公开(公告)号：CN117174759A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311129892.0

申请日：2018-10-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H10N50/10 ,  H10B99/00 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿着第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X2YZ表示的化合物。

公开(公告)号：CN112349831B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010777715.3

申请日：2020-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN115666208A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211376632.9

申请日：2018-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N52/00 ,  H10N52/85

Abstract: 本发明所涉及的层叠结构为位于非磁性金属层(5B)上的层叠结构，并具备铁磁性层(6)、介于非磁性金属层(5B)与铁磁性层(6)之间的中间层(5C)，中间层(5C)包含以通式(1)所表示的NiAlX合金层。Niγ1Alγ2Xγ3……(1)[X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5。

公开(公告)号：CN113036032A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011519004.2

申请日：2020-12-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。

公开(公告)号：CN111725393B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202010190069.0

申请日：2020-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  中田胜之

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/85 ,  H10N52/01

Abstract: 本发明提供一种隧道势垒层，其包含非磁性氧化物，晶体结构既包括规则尖晶石结构也包括不规则尖晶石结构。

公开(公告)号：CN117082959A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311133595.3

申请日：2020-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N52/85 ,  H10N50/20 ,  H10N52/00 ,  H10N50/00 ,  C22C30/00

Abstract: 本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN116940215A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311130097.3

申请日：2020-02-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。

公开(公告)号：CN110660907B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201910561313.7

申请日：2019-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 一种磁阻效应元件，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。

公开(公告)号：CN113748526A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201980095846.9

申请日：2019-12-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H01L43/10 ,  H01F10/26 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。

公开(公告)号：CN112993148A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011422090.5

申请日：2020-12-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。