公开(公告)号：CN101133364A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006646.4

申请日：2006-02-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 今野圭二 ,  田中正人 ,  石井桃子 ,  高桥纯一 ,  永井智树

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。Rb1Rc2Si(OR3)4－a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。

公开(公告)号：CN101133364B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200680006646.4

申请日：2006-02-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 今野圭二 ,  田中正人 ,  石井桃子 ,  高桥纯一 ,  永井智树

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。R1bR2cSi(OR3)4-a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。

公开(公告)号：CN101427183A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014538.6

申请日：2007-03-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 能村仲笃 ,  今野洋助 ,  杉田光 ,  高桥纯一

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/106

Abstract: 本发明提供一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，通式(1)中，R1表示羟基等，X表示碳原子数为1～20的可以取代的亚烷基等，n是0～6的整数，m是1～8的整数，n+m是1～8的整数，多个R1和X可以相同也可以不同。