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公开(公告)号：CN116410734A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111626163.7
申请日：2021-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 夏思雨
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/115 , H10K59/10
摘要： 本申请公开一种量子点及其制备方法、光电器件及显示装置。所述量子点包括核和设在所述核外的ZnS壳层，所述核包括磷化铟壳核和铈化合物。铈化合物能够钝化磷化铟核内的缺陷，提高量子点的发光强度，提高量子点的稳定性，收窄半峰宽，通过控制铈化合物的掺量可以对吸收波长和发射波长进行调节。
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公开(公告)号：CN114695747A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641010.5
申请日：2020-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管，其中，所述复合材料包括金属有机框架材料以及负载在所述金属有机框架材料上的荧蒽与炔烃，所述荧蒽与炔烃通过共价键连接。本发明炔烃中的π‑π共轭，可以减少荧蒽核心与炔基的扭转角，使其共平面以降低复合材料的HOMO值，加强荧蒽作为空穴传输层的空穴传输能力；引入的金属有机框架材料具有介电作用，可以有效调节材料的电阻率，从而有效地降低电子迁移速率，进而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的。
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公开(公告)号：CN114122270A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010869025.0
申请日：2020-08-26
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层，以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层，间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒，硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2(S1‑xSex)3，其中，0
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公开(公告)号：CN118271769A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211740061.2
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 夏思雨
IPC分类号： C08L33/02 , C08L79/02 , C08L65/00 , C08G73/02 , C08G61/12 , C08F120/06 , C08F120/04 , G09F9/33 , H10K50/844
摘要： 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置。本申请提供的所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐，从而使所述复合材料具备较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能以及较好的电化学活性和高稳定性。
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公开(公告)号：CN115707319A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110919437.5
申请日：2021-08-11
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K85/10 , H10K50/15 , H10K50/115
摘要： 本申请公开了一种复合材料和QLED器件。所述复合材料可应用于QLED显示面板中，所述复合材料包括聚芴和金属有机框架材料，其中，所述聚芴负载在所述金属有机框架材料的孔隙内。本申请复合材料中的聚芴负载在所述金属有机框架材料的空隙内，有效避免了聚芴发生团聚，同时金属有机框架作为聚芴的支撑，可以提高材料的结构稳定性。将所述复合材料应用于QLED器件中，可以提高空穴传输效率和提高QLED器件的光学性能。
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公开(公告)号：CN113130783B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201911413164.6
申请日：2019-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的过渡层，过渡层的材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，金属有机框架材料具有孔道结构，贵金属纳米颗粒负载在孔道结构中。解决了现有发光二极管存在的电子传输速率与空穴传输速率不平衡的问题，并提高了发光二极管的发光性能。
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公开(公告)号：CN112442370B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910800817.X
申请日：2019-08-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本发明属于量子点工艺技术领域，具体涉及一种各向异性量子点的提纯方法。该各向异性量子点的提纯方法包括如下步骤：提供初始各向异性量子点溶液；向所述初始各向异性量子点溶液中加入沉淀剂，进行第一离心分离，得到沉淀物；将所述沉淀物溶解在分散剂中，进行第二离心分离，去上层液，得到提纯后的各向异性量子点；其中，所述第一离心分离的离心速度大于所述第二离心分离的离心速度。该提纯方法可以有效去除各向异性量子点中副产物，具有过程简单、操作简便且易重复的特点，非常适合其后续广泛的应用。
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公开(公告)号：CN118265422A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211678617.X
申请日：2022-12-26
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种复合材料及其制备方法、发光器件、显示装置，该复合材料包括：复合金属氧化物，其中，复合金属氧化物具有自由基捕获剂，本申请提供的具有自由基捕获剂修饰的复合金属氧化物的复合材料，抑制了紫外光对发光器件的发光层中的发光材料的破坏，提升了发光器件的发光效率并延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN114122270B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202010869025.0
申请日：2020-08-26
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层，以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层，间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒，硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2(S1‑xSex)3，其中，0
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公开(公告)号：CN116113293A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322122.9
申请日：2021-11-09
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 夏思雨
IPC分类号： H10K85/10 , H10K50/844 , H10K71/00 , H10K59/10
摘要： 本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，括层叠设置的阳极、发光层及阴极，在阳极与发光层之间设置有第一缓冲层；和/或在发光层与阴极之间设置有第二缓冲层；其中，第一缓冲层和第二缓冲层的材料包括双硼氮桥联联吡啶类化合物。n型共轭的双硼氮桥联联吡啶类化合物有利于出入和传导载流子，降低空穴跃迁势垒、提高空穴传输速率，能够提高LUMO能级和电子注入势垒，降低电子传输速率，从而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高器件效率。
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