公开(公告)号：CN115700065A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038493.6

申请日：2021-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 滨中幸祐 ,  盐川阳平 ,  佐贯稔

IPC: H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

Abstract: 该磁化旋转元件具备自旋轨道转矩配线和与所述自旋轨道转矩配线相接的第1铁磁性层，所述配线从接近所述第1铁磁性层的一侧起依次具有第1层、第2层和第3层，构成所述第2层的材料的线膨胀系数在构成所述第1层的材料的线膨胀系数与构成所述第3层的材料的线膨胀系数之间。

公开(公告)号：CN109417100A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201880002574.9

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生 ,  川野朋美 ,  佐贯稔

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及自旋流磁化反转元件。该自旋流磁化反转元件具备：第1铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其沿着相对于第1铁磁性金属层的法线方向即第1方向交叉的第2方向延伸，且与第1铁磁性金属层接合；自旋轨道转矩配线具有与第1铁磁性金属层接合的自旋传导层，与自旋传导层接合且与第1铁磁性金属层的相反侧的面接合的自旋生成层层叠的结构。