公开(公告)号：CN118352397A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410623080.X

申请日：2024-05-20

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 李进吉 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种具有倾斜J‑FET区域的SiC MOS及制备方法；SiC MOS包括衬底、N‑漂移区、Pbody区和N+区；N‑漂移区设置于衬底的第一表面，Pbody区位于N‑漂移区上方且设置于两侧，两侧Pbody区之间形成J‑FET区；两侧Pbody区的宽度均在远离衬底的方向上递增，Pbody区用于形成J‑FET区的边侧为斜面或阶梯状，N+区位于Pbody区上方且与之接触；本发明通过多次离子注入使Pbody区和P+区的边侧形成斜面，J‑FET区具有倾斜边侧，减小原胞尺寸时不改变J‑FET区的宽度，进而不改变其电阻；通过漂移区电阻的下降控制整体导通电阻降低，减少器件的导通损耗。

公开(公告)号：CN117080077A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311250104.3

申请日：2023-09-25

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 刘辉 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种MOSFET器件制备方法及MOSFET器件，所述制备方法包括在碳化硅N+衬底表面生长N型外延区并刻蚀形成外延层；淀积得到氮化镓层并通过自对准工艺依次形成P‑WELL层、N Source层和P‑PLUS层；刻蚀去除自对准工艺中用于定位而淀积的第一栅极多晶硅层和第一氧化层，随后淀积并刻蚀得到第二氧化层及第二栅极多晶硅层，完成MOSFET器件制备；本发明通过引入自对准工艺进行设计制备，替代多次光刻步骤，避免过多的光刻步骤引入杂质或缺陷，同时便于控制生产成本；通过自对准工艺制备P‑WELL层、N Source层和P‑PLUS层等区域时定位精度更高，提升器件性能及可靠性。

公开(公告)号：CN116741816A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310722366.9

申请日：2023-06-19

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 徐吉 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法，包括：包括：N掺杂衬底；所述N掺杂衬底上方设有N掺杂漂移区；N掺杂衬底下方设有漏极金属；所述N掺杂漂移区上方设有N‑外延层；所述N‑外延层上方设有电流分散层；所述电流分散层左上方和右上方设有P+掺杂区；两侧所述P+掺杂区的内侧自上而下设有N+掺杂区和P‑掺杂区；所述电流分散层上方设有第一氧化层，所述第一氧化层为阶梯式结构，包括第一氧化层第一区和第一氧化层第二区。本发明采用具有阶梯结构的L型第一氧化层，提高了器件在反向工作时的栅氧可靠性，提高器件的击穿电压，集成的二极管在器件工作在第三象限时，会拥有更加快速的恢复时间。

公开(公告)号：CN113707624A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202111113297.9

申请日：2021-09-18

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其封装方法，包括：氮化镓芯片，其上设置有芯片门极、芯片源极和芯片漏极；引线框架，其位于氮化镓芯片的一侧，所述引线框架上的门极与所述芯片门极之间通过金属线连接，所述引线框架上的源极与芯片源极之间通过金属线连接，所述引线框架上的漏极与所述芯片漏极之间通过金属夹连接；壳体，其用于封装氮化镓芯片，所述金属夹包括封装部和散热部，所述封装部被封装在所述壳体内侧，所述散热部暴露在所述壳体外侧。其散热效果好，安全可靠，能够适用于中大功率领域。

公开(公告)号：CN118919561A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410956015.9

申请日：2024-07-17

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 李进吉 ,  孔令涛 ,  傅玥

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供一种具有时序差的双门级半导体器件及其制备方法，其包括：本体，其上设有发射极、基区和集电极，基区包括传输层组及辅助层组，传输层组连接发射极，辅助层组连接集电极；先驱门极和加速门极；当器件处于工作状态时，先驱门极与加速门极同时获得正电压，当器件由工作状态转换为关断状态时，加速门极先切换为负电压，以形成空穴反型通道，空穴电流通过空穴反型通道导出；先驱门极后切换为负电压，以完成关断。本发明能够通过控制先驱门极和加速门极电压切换的顺序在器件内部构件出额外的空穴反型通道，由此将器件关断时存在拖尾电流在短时间内导出，相比于常规半导体器件来说，本器件关断时间显著降低，器件使用频率大幅提高。

公开(公告)号：CN118352397B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410623080.X

申请日：2024-05-20

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 李进吉 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种具有倾斜J‑FET区域的SiC MOS及制备方法；SiC MOS包括衬底、N‑漂移区、Pbody区和N+区；N‑漂移区设置于衬底的第一表面，Pbody区位于N‑漂移区上方且设置于两侧，两侧Pbody区之间形成J‑FET区；两侧Pbody区的宽度均在远离衬底的方向上递增，Pbody区用于形成J‑FET区的边侧为斜面或阶梯状，N+区位于Pbody区上方且与之接触；本发明通过多次离子注入使Pbody区和P+区的边侧形成斜面，J‑FET区具有倾斜边侧，减小原胞尺寸时不改变J‑FET区的宽度，进而不改变其电阻；通过漂移区电阻的下降控制整体导通电阻降低，减少器件的导通损耗。

公开(公告)号：CN117497488A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311787430.8

申请日：2023-12-25

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 刘辉 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L27/07 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种集成JFET的MOS器件制备方法及MOS器件，属于半导体技术领域。包括：对外延层进行刻蚀，形成第一柱体、第二柱体和第一沟槽，在第一沟槽下方形成电流分散层；在电流分散层内靠近第一沟槽底壁一侧形成第一P‑区域，在第一P‑区域内靠近第一沟槽底壁一侧形成两个第一N‑区域；在两个第一N‑区域之间靠近第一沟槽底壁一侧形成第一P+区域；在两个第一N‑区域内靠近第一沟槽底壁一侧均形成第一N+区域以及第二P+区域；在第一沟槽内形成MOS器件的门极和源极，源极的底部与两个第一N+区域的顶部相接触。本申请在沟槽底部形成JFET区域提高了栅氧可靠性，降低了器件的漏电流，提高了器件的漏电性能和电气特性。

公开(公告)号：CN118763116A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411124525.6

申请日：2024-08-16

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 卓宁泽 ,  傅玥 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种微沟槽双栅mosfet器件及制备方法，包括衬底；外延层，其设置于衬底上并对称开设有两个沟槽，两沟槽之间设置有单组的体区和源区；隔离氧化层，其设置于沟槽中并将沟槽分隔为第一容置槽和第二容置槽；场氧化层，其覆盖于第一容置槽的内壁上；栅氧化层，其覆盖于第二容置槽的侧壁上；多晶硅，其包括分别填充于第一容置槽和第二容置槽中的第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅；密封氧化层，其设置于第二栅极多晶硅上。本发明在外延层的双沟槽之间设置单组的体区和源区，MOS管中pitch的宽度变小，可以提升芯片的集成度，减小器件的尺寸；并且可以减小MOS管的栅极电流和导通电阻，提高器件的性能；同时还可以降低互联电阻，提升信号传输速度。

公开(公告)号：CN115050656B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210816516.8

申请日：2022-07-12

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 傅玥 ,  周叶凡 ,  孔令涛

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法包括：基板层；集成器件，位于所述基板层上层；所述集成器件包括：氮化镓芯片，采用倒封装将所述氮化镓芯片上部通过所述基板与所述基板形成电气连接；续流二极管，所述续流二极管阳极通过所述基板与所述氮化镓芯片漏极。本发明采用基板将氮化镓芯片和续流二极管连接，避免因氮化镓芯片与续流二极管导线连接较长而产生寄生参数，影响器件的性能，提高了元器件的稳定性，还采用DBC板作为上层板，可以更好的进行热传导，更好的进行散热，这种设计还节省了空间，便于后续元器件的制备。

公开(公告)号：CN116278900A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310469701.9

申请日：2023-04-26

申请人： 南京芯干线科技有限公司

发明人： 孔令涛 ,  傅玥

IPC分类号： B60L53/60 ,  H02J7/00

摘要： 本发明涉及一种基于蜂巢储能的自适应充换电管理方法及系统，方法应用于基于蜂巢储能的自适应充换电管理系统，系统包括BMS电池管理模块，方法包括在接收到电池的充电请求时，BMS电池管理模块对电池进行标定，生成电池的标定信息；完成标定后，BMS电池管理模块获取电池的状态信息，并将电池的状态信息和标定信息打包发送至充电站，由充电站根据状态信息和标定信息对电池进行充电。本发明采用BMS电池管理模块预先对电池进行标定，根据标定信息对不同特性的电池进行自适应充换电管理，如此能够兼容不同电压、不同材料的电池，解决了现有技术充换电管理系统无法兼容不同特性电池的问题，具有效率高、噪音小、系统生命周期长的优点。