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公开(公告)号：CN110462814A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880006593.9
申请日：2018-12-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 一种自旋元件(100)，其具备：元件部，其包含第一铁磁性层(1)；通电部(5)，从第一铁磁性层(1)的层叠方向(Z方向)观察，其沿第一方向(X方向)延伸且面向第一铁磁性层(1)；电流路径(10)(10A、10B)，其从上述通电部(5)至半导体电路(30)(30A、30B)，在中途具有电阻调整部(11)(11A、11B)，电阻调整部(11)的电阻值比上述通电部(5)的电阻值大，构成电阻调整部(11)的材料的体积电阻率的温度系数比上述通电部(5)的材料的体积电阻率的温度系数小。
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公开(公告)号：CN103201951B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280003562.0
申请日：2012-01-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03F1/26 , H03F1/0222 , H03F1/3205 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/102
Abstract: 本发明所涉及的偏置控制电路既能够缓和放大器的失真特性，又能够抑制相对于低电平高频信号的增益降低。用于控制对高频信号实施放大的放大器（20）的偏置的偏置控制电路（10）具备对高频信号的包络线进行检波的检波器（11）、将一定的偏置电流提供给放大器（20）的第一偏置电路（12）、将跟随高频信号的包络线的电平变动而发生变动的偏置电流提供给放大器的第二偏置电路（14）。
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公开(公告)号：CN110462814B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880006593.9
申请日：2018-12-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种自旋元件(100)，其具备：元件部，其包含第一铁磁性层(1)；通电部(5)，从第一铁磁性层(1)的层叠方向(Z方向)观察，其沿第一方向(X方向)延伸且面向第一铁磁性层(1)；电流路径(10)(10A、10B)，其从上述通电部(5)至半导体电路(30)(30A、30B)，在中途具有电阻调整部(11)(11A、11B)，电阻调整部(11)的电阻值比上述通电部(5)的电阻值大，构成电阻调整部(11)的材料的体积电阻率的温度系数比上述通电部(5)的材料的体积电阻率的温度系数小。
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公开(公告)号：CN111129285A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911030932.X
申请日：2019-10-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供可靠性高的自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括：第1铁磁性层；和自旋轨道转矩配线，其第1面面对所述第1铁磁性层，从所述第1铁磁性层的层叠方向上俯视时所述自旋轨道转矩配线的长轴在第1方向上延伸，所述第1面沿与所述第1铁磁性层的层叠方向正交的基准面扩展，所述自旋轨道转矩配线包括：通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第1端且与所述第1方向正交的第1截断面；和通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第2端且与所述第1方向正交的第2截断面，所述第1截断面的面积与所述第2截断面的面积不同。
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公开(公告)号：CN112753099B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980062719.9
申请日：2019-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的存储元件具有：第1铁磁性层；第2铁磁性层；非磁性层，其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持；第1配线，其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸，在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层；和电极，其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层，所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010548B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711057038.2
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN112753099A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980062719.9
申请日：2019-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明的存储元件具有：第1铁磁性层；第2铁磁性层；非磁性层，其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持；第1配线，其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸，在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层；和电极，其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层，所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。
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公开(公告)号：CN108010548A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057038.2
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L43/04 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/14
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN113314169B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110489722.8
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN118201462A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410356463.5
申请日：2019-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的存储元件具有：第1铁磁性层；第2铁磁性层；非磁性层，其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持；第1配线，其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸，在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层；和电极，其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层，所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。
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