发明公开
CN116437710A 发光二极管及其制备方法
审中-实审
- 专利标题： 发光二极管及其制备方法
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申请号： CN202111650750.X申请日： 2021-12-30
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公开(公告)号： CN116437710A公开(公告)日： 2023-07-14
- 发明人: 扶胜娟 , 夏思语 , 李龙基 , 马兴远 , 王劲
- 申请人： TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构： 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 杜蕾
- 主分类号： H10K50/85
- IPC分类号： H10K50/85 ; H10K50/10 ; H10K71/00
摘要：
本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管，包括第一电极；第二电极，第二电极相较于第一电极更靠近发光二极管的出光侧；发光层，发光层设置于第一电极和第二电极之间；第一功能层，第一功能层设置于发光层和第二电极之间，并且第一功能层与第二电极相邻设置；以及至少一个凸起，至少一个凸起设置于第一功能层的靠近第二电极的一侧，向第二电极延伸并被第二电极覆盖。本发明提供的发光二极管具有较高的外量子效率。
