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公开(公告)号：CN116602074A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084198.4
申请日：2021-01-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该磁阵列具有多个磁阻效应元件和对所述多个磁阻效应元件分别施加脉冲的脉冲施加装置，所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层和夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层，所述脉冲施加装置构成为能够对所述多个磁阻效应元件分别施加初始化脉冲和动作脉冲，所述初始化脉冲具有通过多次施加而使所述多个磁阻效应元件的电阻值的分布从初始分布扩展的第1脉冲，所述第1脉冲各自的电压比所述动作脉冲的电压小，或者所述第1脉冲各自的脉冲长度比所述动作脉冲的脉冲长度短。
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公开(公告)号：CN114497115A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111240536.7
申请日：2021-10-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该神经形态器件具备第一元件组和第二元件组，所述第一元件组和所述第二元件组分别包含多个磁畴壁移动元件，所述多个磁畴壁移动元件分别具备磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹持于所述磁畴壁移动层和所述铁磁性层之间的非磁性层，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度短，就输入了规定的脉冲时的电阻变化率而言，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件一方比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件大。
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公开(公告)号：CN113366662B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202080010360.3
申请日：2020-05-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大，所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
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公开(公告)号：CN113366662A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080010360.3
申请日：2020-05-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , G11C11/16
Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大，所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
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公开(公告)号：CN118786532A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202280093097.8
申请日：2022-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该神经形态器件具有多个成对元件、和控制多个成对元件的每一个的控制装置。多个成对元件分别具备第一磁阻效应元件、第二磁阻效应元件、和由第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件共用的读出电极。第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件分别具有参照层、磁记录层、非磁性层、和两个电极。读出电极遍及第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件的参照层而与其连接。在读出信号的特定的成对元件中，控制装置在第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件中使读出电流的流动方向相反，即，使读出电流从参照层朝向磁记录层流动，还是从磁记录层朝向参照层流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118742963A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202280093161.2
申请日：2022-03-09
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 山田章悟
Abstract: 该磁阵列具有多个磁阻效应元件以及对所述多个磁阻效应元件中的至少一个施加脉冲的脉冲施加装置。所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层。所述脉冲施加装置在不同的时刻输出第一脉冲和第二脉冲。所述第一脉冲以及所述第二脉冲的电压均是能够得到使所述磁畴壁移动层的磁畴壁移动所需的临界电流密度以上的电流密度的电压。所述第二脉冲其电压比所述第一脉冲的电压大、或其脉冲长度比所述第一脉冲的脉冲长度长。所述脉冲施加装置在每输出规定次数的所述第一脉冲时、或以规定概率输出所述第二脉冲。
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公开(公告)号：CN117642055A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310831474.X
申请日：2023-07-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该磁畴壁移动元件具备：第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层、第一磁化固定部、第二磁化固定部、第一表面层、第二表面层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持所述非磁性层，所述第二铁磁性层具有在内部形成有磁畴壁的区域，所述第一磁化固定部与所述第二铁磁性层相接，所述第二磁化固定部在不同于所述第一磁化固定部的位置与所述第二铁磁性层相接，所述第一磁化固定部比所述第二磁化固定部厚，所述第一表面层与所述第一磁化固定部的第一面相接，所述第二表面层与所述第二磁化固定部的第一面相接，所述第一表面层的与所述第一磁化固定部相接的部分的结构原子与所述第二表面层的与所述第二磁化固定部相接的部分的结构原子不同。
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公开(公告)号：CN110797059A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910593777.6
申请日：2019-07-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部，从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。
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公开(公告)号：CN116569676A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180082105.4
申请日：2021-03-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件包括：磁阻效应元件，其具有参照层、磁畴壁移动层和非磁性层，参照层和磁畴壁移动层包含铁磁性体；和分别与磁畴壁移动层直接或间接地接触的、彼此隔开间隔的第一磁化固定层和第二磁化固定层，第一磁化固定层具有：与磁畴壁移动层接触的第一区域；最靠近第一区域的非磁性的第一中间层；和与第一中间层接触的第二区域，第一区域具有与第一中间层接触的第一铁磁性层，第二区域具有与第一中间层接触的第二铁磁性层，第一铁磁性层和第二铁磁性层铁磁性耦合，第一区域中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构与第二磁化固定层中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构相同，第一区域的膜结构与第二区域的膜结构不同。
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公开(公告)号：CN110797059B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910593777.6
申请日：2019-07-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部，从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。
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