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公开(公告)号：CN118901292A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202280094448.7
申请日：2022-06-30
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 石谷优刚
IPC: H10B61/00
Abstract: 该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线、第一铁磁性层、第一柱状体、第二柱状体以及第一导电层。所述第一铁磁性层与所述自旋轨道转矩配线的至少一部分对置。从层叠方向观察，所述第一导电层在与所述第一铁磁性层不重叠的位置与所述自旋轨道转矩配线接触。第一柱状体贯通所述自旋轨道转矩配线，并与所述自旋轨道转矩配线以及所述第一导电层接触。从所述层叠方向观察，所述第二柱状体在与所述第一柱状体一起夹着所述第一铁磁性层的位置与所述自旋轨道转矩配线接触。
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公开(公告)号：CN118872404A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280094192.X
申请日：2022-07-06
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 石谷优刚
Abstract: 该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线、第一铁磁性层、第一通孔配线和第二通孔配线。所述第一铁磁性层与所述自旋轨道转矩配线的至少一部分对置，从层叠方向观察位于所述第一通孔配线与所述第二通孔配线之间。从所述层叠方向观察，所述自旋轨道转矩配线具有：与所述第一铁磁性层不重叠的第一区域以及第二区域；和与所述第一铁磁性层重叠的第三区域。所述第一区域的结晶性比所述第三区域的结晶性高。
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公开(公告)号：CN113366662B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202080010360.3
申请日：2020-05-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大，所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427965B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810995234.2
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种防止引起集成度的降低且能够容易地实现磁化旋转的自旋流磁化旋转元件。该自旋流磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；第一铁磁性层，其沿着与上述自旋轨道转矩配线的上述第一方向交叉的第二方向配置；第一磁场施加层，其沿着上述第一铁磁性层的上述第一方向分开配置，且将辅助上述第一铁磁性层的磁化旋转的辅助磁场施加于上述第一铁磁性层。
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公开(公告)号：CN113366662A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080010360.3
申请日：2020-05-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , G11C11/16
Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大，所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
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公开(公告)号：CN115039235A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095332.6
申请日：2020-03-13
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 石谷优刚
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03B15/00
Abstract: 本实施方式的磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线(20)；第一铁磁性层(1)，其层叠于上述自旋轨道转矩配线；和低电阻层(30)，其层叠于从上述自旋轨道转矩配线的层叠方向观察与第一铁磁性层不重叠的区域，上述自旋轨道转矩配线具有第一区域(21)、第二区域(22)以及第三区域(23)，从上述层叠方向观察，上述第一区域与上述第一铁磁性层重叠，从上述层叠方向观察，上述第二区域与上述第一铁磁性层及上述低电阻层不重叠，且位于上述第一区域和上述第三区域之间，从上述层叠方向观察，上述第三区域与上述低电阻层重叠，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线电阻率低，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线厚度薄。
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公开(公告)号：CN114628575A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111499478.X
申请日：2021-12-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。
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公开(公告)号：CN112951984A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011319561.X
申请日：2020-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁化旋转元件。该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线；以及第一铁磁性层，其相对于所述自旋轨道转矩配线位于第一方向，并且从所述自旋轨道转矩配线被注入自旋，所述自旋轨道转矩配线在所述第一方向具有：多个自旋产生层、和位于所述多个自旋产生层之间的插入层，所述插入层的电阻率比所述自旋产生层低。
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