-
公开(公告)号：CN106365977A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611001915.X
申请日：2016-11-15
申请人： 广西新天德能源有限公司
摘要： 本发明属于醋酸节能环保生产领域，涉及一种抗磨耐腐蚀醋酸生产装置。该装置包括鼓泡反应塔1、闪蒸槽2、轻组分塔3、脱水塔4、脱重塔5、废酸汽提塔6、气液分离器7、轻组分冷凝槽8、轻组分冷凝器9，鼓泡反应塔1、闪蒸槽2、轻组分塔3、脱水塔4、脱重塔5、废酸汽提塔6依次连接，轻组分塔3与轻组分冷凝槽8、轻组分冷凝器9依次链接，鼓泡反应塔1外接气液分离器7，鼓泡反应塔内部具有氧化锆涂层。本发明生产设备具有抗腐蚀抗磨，使用寿命长等特点。
-
公开(公告)号：CN100376317C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03817165.1
申请日：2003-02-12
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德弗林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 史蒂文·A·泰索 , 约翰·W·卢西克 , 苏雷什·S·瓦加拉里 , 小罗伯特·V·莱昂内里 , 乔尔·R·戴萨特
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/062 , B01J19/02 , B01J2203/0665 , B01J2219/00777 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/40 , C30B29/406 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024 , Y10T117/108 , Y10T117/1092
摘要： 在高压高温处理条件下，在基本上无空气的环境中，容纳至少一种反应物和超临界流体的小盒。该小盒包括封闭端；与该封闭端相邻的并从该封闭端伸出的至少一个壁；和与该至少一个壁相邻并在该封闭端对面的密封端。该至少一个壁、封闭端和密封端形成容纳该反应物和在高温高压下变成超临界流体的溶剂的腔。该小盒由可变形材料制成，并在处理条件下对于该反应物和超临界流体为流体不可透过的和化学性质惰性的，该处理条件一般为在5kbar和550℃以上，优选压力为5kbar至80kbar，温度为550℃至约1500℃。本发明还包括用溶剂充满该小盒和密封该小盒的方法及密封该小盒的装置。
-
公开(公告)号：CN1351516A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN00807839.4
申请日：2000-05-15
申请人： 荷兰联合利华有限公司
IPC分类号： B01J19/02 , C07C303/06 , C07C309/31
CPC分类号： C07C303/06 , B01J19/02 , B01J2219/024 , B01J2219/0286 , C07C309/31
摘要： 抑制污染物在硫酸化(磺化)反应容器中积聚的方法,其中利用含有锰源的流体对暴露到磺化反应混合物的反应容器表面进行预处理,从而在这些表面上形成包含二氧化锰的涂层。
-
公开(公告)号：CN104774639A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410014102.9
申请日：2014-01-13
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： C10G9/203 , B01J19/0026 , B01J19/02 , B01J19/2415 , B01J2219/024 , C10G75/00 , C10G2300/405
摘要： 本发明涉及烃类裂解方法和装置。对于所述烃类裂解方法，其包括：提供烃类；及，把所述烃类引入装置，所述装置接触烃类的内表面含钙钛矿材料和调整材料；其中所述装置中含碳物质的沉积量低于不含所述钙钛矿材料的装置；且，所述装置中一氧化碳的产量低于不含所述调整材料的装置。本发明也涉及相应的装置。
-
公开(公告)号：CN102438763A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022356.5
申请日：2010-04-20
申请人： AE多晶硅公司
IPC分类号： B05D3/04
CPC分类号： B01J19/02 , B01J19/2415 , B01J2219/0218 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , C01B33/027
摘要： 在实施方案中，反应器包括区段，其中，该区段的至少一部分包括一基础层，其中，该基础层具有第一组成，第一组成含有形成硅化物的金属元素；和硅化物覆层，其中，硅化物覆层通过下列方法来形成：在高于600℃的第一温度和足够低的压力下，使具有足够量的形成硅化物的金属元素的基础层暴露于足够量的硅源气体中，该硅源气体具有足够量的硅元素，其中该硅源气体能够在低于1000℃的第二温度下分解以产生足够量的硅元素；使足够量的形成硅化物的金属元素与足够量的硅元素反应，并形成硅化物覆层。
-
公开(公告)号：CN1903421A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610105703.6
申请日：2006-07-12
申请人： 波克股份有限公司
IPC分类号： B01J8/02
CPC分类号： B01J8/008 , B01J8/0465 , B01J19/02 , B01J19/2485 , B01J2208/00884 , B01J2208/025 , B01J2219/0218 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , F01N3/2853
摘要： 揭示了反应过程中所用的新的反应器密封方法。在反应器的催化剂整料和耐火内衬之间的间隙中使用浸渍催化剂的载体材料。催化载体材料为与所述催化剂整料相同的催化剂材料，或具有基本上相近的催化活性。另外，使用催化材料作为催化薄膜沉积在耐火内衬上。这些方法不仅提供压降以使沿耐火内衬的内壁的反应物流最小化，而且提供附加的活性反应区域。该密封方法适合于任何类型的催化剂整料上的反应，特别是适合采用甲烷的部分氧化来制造合成气，从而减少甲烷和氧气的泄漏。
-
公开(公告)号：CN1505695A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN02808947.2
申请日：2002-03-21
申请人： 兰姆研究公司
CPC分类号： C04B35/50 , B01J19/0073 , B01J19/02 , B01J2219/0218 , B01J2219/024 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3817 , C04B2235/80 , C23C16/4404 , C23C28/042 , H01J37/32477 , Y10S156/915
摘要： 半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件，其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造，或者可供选择的，可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金，陶瓷材料，不锈钢，或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力，在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前，可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。
-
公开(公告)号：CN1345261A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN00805670.6
申请日：2000-10-17
申请人： SK株式会社
IPC分类号： B05D7/22
CPC分类号： B01J19/0026 , B01J19/2415 , B01J2219/00245 , B01J2219/0204 , B01J2219/024 , C10G9/203 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/40
摘要： 本发明涉及一种在烃裂解反应器的反应管内壁上在线涂膜的方法,该方法可以阻止在反应管内壁生成和沉积焦炭。该方法由如下步骤组成:将烷氧基金属和铬化合物的混合溶液与载气同时以1～5000千克/小时/盘管的流速,在600～900℃的温度和0～3千克/厘米2的压力下,气相沉积在反应管内壁上而形成缓冲层;将烷氧基金属气相沉积在缓冲层上而形成阻隔层;然后将碱金属/碱土金属化合物单独或与烷氧基金属混合后气相沉积在阻隔层上而作为除焦层。除焦层也可以进一步在扩散阻隔层上形成。
-
公开(公告)号：CN103906564B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201280052930.0
申请日：2012-09-07
申请人： 环球油品公司
发明人： M·S·桑达茨
CPC分类号： B01J8/1845 , B01J8/1872 , B01J8/34 , B01J19/02 , B01J2208/00938 , B01J2219/024 , C10G11/18 , F27D1/10 , F27D1/14 , F27D1/141 , F27D1/1626 , F27D2001/1631
摘要： 本发明的实施例包括用于使进料和催化剂反应的提升管反应器。提升管反应器壁限定出内部。连续的耐火衬层附接到反应器壁上并且限定出多个流动干涉器，所述流动干涉器自所述壁向内延伸到所述反应器内部，并且干涉所述进料和催化剂的流动模式。
-
公开(公告)号：CN104711024A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310686812.1
申请日：2013-12-13
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： C10G75/00 , B01J19/02 , B01J2219/024 , C01G25/006 , C01G29/006 , C07C4/02 , C09D1/00 , C09D7/00 , C10G9/00 , C10G9/16 , C10G9/203 , C10G2300/4075
摘要： 本发明涉及可暴露在碳材料副产品形成环境中的装置及其相应方法。对于可暴露在碳材料副产品形成环境中的表面的装置，该表面含化学式为AaBbO3-δ、具有ABO3钙钛矿结构的钙钛矿材料，其中0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.012 秒)
