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公开(公告)号：CN117209137A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311153128.7
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明是一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔百分率计，含有SiO257～70％、Al2O35～15％、B2O315～24％、MgO 0.2～10％、CaO 0.1～7％、SrO 0.1～2.5％、BaO 0～10％、ZnO 0～0.1％，由[Al2O3]/[B2O3]表示的式(A)的值超过0.35且为1.4以下。
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公开(公告)号：CN117164228A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310947445.X
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。
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公开(公告)号：CN113039163A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075171.1
申请日：2019-11-11
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO2+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN117209138A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311155928.2
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明是一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔百分率计，含有SiO257～70％、Al2O35～15％、B2O315～24％、MgO 0.2～10％、CaO 0.1～7％、SrO 0.1～2.5％、BaO 0～10％、ZnO 0～0.1％，由[Al2O3]/[B2O3]表示的式(A)的值超过0.35且为1.4以下。
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公开(公告)号：CN115989200A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052391.X
申请日：2021-08-25
申请人： AGC株式会社
IPC分类号： C03C3/091
摘要： 本发明涉及一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔％表示，含有SiO2 50～78％、Al2O3 2～6％、B2O3 18～35％、MgO 1～6％、CaO 0～6％、SrO 0～6％、BaO 0～3％，式(A)为[MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO]，上述式(A)的值为2％～6％，式(B)为[Al2O3]－([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，上述式(B)的值为－3％～2％。
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公开(公告)号：CN113677637A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080028313.1
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。
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公开(公告)号：CN113661148B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202080027679.7
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
IPC分类号： C03C3/091 , C03B17/06 , C03B18/02 , C03B32/00 , C03C3/064 , C03C3/093 , C03C3/095 , C03C3/097 , B60J1/00 , C03C3/118 , H01Q1/38 , H05K1/03
摘要： 本发明是一种无碱玻璃，以氧化物基准的摩尔百分率计，含有SiO257～70％、Al2O35～15％、B2O315～24％、MgO 0.2～10％、CaO 0.1～7％、SrO 0.1～2.5％、BaO 0～10％、ZnO 0～0.1％，由[Al2O3]/[B2O3]表示的式(A)的值超过0.35且为1.4以下。
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公开(公告)号：CN115485249A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032004.6
申请日：2021-04-27
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明涉及一种玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔百分率计，所述玻璃含有：45％～65％的SiO2、18％～30％的Al2O3、7％～15％的Li2O、合计0～10％的选自Y2O3和La2O3中的一种以上、0～10％的P2O5、0～10％的B2O3和0～4％的ZrO2，并且[Al2O3]‑[R2O]‑[RO]‑[P2O5]＞0，其中，[Al2O3]为Al2O3的含量，[P2O5]为P2O5的含量，[R2O]为碱金属氧化物的总含量，[RO]为碱土金属氧化物的总含量。
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公开(公告)号：CN118702407A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410683865.6
申请日：2019-11-11
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明涉及高频器件用玻璃基板、液晶天线和高频器件。本发明涉及一种高频器件用玻璃基板，其中，所述高频器件用玻璃基板的以氧化物基准的摩尔百分率计的含量满足：碱土金属氧化物：0.1％～13％、Al2O3+B2O3：1％～40％、Al2O3/(Al2O3+B2O3)：0～0.45、和Sc2O3等微量成分：0.1％～1.0％或ZnO+ZrO2：1.5％～4.0％，所述高频器件用玻璃基板以SiO2作为主要成分，并且所述高频器件用玻璃基板的35GHz下的介质损耗角正切为0.007以下。
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公开(公告)号：CN117164229A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310947883.6
申请日：2020-04-07
申请人： AGC株式会社
摘要： 本发明提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。
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