公开(公告)号：CN115700065A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038493.6

申请日：2021-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 滨中幸祐 ,  盐川阳平 ,  佐贯稔

IPC: H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

Abstract: 该磁化旋转元件具备自旋轨道转矩配线和与所述自旋轨道转矩配线相接的第1铁磁性层，所述配线从接近所述第1铁磁性层的一侧起依次具有第1层、第2层和第3层，构成所述第2层的材料的线膨胀系数在构成所述第1层的材料的线膨胀系数与构成所述第3层的材料的线膨胀系数之间。

公开(公告)号：CN114628575A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111499478.X

申请日：2021-12-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  石谷优刚 ,  滨中幸祐 ,  小村英嗣

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。

公开(公告)号：CN118402077A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202180105292.3

申请日：2021-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  石谷优刚 ,  滨中幸祐

IPC: H01L29/82 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线、与所述自旋轨道转矩配线连接的第一铁磁性层、以及在与所述第一铁磁性层不同的位置与所述自旋轨道转矩配线连接的配线，所述自旋轨道转矩配线和所述配线分别含有氮，所述自旋轨道转矩配线和所述配线的氮含量不同。

公开(公告)号：CN113632239B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202080001916.2

申请日：2020-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 滨中幸祐 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  G06N3/063 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式提供的自旋元件具备：配线(20)；层叠体(10)，其层叠于上述配线上，包含第一铁磁性层(1)；第一导电部(30)和第二导电部(40)，从层叠方向(z)俯视时，该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层；以及中间层(50)，其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接，构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小，或者，构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。

公开(公告)号：CN113632239A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080001916.2

申请日：2020-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 滨中幸祐 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  G06N3/063 ,  H01L43/08

Abstract: 本实施方式提供的自旋元件具备：配线(20)；层叠体(10)，其层叠于上述配线上，包含第一铁磁性层(1)；第一导电部(30)和第二导电部(40)，从层叠方向(z)俯视时，该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层；以及中间层(50)，其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接，构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小，或者，构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。