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公开(公告)号：CN110651404B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201880032776.8
申请日：2018-05-18
申请人： LG 伊诺特有限公司
摘要： 根据实施例的激光二极管可以包括：衬底；布置在衬底上的多个发光结构，发光结构中的每个包括第一反射层和第二反射层；与发光结构的第一反射层电连接的第一电极；与发光结构的第二反射层电连接的第二电极；布置在第一电极上的第一绝缘层；与第一电极电连接并布置在衬底上的第一结合焊盘；以及与第二电极电连接并且布置在衬底上的第二结合焊盘。
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公开(公告)号：CN107210340A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074190.4
申请日：2015-12-30
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38 , H01L21/285 , H01L21/687
摘要： 一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。
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公开(公告)号：CN118117024A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410176604.5
申请日：2018-03-21
申请人： LG 伊诺特有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体元件封装和自动聚焦装置。该半导体元件封装，包括：半导体元件，其被布置在第一衬底上方；第一和第二电极，其被布置在第一衬底上方并且电连接到半导体元件；壳体，其被布置在第一衬底上方并且被布置在半导体元件周围，并且在其上部区域中具有台阶部分；扩散部件，其被布置在壳体的台阶部分上并且被布置在半导体元件上方；以及多个通孔，其穿透第一衬底和壳体。
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公开(公告)号：CN105742444B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201510998904.2
申请日：2015-12-28
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L25/075
摘要： 本发明涉及发光器件、发光器件阵列和包括发光器件阵列的照明装置。实施例提供包括发光结构的发光器件，该发光器件包括：第一导电型半导体层、布置在第一导电型半导体层上的有源层和布置在有源层上的第二导电型半导体层；导电接触第一导电型半导体层的第一电极；布置在发光结构的一部分和第一电极上的绝缘层；和导电接触第二导电型半导体层的第二电极；第一电极包括从第一导电型半导体层的侧表面突出的第一部分。
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公开(公告)号：CN118117025A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410176620.4
申请日：2018-03-21
申请人： LG 伊诺特有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体元件封装和自动聚焦装置。该半导体元件封装，包括：半导体元件，其被布置在第一衬底上方；第一和第二电极，其被布置在第一衬底上方并且电连接到半导体元件；壳体，其被布置在第一衬底上方并且被布置在半导体元件周围，并且在其上部区域中具有台阶部分；扩散部件，其被布置在壳体的台阶部分上并且被布置在半导体元件上方；以及多个通孔，其穿透第一衬底和壳体。
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公开(公告)号：CN107210340B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201580074190.4
申请日：2015-12-30
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38 , H01L21/285 , H01L21/687
摘要： 一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。
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公开(公告)号：CN107112394A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071060.5
申请日：2015-12-24
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 在一个实施例中提供了一种发光二极管，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、位于第一导电半导体层顶部的有源层、以及位于有源层顶部的第二导电半导体层；第一电极，布置在第一导电半导体层的一部分上；绝缘层，布置在第一电极、第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的一部分上，并且具有DBR结构；以及第二电极，布置在第二导电半导体层上，其中第一电极经由第一表面与绝缘层接触，并且经由与第一表面相对的第二表面暴露于绝缘层。
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公开(公告)号：CN105742444A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510998904.2
申请日：2015-12-28
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L25/075
摘要： 本发明涉及发光器件、发光器件阵列和包括发光器件阵列的照明装置。实施例提供包括发光结构的发光器件，该发光器件包括：第一导电型半导体层、布置在第一导电型半导体层上的有源层和布置在有源层上的第二导电型半导体层；导电接触第一导电型半导体层的第一电极；布置在发光结构的一部分和第一电极上的绝缘层；和导电接触第二导电型半导体层的第二电极；第一电极包括从第一导电型半导体层的侧表面突出的第一部分。
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公开(公告)号：CN118248811A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410176789.X
申请日：2018-03-21
申请人： LG 伊诺特有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体元件封装和自动聚焦装置。该半导体元件封装，包括：半导体元件，其被布置在第一衬底上方；第一和第二电极，其被布置在第一衬底上方并且电连接到半导体元件；壳体，其被布置在第一衬底上方并且被布置在半导体元件周围，并且在其上部区域中具有台阶部分；扩散部件，其被布置在壳体的台阶部分上并且被布置在半导体元件上方；以及多个通孔，其穿透第一衬底和壳体。
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公开(公告)号：CN107112394B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201580071060.5
申请日：2015-12-24
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 在一个实施例中提供了一种发光二极管，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、位于第一导电半导体层顶部的有源层、以及位于有源层顶部的第二导电半导体层；第一电极，布置在第一导电半导体层的一部分上；绝缘层，布置在第一电极、第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的一部分上，并且具有DBR结构；以及第二电极，布置在第二导电半导体层上，其中第一电极经由第一表面与绝缘层接触，并且经由与第一表面相对的第二表面暴露于绝缘层。
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