一种染色体非整倍性检测方法及装置

    公开(公告)号:CN105765076B

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201380081189.5

    申请日:2013-12-17

    CPC classification number: C12Q1/6809 C12Q2535/122

    Abstract: 一种染色体非整倍性检测方法及装置,其中方法包括:将测试样本测序后得到的测序序列与参考基因组进行比对,获得每个测试样本落在参考基因组上的测序序列数目,计算每个测试样本的每条染色体的测序深度,进而计算每个测试样本的每条染色体上的相对测序深度,最后计算每个测试样本的每条染色体的相对测序深度的偏差统计量,再将每个测试样本的每条染色体的相对测序深度的偏差统计量与预设的偏差统计量阈值进行比较,判断测试样本的每条染色体是否缺失或重复。

    一种基于血液游离DNA高通量测序分析cfDNA所属个体生理状态的方法及其应用

    公开(公告)号:CN109680049A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811471541.7

    申请日:2018-12-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于血液游离DNA高通量测序分析cfDNA所属个体生理状态的方法及其应用。该方法包括分离血液游离DNA;构建血液游离DNA进行高通量测序文库;运用DNA高通量测序对血液游离DNA文库进行测序;对测序获得的reads进行生物信息分析;依据生物信息分析结果判断待检cfDNA所属个体生理状态。本发明的方法简化了cfDNA检测及分析流程,在测序前无需对cfDNA进行任何预处理,如片段选择、甲基化富集等,测序后无需复杂的片段选择、末端坐标发现及生物信息学建模等,可实现对cfDNA所属个体生理状态的判断,本发明的方法可以应用在辅助癌症无创检测或制备辅助癌症无创检测试剂盒中。

    一种高粪菌活性离心力的确定方法

    公开(公告)号:CN109609587A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201910047066.9

    申请日:2019-01-17

    CPC classification number: C12Q1/06 C12Q1/6869 C12Q2535/122

    Abstract: 本发明公开了一种高粪菌活性离心力的确定方法,具体包括如下操作步骤:S1:将收集的粪便100~200g溶解于750mL~1000mL的0.9%NaCl溶液中,经处理去除残渣,得到粪菌;S2:对得到的粪菌进行活菌和死菌的流式细胞计数;S3:将得到的粪菌用0.9%NaCl进行洗涤,取部分样本分别置于不同离心力下进行离心,对菌体称重,同时对得到的菌体提取DNA并进行高通量16S rDNA测序。本发明一方面保证了较高的粪菌回收率,另一方面又保证了粪菌的高活性及稳定的菌群结构,这为粪菌移植标准化提供了主要保障。

    一种定位基因组DNA上损伤和修饰位点的方法

    公开(公告)号:CN109266728A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811145591.6

    申请日:2018-09-29

    Inventor: 曹博

    Abstract: 本发明提供了一种定位基因组DNA上损伤和修饰位点的方法,首先将DNA样品的损伤或修饰位点转化为断裂位点;然后加入硫代核苷酸和DNA聚合酶I进行切口平移;终止反应后获得的样品中加入对磷硫酰化修饰DNA敏感核酸酶消化模板;最后将获得的磷硫酰化修饰DNA测序,所得序列的5'端即为原损伤或者修饰位点。本发明提供的方法,填补了国内外现有技术无法精确定位基因组DNA上损伤位点的空白,能够实现对不同长度和不同来源的DNA样品进行损伤和修饰位点定量和定位分析,使用简便,易于操作,而且对样品无特殊要求,准确率高、检测背景影响低、分辨率高。

    一种DNA碱基序列检测的纳米孔三明治结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN109182484A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811044329.2

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 本发明提供一种DNA碱基序列检测的纳米孔三明治结构及其制作方法。首先在基体两侧表面沉积Si3N4/SiO2/Si3N4三层纳米薄膜;接着刻蚀基体一侧薄膜形成基板释放窗口;接着刻蚀基体另外一侧薄膜中的顶层Si3N4;然后使用碱性溶液从基体释放窗口刻蚀基板得到由Si3N4/SiO2两层纳米薄膜组成的自支撑纳米薄膜。接着在SiO2上方沉积Si3N4,再次得到悬空的纳米薄膜结构,退火,使用氦离子束刻蚀出纳米通孔;最后使用缓冲过的氢氟酸刻蚀SiO2,得到由SiO2空腔和两个Si3N4纳米孔组成的三明治结构。本发明工艺简单,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,同时可以重复循环使用,有较广的使用前景。

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