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公开(公告)号：CN118284252A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211737968.3
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/115 , H10K59/10
摘要： 本申请提供了一种量子点发光基板的制作方法、量子点发光基板及显示装置，其中，量子点发光基板的制作方法包括：在衬底基板上依次制备第一电极层、像素定义层和第一功能层；在第一功能层上制备量子点发光层；在量子点发光层上采用喷墨打印工艺制备有机绝缘层；在有机绝缘层上采用喷墨打印工艺制备第二功能层，第二功能层侵蚀部分有机绝缘层；或者，在衬底基板上依次制备第一电极层、像素定义层和第一功能层；在第一功能层上采用喷墨打印工艺制备有机绝缘层；在有机绝缘层上采用喷墨打印工艺制备量子点发光层，量子点发光层侵蚀部分有机绝缘层。本申请有利于提高膜层均匀性，使发光基板具有良好的性能和较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118234350A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211643693.7
申请日：2022-12-20
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种复合材料及其制备方法和发光器件，属于显示技术领域。复合材料包括无机粒子以及包裹在无机粒子外部的金属有机框架材料。本申请的复合材料由于在无机粒子外包覆有金属有机框架，以使金属有机框架具有降低无机粒子电子注入效率的作用；同时，金属有机框架材料包裹无机粒子的厚度可根据需要进行控制，保证了复合材料颗粒大小具有一致性，提高了复合材料应用时的工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN117998889A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211319894.1
申请日：2022-10-26
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 王劲
IPC分类号： H10K50/844 , H10K50/82 , H10K71/00
摘要： 本申请公开了一种发光器件及其制备方法及显示装置，发光器件包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和复合阴极，其中：所述电子功能层的材料包括金属氧化物，所述复合阴极中包含金属颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括至少一种具有如下化学式的修饰化合物：R‑S‑X；R为含第一不饱和键的基团，X为氢或者一价有机基团X1，S原子和所述第一不饱和键之间间隔的原子数大于1，且所述S原子与所述金属颗粒配位连接。本申请公开的发光器件在通电情况下的电老化稳定性较佳。
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公开(公告)号：CN117769286A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211131092.8
申请日：2022-09-16
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K59/10 , H10K71/00
摘要： 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，包括层叠的阳极、空穴功能层、发光层及阴极，所述空穴功能层的材料包括核壳结构颗粒，所述核壳结构颗粒的核的材料选自P型半导体材料，所述核壳结构颗粒的壳的材料选自N型半导体材料。所述核壳结构颗粒中的核与壳之间形成了一种PN结效应，PN结形成的内部电场方向是由核指向壳，空穴载流子在PN结的作用下由P型半导体材料流向N型半导体材料层，在内部电场力的作用下，能够加速空穴的提取与传输，从而提升空穴功能层一侧的载流子传输能力，进而提高所述光电器件的载流子平衡性，提高所述光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN116437710A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111650750.X
申请日：2021-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管，包括第一电极；第二电极，第二电极相较于第一电极更靠近发光二极管的出光侧；发光层，发光层设置于第一电极和第二电极之间；第一功能层，第一功能层设置于发光层和第二电极之间，并且第一功能层与第二电极相邻设置；以及至少一个凸起，至少一个凸起设置于第一功能层的靠近第二电极的一侧，向第二电极延伸并被第二电极覆盖。本发明提供的发光二极管具有较高的外量子效率。
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公开(公告)号：CN113130752B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201911417268.4
申请日：2019-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合衬底和柔性显示屏。本发明提供的复合衬底，包括：结构单元，结构单元包括：柔性衬底以及设置在所述柔性衬底上的金属层；所述柔性衬底上设置有第一凹凸结构，且所述第一凹凸结构设置在所述柔性衬底与所述金属层相接的表面。该复合衬底具有优异的可弯折性能和良好的密封性，可有效阻隔外界环境中的水分和氧气。将该复合衬底应用于制备柔性显示屏，可对柔性显示屏中的各功能薄层起到良好的保护作用，有利于提高柔性显示屏的寿命，以及促进柔性显示屏的商业化应用。
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公开(公告)号：CN113054121B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201911384737.7
申请日：2019-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料包括ZnO纳米晶，以及结合在所述ZnO纳米晶上的表面配体，所述表面配体的结构如下式1所示，式1中，R1、R2、R3各自独立地选自烷基、烷氧基、羟基烷氧基、羟基、氢原子中的至少一种；R4选自碳原子数为5‑60的烃基，且所述烷基、烷氧基、所述羟基烷氧基中的碳原子数为1‑5。本发明提供的纳米材料，ZnO纳米晶的表面配体既能钝化ZnO纳米晶表面的悬挂键和氧空位等导致的缺陷态，又可以调控ZnO纳米晶的电子迁移率，并提高溶液稳定性。
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公开(公告)号：CN113036043B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911346925.0
申请日：2019-12-24
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构。该空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构，该隧穿结结构可以形成内建电场，而六方氮化硼材料在隧穿结结构中能改善电流扩展效率，增加空穴的隧穿几率；这样，具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层可以提高空穴迁移率，进而提高器件的空穴注入效率，最终提高了器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN117903433A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211233968.X
申请日：2022-10-10
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C08G73/02 , H10K50/15 , H10K50/115
摘要： 本申请公开了一种化合物、化合物的制备方法、光电器件及电子设备，所述化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：#imgabs0#其中，Rt为不存在或者为#imgabs1#R3和R4分别独立地选自碳原子数为4至17的烷基、或碳原子数为4至17的烷氧基，Rs选自包含卤素基团的基团，m为正整数。所述光电器件包括空穴传输层，空穴传输层的材料包括所述化合物或所述制备方法制得的化合物，能够促进电子‑空穴传输平衡，并提高复合发光效率，从而提升光电器件的综合性能；将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117769341A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211130509.9
申请日：2022-09-15
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，通过在发光层与电子功能层之间设置界面修饰层，所述界面修饰层包括聚甲基丙烯酸(PMAA)与贵金属离子的络合物，所述络合物中PMAA为一种高分子有机绝缘材料，具有非常高的LUMO以及很低HOMO能级，因此所述络合物结构稳定且能作为电子阻挡材料使用，所述界面修饰层能够对电子传输端一侧的电子传输效率进行调控，提高光电器件的载流子传输的平衡性，提高光电器件的发光效率等性能。而所述贵金属离子，能够引发局域表面等离子体共振(LSPR)，从而提高光电器件的发光效率。
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