 , Y10T428/12937
Abstract: 本发明涉及一带有由Ni和/或Co以及进入的非金属元素C和/或S,在一定情况下还附加有Fe,In,Pd,Au和/或Bi的表面镀层的冷轧带钢的热处理方法,其中冷轧带钢具有低碳含量。因为当不发生再结晶时,沉积在晶界上的由C,S,N和P与表面镀层金属形成的化合物促成主要的微裂纹,则热处理温度应选在低于再结晶温度和高于沉积温度。在再结晶中晶粒大小容易达到镀层厚度尺寸,以致于脆化的化合物同晶界一起迁移出镀层。相反,通过按本发明的表面镀层的热处理温度的选择,将保证晶界的最优脆化,这在制造电池槽时特别有优点。此外还叙述了按本发明生产的薄板和相应的电池槽。
-
公开(公告)号:CN104752865A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410805902.2
申请日:2014-12-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01R13/03
CPC classification number: C23C28/021 , C25D3/12 , C25D3/14 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D5/505 , H01B1/02 , H01B1/026 , H01R13/03 , Y10T428/12438
Abstract: 本发明提供一种镀锡铜合金端子材,对使用通用的镀锡端子材的端子也能够降低嵌合时的插入力。在本发明的由铜或铜合金构成的基材上的表面形成有锡系表面层,在该锡系表面层与基材之间,从锡系表面层开始依次形成有铜锡合金层/镍锡合金层/镍或镍合金层,其中,铜锡合金层为以Cu6Sn5为主成分且该Cu6Sn5的铜的一部分被镍取代的化合物合金层,镍锡合金层为以Ni3Sn4为主成分且该Ni3Sn4的镍的一部分被铜取代的化合物合金层,铜锡合金层的局部顶峰的平均间隔S为0.8μm以上2.0μm以下,且锡系表面层的平均厚度为0.2μm以上0.6μm以下,在锡系表面层的最表面形成有0.005μm以上0.05μm以下的膜厚的镍系包覆层或钴系包覆层,表面的动摩擦系数为0.3以下。
-
公开(公告)号:CN104093888A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201380006391.1
申请日:2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/252 , C25D3/14 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D17/16 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于,其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件,在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn-Ni合金粒子,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围内,并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn-Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的面时,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15%~60%的范围内。
-
公开(公告)号:CN103392028A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201280009951.4
申请日:2012-08-30
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , B32B15/01 , C23C18/165 , C23C18/31 , C23C28/023 , C25D1/04 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/14 , C25D3/16 , C25D3/38 , C25D3/562 , C25D3/565 , C25D3/58 , C25D5/14 , C25D7/0614 , C25D9/08 , C25D11/38 , H05K3/025 , H05K2201/0317 , H05K2201/032 , H05K2201/0338 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12514 , Y10T428/12611 , Y10T428/12667 , Y10T428/12861 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , Y10T428/12944 , Y10T428/12958 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供在向绝缘基板层叠的工序前极薄铜层不从载体剥离、而在向绝缘基板层叠的工序后却能剥离的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、层叠在铜箔载体上的中间层、和层叠在中间层上的极薄铜层,中间层由与铜箔载体的界面连接的Ni层和与极薄铜层的界面连接的Cr层构成,Ni层中存在1000~40000μg/dm2的Ni,Cr层中存在10~100μg/dm2的Cr。
-
公开(公告)号:CN104093888B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380006391.1
申请日:2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/252 , C25D3/14 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D17/16 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于,其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件,在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn-Ni合金粒子,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围内,并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn-Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的面时,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15%~60%的范围内。
-
公开(公告)号:CN1636073A
公开(公告)日:2005-07-06
申请号:CN02812334.4
申请日:2002-06-12
Applicant: 希勒及穆勒有限公司
IPC: C21D1/00
CPC classification number: C21D9/48 , C21D8/0478 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/027 , C23C28/028 , C25D3/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , H01M2/0272 , H01M2/0275 , H01M2/0287 , Y10S428/935 , Y10T428/12937
Abstract: 本发明涉及一带有由Ni和/或Co以及进入的非金属元素C和/或S,在一定情况下还附加有Fe,In,Pd,Au和/或Bi的表面镀层的冷轧带钢的热处理方法,其中冷轧带钢具有低碳含量。因为当不发生再结晶时,沉积在晶界上的由C,S,N和P与表面镀层金属形成的化合物促成主要的微裂纹,则热处理温度应选在低于再结晶温度和高于沉积温度。在再结晶中晶粒大小容易达到镀层厚度尺寸,以致于脆化的化合物同晶界一起迁移出镀层。相反,通过按本发明的表面镀层的热处理温度的选择,将保证晶界的最优脆化,这在制造电池槽时特别有优点。此外还叙述了按本发明生产的薄板和相应的电池槽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-