本申请公开了一种化合物、化合物的制备方法、光电器件及电子设备，所述化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：#imgabs0#其中，Rt为不存在或者为#imgabs1#R3和R4分别独立地选自碳原子数为4至17的烷基、或碳原子数为4至17的烷氧基，Rs选自包含卤素基团的基团，m为正整数。所述光电器件包括空穴传输层，空穴传输层的材料包括所述化合物或所述制备方法制得的化合物，能够促进电子‑空穴传输平衡，并提高复合发光效率，从而提升光电器件的综合性能；将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。