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公开(公告)号：CN112334407A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202080001879.5
申请日：2020-03-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种氢气系统，具备压缩器和第1除去器，压缩器使从供给到阳极的阳极流体中取出的质子经由电解质膜向阴极移动，生成被压缩了的氢气，第1除去器包含透水膜、阴极气体流路和容纳部，阴极气体流路设置在透水膜的一侧的主面上，供从压缩器的阴极排出的阴极气体流通，容纳部设置在透水膜的另一侧的主面上，充满压力比阴极气体低的液体，第1除去器用于除去阴极气体中所含的水分。
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公开(公告)号：CN119278296A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380042560.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C25B1/02 , C25B1/04 , C25B9/00 , C25B15/023
Abstract: 本公开的一方式的压缩装置具备：压缩机，其通过在阳极与弯曲刚度低于所述阳极的阴极之间施加电压而产生的氢的氧化还原、或者水的电解，在所述阴极生成压缩氢；以及控制器，其在起动时或停止时，基于由检查气体供给器向所述阴极供给检查气体后的所述阳极的出口的气体流量或所述阴极的压力来对异常进行判定。
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公开(公告)号：CN110720103A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201980002490.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种气体扩散模拟方法，是模拟设置有多个细孔的多孔质体中的气体的扩散的气体扩散模拟方法，求出基于在所述细孔中由壁面包围的空间中的第1气体粒子的均方位移的努森扩散系数、以及使用了所述努森扩散系数的努森扩散项，求出使用了所述第1气体粒子和与所述第1气体粒子不同的第2气体粒子的相互扩散系数的相互扩散项，基于由所述努森扩散项和所述相互扩散项之和得出的所述第1气体粒子的扩散方程式来模拟所述第1气体粒子的扩散。
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公开(公告)号：CN110720103B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980002490.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种气体扩散模拟方法，是模拟设置有多个细孔的多孔质体中的气体的扩散的气体扩散模拟方法，求出基于在所述细孔中由壁面包围的空间中的第1气体粒子的均方位移的努森扩散系数、以及使用了所述努森扩散系数的努森扩散项，求出使用了所述第1气体粒子和与所述第1气体粒子不同的第2气体粒子的相互扩散系数的相互扩散项，基于由所述努森扩散项和所述相互扩散项之和得出的所述第1气体粒子的扩散方程式来模拟所述第1气体粒子的扩散。
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公开(公告)号：CN109382126A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810839123.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J19/088 , B01J2219/0841 , B01J2219/0879 , B01J2219/0896 , C01B21/0615 , C01B21/0625 , C25B1/04 , C25B11/0447 , H01G9/20 , H01G9/2027 , B01J27/24 , B01J35/0033 , B01J35/02 , C25B11/04
Abstract: 本发明的课题是提供与现有制造方法相比，可以安全并且简便、以更高生产能力制造包含过渡金属和氮元素的光半导体的光半导体的制造方法。本公开的光半导体的制造方法具备下述工序：用等离子体对含有至少1种过渡金属的金属基材进行处理，从而由上述金属基材的至少一部分获得含有上述过渡金属和氮元素的上述光半导体的工序，所述处理在比大气压低的压力下，并且在比上述压力气氛下的上述过渡金属的挥发温度低的温度条件下进行。其中，上述等离子体通过在第1电极和第2电极之间对气体施加30MHz以上300MHz以下的频带的高频电压而产生，并且上述气体是(i)氮气、(ii)由氮气和氧气构成的混合气体、(iii)由氮气和稀有气体构成的混合气体、或(iv)由氮气、氧气和稀有气体构成的混合气体之中的任一种。
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