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公开(公告)号:CN114686232B
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202011617614.6
申请日:2020-12-30
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管,其中,所述筛分方法包括步骤:将表面连接有有机配体的初始量子点分散在第一溶剂中,得到初始量子点溶液;向所述初始量子点溶液中逐渐加入非溶性溶剂并混合,使初始量子点按照粒径从大到小的顺序逐渐沉淀,将沉淀物按时间先后顺序分段收集,得到筛分后量子点,所述非溶性溶剂与所述第一溶剂互溶,且与所述有机配体互不相溶。本发明分离得到的量子点尺寸偏差最小可以控制在5%以内,从而获得尺寸均一的量子点材料;将所述尺寸均一的量子点作为量子点发光层材料,可有效提高量子点发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号:CN116981327A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202210420939.8
申请日:2022-04-20
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开一种空穴传输薄膜、光电器件、制备方法及显示装置,空穴传输薄膜包括第一聚合物和第二聚合物;第一聚合物是由含芴的基团和含三苯胺的基团形成的嵌段共聚物;第二聚合物是由含芴的基团、含三苯胺的基团和自交联基团形成的嵌段共聚物,并且第二聚合物中的氢原子全部或者部分被氟原子取代。本申请的空穴传输薄膜靠近顶层主要是第二聚合物,第二聚合物中的交联结构,具有更好的抗溶剂性,可以防止发光层的材料成分渗透至空穴传输薄膜中,从而可以减少两者发生界面互溶的情况,以提高器件的电流效率。
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公开(公告)号:CN116981324A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202210405597.2
申请日:2022-04-18
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开了发光二极管膜层的成膜方法,涉及显示技术领域。发光二极管膜层的成膜方法包括:提供基板;以及往基板上施加雾化的成膜溶液并沉积成膜溶液;其中,成膜溶液的雾化方式为利用兆声波雾化成膜溶液,兆声波的频率为400~1000kHz。并且可以利用兆声波分散或合成成膜溶液,并直接雾化成膜。通过该成膜方法能够提高膜层的平整度,从而提高的器件性能。
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公开(公告)号:CN114122270B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202010869025.0
申请日:2020-08-26
申请人: TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号: H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y30/00
摘要: 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括:阳极,阴极,设置在阳极与阴极之间的量子点发光层,设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层,以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层,间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒,硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2(S1‑xSex)3,其中,0
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公开(公告)号:CN116156928A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202111389320.7
申请日:2021-11-19
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件,该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面,以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷,减少表面缺陷对于电子的捕获,将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时,可以改善发光层的猝灭效应,从而提高器件的稳定性。此外,该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长,防止纳米材料的团聚,增强纳米材料的稳定性。
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公开(公告)号:CN116033811A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202111235792.7
申请日:2021-10-22
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请实施例提供一种量子点发光薄膜及其制备方法以及发光器件,在制备形成发光器件内的量子点发光薄膜时,含有配体修饰的量子点材料与前驱体溶液以及卤化有机物进行混合,使所述钙钛矿前驱体溶液中的钙钛矿材料结晶,并对其干燥成膜,最终得到量子点发光层。本申请实施例中的钙钛矿材料能填充在该量子点发光层的层内间隙中,从而有效的增强载流子在量子点间的传输效率,并有效的提高了量子点发光层的光电性能。
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公开(公告)号:CN113122231B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201911417449.7
申请日:2019-12-31
申请人: TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号: C09K11/02 , C09K11/88 , H10K50/115
摘要: 本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管,所述量子点包括:CdXZn1‑XSe量子点核,沿所述CdXZn1‑XSe量子点核径向方向上从内向外,X逐渐减小,其中0<X<1;第一外壳,所述第一外壳形成在所述CdXZn1‑XSe量子点核的表面上;第二外壳,所述第二外壳形成在所述第一外壳远离所述CdXZn1‑XSe量子点核一侧的表面上。本发明提供了一种具有梯度合金结构的量子点,其中,CdXZn1‑XSe量子点核是成分梯度变化的合金,CdSe成分在内核占主导,ZnSe成分在外核占主导,由于CdSe的禁带宽度小于ZnSe,因此CdXZn1‑XSe量子点核的能级向外连续且变宽,这种结构更有利于电荷的传输及复合发光,从而提高蓝色量子点发光二极管器件的性能。
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公开(公告)号:CN115835668A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202111080937.0
申请日:2021-09-15
申请人: TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号: H10K50/115 , H10K50/11
摘要: 本申请公开了一种发光器件和显示面板,发光器件包括第一电极、发光层和第二电极,发光层设置于第一电极上,发光层的材料包括第一种材料和第二种材料,第一种材料的导带能小于第二种材料的导带能级,且第一种材料的价带能级小于第二种材料的价带能级,其中,第一种材料包括第一发光纳米颗粒和包覆第一发光纳米颗粒的第一配体,第二种材料包括第二发光纳米颗粒和包覆第二发光纳米颗粒的第二配体,第二电极设置于发光层上。在本申请中,发光层的材料采用不同导带能级或价带能级的材料形成,从而将载流子限制在发光层中,提高了载流子的复合机率,并提高载流子的注入效率,进而提高了发光器件的发光效率。
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公开(公告)号:CN111592884B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN201910128626.3
申请日:2019-02-21
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本发明提供一种磷化铟量子点的制备方法,所述制备方法包括步骤:将镉源前驱体溶液与磷源前驱体溶液混合,在第一温度下,反应制得CdP纳米簇;将所述CdP纳米簇与铟源前驱体混合,在第二温度下,反应生成磷化铟量子点核,所述第二温度高于第一温度。通过本发明制备的磷化铟量子点粒径分布均匀、尺寸可控、且发射峰波长可达到500nm以下,从而实现发蓝光。
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