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公开(公告)号：CN107533991A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026329.2
申请日：2016-04-28
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明是一种焊料电极的制造方法，其包括：步骤(1)，在具有电极垫的基板上形成感光性树脂组合物的涂膜；步骤(2)，通过将所述涂膜选择性曝光，进而进行显影，而在与电极垫对应的区域形成具有开口部的抗蚀剂；步骤(3)，在所述开口部填充熔融焊料；且所述感光性树脂组合物至少含有苯并噁唑前体。本发明的焊料电极的制造方法如IMS法等那样，即便在焊料填充时抗蚀剂受到高热的情况下，也可防止抗蚀剂表面的龟裂产生，并可提高焊料填充能力，因此可恰当地制造适合于目的的焊料电极。
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公开(公告)号：CN107533987A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021417.3
申请日：2016-03-01
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/1131 , H01L2224/1147 , H01L2224/11618
Abstract: 本发明是一种焊料电极的制造方法，其包括：步骤(1)，在具有电极垫的基板上形成感光性树脂组合物的涂膜；步骤(2)，通过对所述涂膜选择性地进行曝光，进而进行显影，而形成在与所述电极垫对应的区域具有开口部的抗蚀剂；步骤(3)，对所述抗蚀剂进行加热和/或曝光；以及步骤(4)，将熔融焊料一边加热一边填充于所述开口部。本发明的焊料电极的制造方法是即便在如注入模具式焊料法等那样，在焊料填充时抗蚀剂受到高热的情况下，也可防止抗蚀剂表面的龟裂产生，可提高焊料填充能力，因此可确实地制造适合于目的的焊料电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103834049A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585965.7
申请日：2013-11-19
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及一种保护膜的形成方法、保护膜、硬化性组合物以及积层体。本发明提供一种晶片级封装用保护膜的形成方法，其通过将硬化性组合物涂布于具有半导体元件的晶片上，使所得的涂膜硬化而形成保护膜，所述硬化性组合物含有：含烯基的聚硅氧烷(A)、氢化聚硅氧烷(B)以及硅氢化反应用催化剂(C)，并且满足特定的条件。依据本发明的钝化膜的形成方法，即便是于晶片级封装技术中遍及宽广面积而形成保护膜的情况，也可以抑制晶片的翘曲以及保护膜的龟裂的产生。
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公开(公告)号：CN106463425B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580029121.1
申请日：2015-06-12
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明涉及一种焊料电极及层叠体的制造方法、层叠体及电子零件。焊料电极的制造方法包括：在设置于具有电极垫的基板上的覆膜的与基板上的电极垫相对应的部分形成开口部，由此由覆膜在基板上形成阻焊剂；及在阻焊剂的开口部中填充熔融焊料，其中：阻焊剂包含含有树脂作为构成成分的至少两层，且阻焊剂的距基板最近的层(1)实质上不含通过热使作为构成成分而含有于层(1)中的树脂进行交联的成分、及通过热进行自交联的成分。据此，即便在使用伴随高温处理的方法的情形时，阻焊剂受到的损害也小，基板与阻焊剂间的接着性优异，而可确实地形成目标焊料电极。因此，可有效地用于利用注塑焊接法的凸块形成等。
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公开(公告)号：CN106463425A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029121.1
申请日：2015-06-12
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本发明的焊料电极的制造方法包括：步骤(I)，在设置于具有电极垫的基板上的覆膜的与所述基板上的电极垫相对应的部分形成开口部，由此由所述覆膜在所述基板上形成阻焊剂；及步骤(II)，在所述阻焊剂的开口部中填充熔融焊料，所述焊料电极的制造方法的特征在于：所述阻焊剂包含含有树脂作为构成成分的至少两层，且所述阻焊剂的距所述基板最近的层(1)实质上不含通过热使作为构成成分而含有于层(1)中的树脂进行交联的成分、及通过热进行自交联的成分。根据本发明的焊料电极的制造方法，即便在使用伴随高温处理的方法的情形时，阻焊剂受到的损害也小，基板与阻焊剂间的接着性优异，而可确实地形成目标焊料电极。本发明的焊料电极的形成方法可有效地用于利用注塑焊接法的凸块形成等。
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公开(公告)号：CN102757650B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210129278.X
申请日：2012-04-20
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本发明涉及一种固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷，该组合物含有具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)(但是排除聚硅氧烷(A))、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物，以该固化性组合物中所含的全部成分的含量的合计为100质量％时，聚硅氧烷(A)的含有比例为40～90质量％。本发明的固化性组合物是可形成兼顾了对基板、金属布线等的高粘接性和LED等高的初期亮度的固化物的氢硅烷类聚硅氧烷组合物。因此，用由该固化性组合物获得的固化物覆盖半导体发光元件而获得的光半导体装置的初期亮度高，并且即使在接受了热循环的情况下固化物的粘接性也高，例如不会发生固化物从封装体剥落等情况。
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公开(公告)号：CN102757650A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129278.X
申请日：2012-04-20
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本发明涉及一种固化性组合物、固化物、光半导体装置以及聚硅氧烷，该组合物含有具有烯基及密接性基团的聚硅氧烷(A)、每1分子中至少具有两个与硅原子结合的氢原子的聚硅氧烷(B)(但是排除聚硅氧烷(A))、硅氢化反应用催化剂(C)的固化性组合物，以该固化性组合物中所含的全部成分的含量的合计为100质量％时，聚硅氧烷(A)的含有比例为40～90质量％。本发明的固化性组合物是可形成兼顾了对基板、金属布线等的高粘接性和LED等高的初期亮度的固化物的氢硅烷类聚硅氧烷组合物。因此，用由该固化性组合物获得的固化物覆盖半导体发光元件而获得的光半导体装置的初期亮度高，并且即使在接受了热循环的情况下固化物的粘接性也高，例如不会发生固化物从封装体剥落等情况。
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