公开(公告)号：CN104981427A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480006826.7

申请日：2014-01-31

申请人： 独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 中村考志 ,  蛯名武雄 ,  林拓道 ,  花冈隆昌

IPC分类号： C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/48

CPC分类号： C23C24/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B21/0625 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/64 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4417

摘要： 本发明的目的是开发能够在300℃以下分解为铜和氮的氮化铜微粒。本发明涉及本质上不具有金属铜的不稳定、高温度处理的问题的氮化铜微粒及其制造方法。一种氮化铜微粒，其一次粒子粒径为1～100nm、且分解温度为300℃以下。优选二次粒子的粒径为1μm以下。

公开(公告)号：CN109382126A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810839123.2

申请日：2018-07-27

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 村濑英昭 ,  万家美纱

IPC分类号： B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

CPC分类号： C25B1/003 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/0841 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/0896 ,  C01B21/0615 ,  C01B21/0625 ,  C25B1/04 ,  C25B11/0447 ,  H01G9/20 ,  H01G9/2027 ,  B01J27/24 ,  B01J35/0033 ,  B01J35/02 ,  C25B11/04

摘要： 本发明的课题是提供与现有制造方法相比，可以安全并且简便、以更高生产能力制造包含过渡金属和氮元素的光半导体的光半导体的制造方法。本公开的光半导体的制造方法具备下述工序：用等离子体对含有至少1种过渡金属的金属基材进行处理，从而由上述金属基材的至少一部分获得含有上述过渡金属和氮元素的上述光半导体的工序，所述处理在比大气压低的压力下，并且在比上述压力气氛下的上述过渡金属的挥发温度低的温度条件下进行。其中，上述等离子体通过在第1电极和第2电极之间对气体施加30MHz以上300MHz以下的频带的高频电压而产生，并且上述气体是(i)氮气、(ii)由氮气和氧气构成的混合气体、(iii)由氮气和稀有气体构成的混合气体、或(iv)由氮气、氧气和稀有气体构成的混合气体之中的任一种。